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    Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    1.
    发明专利
    Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE10329398B4

    公开(公告)日：2019-05-23

    申请号：DE10329398

    申请日：2003-06-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STEIN WILHELM DR ,  ZOELFL MICHAEL DR ,  WIRTH RALPH DR

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

    Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen in einem Abstand neben dem Anschlußbereich (4) angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, wobei zwischen dem Anschlußbereich (4) und dem Strominjektionsbereich (5) und/oder gesehen vom Anschlußbereich (4) außerhalb des Strominjektionsbereiches (5) auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (3) eine Helligkeitseinstellschicht (12) aufgebracht ist, die gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugten Strahlung absorbiert, und unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird.

    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
    3.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE10346606B4

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：DE10346606

    申请日：2003-10-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STEIN WILHELM DR

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01S5/323

    Abstract: Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (6), eine n-leitende Seite und eine p-leitende Seite, wobei – auf der n-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Stromaufweitungsschicht (9) angeordnet ist, die elektrisch leitend ist, mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist und für die erzeugte Strahlung durchlässig ist, – die Stromaufweitungsschicht (9) SnO enthält, das bezüglich der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) ein Donator ist, – auf der p-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine weitere Stromaufweitungsschicht angeordnet ist, die elektrisch leitend ist und mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, und – die weitere Stromaufweitungsschicht ZnO enthält, das bezüglich der p-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) ein Akzeptor ist.

    Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich
    7.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich 未知

    公开(公告)号：DE10308322B4

    公开(公告)日：2014-11-06

    申请号：DE10308322

    申请日：2003-02-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLÖSSL ANDREAS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  STAUSS PETER DR ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH DR ,  STEIN WILHELM DR ,  PIETZONKA INES DR ,  DIEPOLD GUDRUN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.

    Optoelektronisches Bauelement mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Kontaktschicht
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Kontaktschicht 未知

    公开(公告)号：DE10261675B4

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：DE10261675

    申请日：2002-12-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STEIN WILHELM DR ,  WIRTH RALPH DR ,  ALBRECHT TONY

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/40

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit, – einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, die eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone aufweist, – mindestens einem elektrischen Kontaktbereich, der mindestens eine strahlungsdurchlässige, ZnO enthaltende elektrische Kontaktschicht aufweist, die mit einer äußeren Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, – einem Bondpad (9), das unmittelbar auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, und – einem auf sämtliche freie Flächen der Kontaktschicht aufgebrachten wasserdichten Material, wobei die Dicke des wasserdichten Materials 50 bis 200 nm, einschließlich der Grenzen beträgt, wobei das Bondpad (9) ein Metall aufweist und einen Schottky-Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge ausbildet.

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