公开(公告)号：JP2004235649A

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：JP2004021828

申请日：2004-01-29

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  STAUSS PETER ,  PLOESSL ANDREAS ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES ,  STEIN WILHELM ,  WIRTH RALPH ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01S5/042 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30 ,  Y10S438/933

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To make directly formable an electric contact area on an n-conductive AlGaInP based or AlGaInAs based semiconductor layer.
SOLUTION: A method includes: adjusting by epitaxial growth semiconductor layers having the n-conductive AlGaInP based or AlGaInAs based outer layers and an active zone that emits electromagnetic radiation; making an electric contact material having Au and at least one doping substance adhered to the outer layer; and tempering the outer layer. The doping substance used in the step of making the electric contact material adhered to the outer layer contains at least one element selected from the group consisting of Ge, Si, Sn, and Te.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：在基于n导电AlGaInP或AlGaInAs的半导体层上直接形成电接触区域。 解决方案：一种方法包括：通过具有基于n导电AlGaInP或AlGaInAs的外层的外延生长半导体层和发射电磁辐射的有源区进行调整; 制造具有Au的电接触材料和至少一种掺杂物质粘附到外层; 并回火外层。 在使电接触材料附着于外层的步骤中使用的掺杂物质含有选自Ge，Si，Sn和Te中的至少一种元素。 版权所有（C）2004，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：DE102004004780B4

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN DR ,  PLÖSSL ANDREAS DR ,  STAUSS PETER DR ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES DR ,  STEIN WILHELM DR ,  WIRTH RALPH DR ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich (2), das mindestens folgende Schritte aufweist:- Bereitstellen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (8) auf einem Substrat, die eine n-leitende AlGaInP- oder AlGaInAs-basierte Außenschicht (7) und eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone umfasst, wobei die Außenschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (8) zugewandten Seite des Substrats angeordnet ist und zumindest teilweise Al und Ga in einem Verhältnis a:(1-a), mit 0,4 ≤ a ≤ 1 aufweist;- Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, auf die Außenschicht (7) wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält;- Tempern der Außenschicht (7)

公开(公告)号：DE10308322B4

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  STAUSS PETER DR ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH DR ,  STEIN WILHELM DR ,  PIETZONKA INES DR ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.

公开(公告)号：DE102004004780B9

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN DR ,  PLÖSSL ANDREAS DR ,  STAUSS PETER DR ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES DR ,  STEIN WILHELM DR ,  WIRTH RALPH DR ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich (2) das mindestens folgende Schritte aufweist:- Bereitstellen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (8) auf einem Substrat, die eine n-leitende AlGaInP- oder AlGaInAs-basierte Außenschicht (7) und eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone umfasst, wobei die Außenschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (8) zugewandten Seite des Substrats angeordnet ist und zumindest teilweise Al und Ga in einem Verhältnis a:(1-a), mit 0,4 ≤ a ≤ 1 aufweist;- Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, auf die Außenschicht (7), wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält;- Tempern der Außenschicht (7).

公开(公告)号：DE10308322A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ILLEK STEFAN ,  STAUSS PETER ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH ,  STEIN WILHELM ,  PIETZONKA INES ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L21/283

Abstract: A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.

公开(公告)号：DE102004004780A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  STAUSS PETER ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES ,  STEIN WILHELM ,  WIRTH RALPH ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.