中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

16 records (took 0.028 seconds)

    Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102015114661A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114661

    申请日：2015-09-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIPPES THOMAS ,  JAEGER CLAUS

    IPC: H01L33/60

    Abstract: Optoelektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip, der Infrarotstrahlung emittiert, mit einem Reflektor, der die Infrarotstrahlung des Halbleiterchips reflektiert und mit einem Filter. Der Filter ist in Form einer Beschichtung ausgeführt, und durchlässig für die Infrarotstrahlung des Halbleiterchips. Sichtbares Licht, das auf das optoelektronische Bauteil trifft, wird vom Filter wenigstens zu 75 % absorbiert. Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils umfasst die Schritte Platzieren eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Träger, elektrisches Kontaktieren des Halbleiterchips, platzieren eines Reflektors auf dem Träger und aufbringen eines Filters, indem eine Beschichtung aufgebracht wird.

    OPTOELEKTRONISCHE BAUGRUPPE UND VERFAHREN
    4.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHE BAUGRUPPE UND VERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102021112740A1

    公开(公告)日：2022-11-17

    申请号：DE102021112740

    申请日：2021-05-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIPPES THOMAS ,  SORG JOERG

    IPC: H01L33/62 ,  H01L23/045 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/0225

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe, mit einem optoelektronischen Bauelement mit zwei oder mehreren Anschlusskontakten zur Zuführung von Versorgungs- und/oder Steuersignalen. Ein Gehäuse mit einer flächigen strukturierten Gehäuseunterseite weist zwei oder mehrere Lotkontaktflächen auf, die jeweils von einem nicht-benetzbaren Bereich umgeben sind, wobei die Lotkontaktflächen durch die Gehäuseunterseite geführt und mit der Vielzahl von Anschlusskontakten verbunden sind. weiterhin umfasst die Gehäuseunterseite zwei oder mehr Lotflächen, die jeweils von einem nicht-benetzbaren Bereich umschlossen sind. Die zwei oder mehrere Lotkontaktflächen und die Lotflächen sind dabei im Wesentlichen gleichmäßig verteilt auf der Gehäuseunterseite angeordnet.

    Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
    5.
    发明专利
    Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers 未知

    公开(公告)号：DE102015116970A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：DE102015116970

    申请日：2015-10-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN DR ,  RÜGHEIMER TILMAN ,  KIPPES THOMAS

    IPC: H01S5/30

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p-leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23) eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).

    Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
    6.
    发明专利
    Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers 未知

    公开(公告)号：DE112016004575B4

    公开(公告)日：2024-11-28

    申请号：DE112016004575

    申请日：2016-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  MALM NORWIN VON ,  RÜGHEIMER TILMAN ,  KIPPES THOMAS

    IPC: H01S5/30 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

    Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen n-leitenden Bereich (23), einen p-leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22) umfasst,- genau einer Resonatorstrecke (3), in der im Betrieb des Halbleiterlasers (1) eine Laserstrahlung (L) erzeugt wird und die parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet ist,- einem elektrischen p-Kontakt (41), der sich an dem p-leitenden Bereich (21) befindet und der zur Stromeinprägung direkt in den p-leitenden Bereich (21) eingerichtet ist, und- einem elektrischen n-Kontakt (43), der sich an dem n-leitenden Bereich (23) befindet und der zur Stromeinprägung direkt in den n-leitenden Bereich (23) eingerichtet ist,wobei sich der n-Kontakt (43) von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) erstreckt und, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3) befindet, sodass der n-Kontakt (43) innerhalb des n-leitenden Bereichs (23) endet,- der n-Kontakt (43) in zumindest einem Querschnitt parallel zur aktiven Zone (22) gesehen ringsum von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) umgeben ist, sodass im Bereich des p-leitenden Bereichs (21) sowie in der Ebene der aktiven Zone (22) der n-Kontakt (43) ringsum von einer geschlossenen, zusammenhängenden Bahn des zugehörigen Halbleitermaterials umgeben ist und der n-Kontakt (43) in lateraler Richtung im Bereich der Halbleiterschichtenfolge (2) seitlich nirgends freiliegt,- der n-Kontakt (43) und der p-Kontakt (41) je aus einem oder aus mehreren Metallen bestehen,- sich alle elektrischen Kontaktflächen (61, 63) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlasers (1) auf derjenigen Seite der aktiven Zone (22) befinden, auf der sich der p-leitende Bereich (21) befindet,- alle Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) und eine dem p-leitenden Bereich (21) abgewandte Oberseite (28) der Halbleiterschichtenfolge (2) frei sind von Metallisierungen,- direkt auf dem n-Kontakt (43) und direkt auf dem p-Kontakt (41) an der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seiten je eine metallische Verstärkungsschicht (51, 53) angebracht ist,- die Verstärkungsschichten (51, 53) an den der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seiten je nur stellenweise von zumindest einer elektrischen Isolationsschicht (72) bedeckt sind,- direkt auf die elektrische Isolationsschicht (72) die zumindest zwei metallischen elektrischen Kontaktflächen (61, 63) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlasers (1) aufgebracht sind,- die elektrischen Kontaktflächen (61, 63) eine andere Grundfläche aufweisen als die Verstärkungsschichten (51, 53) und als der n-Kontakt (43) und der p-Kontakt (41), in Draufsicht auf den p-leitenden Bereich (21) gesehen,- die elektrischen Kontaktflächen (61, 63) und die Verstärkungsschichten (51, 53) die Halbleiterschichtenfolge (2) seitlich überragen, in Draufsicht auf den p-leitenden Bereich (21) gesehen, und- die elektrischen Kontaktflächen (61, 63) parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet sind.

    Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterrahmenvebund
    8.
    发明专利
    Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterrahmenvebund 未知

    公开(公告)号：DE102010045596A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：DE102010045596

    申请日：2010-09-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIPPES THOMAS ,  MOELLMER FRANK ,  JAEGER CLAUS DR

    IPC: H01L33/64 ,  H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) ist dieses oberflächenmontierbar und umfasst einen metallischen Leiterrahmen (2) mit mindestens zwei separaten Teilen. Das Halbleiterbauteil (2) umfasst mindestens zwei elektrische Anschlussflächen (3) zu einer elektrischen und thermischen Kontaktierung. An genau einem ersten der Teile des Leiterrahmens (2) ist mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (4) befestigt, der mit einem zweiten der Teile elektrisch verbunden ist. Den Halbleiterchip (4) und den Leiterrahmen (2) umgibt zumindest stellenweise ein linsenartig geformter Vergusskörper (5). Die Anschlussflächen (3) befinden sich neben oder unter dem Vergusskörper (5). Eine Dicke (D0) des Leiterrahmens (2) beträgt mindestens 0,1 mm und ein mittlerer thermischer Widerstand zwischen dem Halbleiterchip (4) und zumindest einer der Anschlussflächen (3) liegt bei höchstens 20 K/W.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS
    9.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS 未知

    公开(公告)号：DE102018107956A1

    公开(公告)日：2019-10-10

    申请号：DE102018107956

    申请日：2018-04-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： JÄGER CLAUS ,  KIPPES THOMAS

    IPC: H01L33/58 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/54

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben, mit- zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist,- einem Träger (3), auf dem der Halbleiterchip (2) angeordnet ist,- einem ersten Umhüllungskörper (4), in den der optoelektronische Halbleiterchip (2) eingebettet ist, und- einem zweiten Umhüllungskörper (6), wobei- der erste Umhüllungskörper (4) über dem Halbleiterchip (2) eine erste Dicke (4a) aufweist und lateral beabstandet zum Halbleiterchip (2) eine zweite Dicke (4b) aufweist,- die erste Dicke (4a) kleiner ist als die zweite Dicke (4b),- eine dritte Dicke (4c) des ersten Umhüllungskörpers (4) zwischen der ersten Dicke (4a) und der zweiten Dicke (4b) minimal ist, und- der zweite Umhüllungskörper (6) auf dem ersten Umhüllungskörper (4) angeordnet ist.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und biometrischer Sensor
    10.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und biometrischer Sensor 未知

    公开(公告)号：DE102017130779A1

    公开(公告)日：2019-02-14

    申请号：DE102017130779

    申请日：2017-12-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIPPES THOMAS ,  JÄGER CLAUS ,  RAJAKUMARAN JASON

    IPC: H01L33/58 ,  A61B5/1171 ,  H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/028

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) sowie einen Reflektor (3) mit einer Reflektorausnehmung (30), in der der Halbleiterchip (2) angebracht ist. Eine Linse (4) befindet sich mindestens zum Teil in der Reflektorausnehmung (30). Die Linse (4) weist eine Linsenausnehmung (40) auf, in oder an der der Halbleiterchip (2) angebracht ist. Die Linse (4) ist mit einem Verbindungsmittel (5) an dem Reflektor (3) befestigt. Die Linse (4) weist eine einer Reflektorinnenwand (31) zugewandte Linsenaußenseite (41) auf. Das Verbindungsmittel (5) befindet sich bevorzugt zwischen der Reflektorinnenwand (31) und der Linsenaußenseite (41). Die Linse (4) berührt den optoelektronischen Halbleiterchip (2) nicht.

Patent Agency Ranking