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    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
    3.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE10329079B4

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：DE10329079

    申请日：2003-06-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINDER NORBERT DR ,  PIETZONKA INES DR ,  BUTENDEICH RAINER ,  MAYER BERND DR

    IPC: H01S5/30 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30

    Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die – eine n-dotierte Confinementschicht (14; 34), – eine p-dotierte Confinementschicht (22; 38), und – eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14; 34) und der p-dotierten Confinementschicht (22; 38) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18; 36) enthält, wobei – die n-dotierte Confinementschicht (14; 34) mit einem ersten n-Dotierstoff und – die aktive Schicht (18; 36) mit einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff dotiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass – das Halbleiterbauelement eine Laserdiode (10) ist, bei der zwischen der aktiven Schicht (18) und der n-dotierten Confinementschicht (14) eine erste Wellenleiterschicht (16) und zwischen der aktiven Schicht (18) und der p-dotierten Confinementschicht (22) eine zweite Wellenleiterschicht (20) angeordnet ist, – die erste Wellenleiterschicht (16) und/oder die zweite Wellenleiterschicht undotiert sind.

    Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich
    4.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich 未知

    公开(公告)号：DE10308322B4

    公开(公告)日：2014-11-06

    申请号：DE10308322

    申请日：2003-02-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLÖSSL ANDREAS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  STAUSS PETER DR ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH DR ,  STEIN WILHELM DR ,  PIETZONKA INES DR ,  DIEPOLD GUDRUN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.

    Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
    5.
    发明专利
    Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE10354936B4

    公开(公告)日：2012-02-16

    申请号：DE10354936

    申请日：2003-11-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  PIETZONKA INES DR ,  BRUNNER HERBERT

    IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50

    Abstract: Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone (3) umfaßt und eine Hauptfläche (4) aufweist, wobei in der aktiven Zone (3) Strahlung einer Wellenlänge λP erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß – auf der Hauptfläche (4) eine Spiegelschicht (15) angeordnet ist, – dem Halbleiterkörper (1) ein Halbleiterkonversionselement (2) nachgeordnet ist, – das Halbleiterkonversionselement (2) von der in der aktiven Zone (3) erzeugten Strahlung der Wellenlänge λP angeregt wird, – das Halbleiterkonversionselement (2) Strahlung einer Wellenlänge λS1 aussendet, welche größer als die Wellenlänge λP ist, – die Halbleiterschichtenfolge seitens der Hauptfläche (4) auf einem Träger (5) angeordnet ist, – das Halbleiterkonversionselement (2) auf der Seite des Trägers (5) angeordnet ist, auf der die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, – die Spiegelschicht (15) zwischen dem Träger (5) und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, – die Spiegelschicht (15) ein Metall enthält, und...

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