公开(公告)号：DE102004012013B4

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102004012013

申请日：2004-03-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR

IPC: H01L21/58 ,  B23K26/20 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62

Abstract: Waferanordnung mit – zwei übereinanderliegenden Wafern, zwischen denen sich ein Kontaktbereich (15) befindet, wobei die Wafer an ausgewählten Verbindungspunkten (21, 31) ihres Kontaktbereichs (15) miteinander verbunden sind, wobei – wenigstens einer der Wafer (11, 12) mindestens eines der Halbleitermaterialien Silizium, Germanium, Galliumarsenid, InP, GaP oder eines der Metalle Mo, Cu, CuW oder ein keramisches Material enthält, – wenigstens einer der Wafer (11, 12) eine Mehrzahl von Einzelschichten umfasst, wenigstens eine der Einzelschichten eine epitaktisch aufgebrachte Schicht ist, und wenigstens eine der Einzelschichten Teil eines optoelektronischen Bauelements ist, – wenigstens ein Material (13, 14) zwischen den Wafern (11, 12) eine mechanische Verbindung zwischen den Wafern (11, 12) herstellt, und – die beiden Wafer (11, 12) nur in den ausgewählten Verbindungspunkten (21, 31) des Kontaktbereichs (15) miteinander verbunden sind, wobei neben den Verbindungspunkten (31) auch verbindungsfreie Bereiche (22, 32) des Kontaktbereichs (15) vorhanden sind, an denen keine Verbindung zwischen den beiden Wafern (11, 12) besteht.

公开(公告)号：DE102005061797B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102005061797

申请日：2005-12-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  WIRTH RALPH DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ALBRECHT TONY ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/42

Abstract: Lumineszenzdiodenchip, der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete epitaktische Halbleiterschichtenfolge (1), einen elektrischen Anschlusskörper (2), eine mit dem Anschlusskörper elektrisch leitend verbundene strahlungsdurchlässige Stromaufweitungsschicht (3) mit einem TCO, und mindestens eine Strombarriere (4) aufweist, die geeignet ist, die Erzeugung der Strahlung in einem vom Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern,wobei die Strombarriere durch eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stromaufweitungsschicht (3) gebildet ist,wobei eine Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1), die durch eine Kontaktschicht (15) gebildet ist, in einem Teilbereich (150) aufgeraut ist mit einer Größe von Strukturelementen und mit einer Strukturtiefe von kleiner als 200 nm, sodass in dem Teilbereich (150) kein elektrisch leitfähiger Kontakt oder ein elektrisch leitfähiger Kontakt mit einer Leitfähigkeit von weniger als einem Zehntel der elektrischen Leitfähigkeit des Kontaktes in verbleibenden Bereichen der Stromaufweitungsschicht (3) und der Halbleiterschichtenfolge (1) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102008034560B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102008034560

申请日：2008-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  STREUBEL KLAUS DR ,  KLEIN MARKUS DR

IPC: H01L23/60 ,  H01L33/62

Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) aufweist;- der aktive Bereich (20) zwischen der ersten Halbleiterschicht (21) und der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist;- die erste Halbleiterschicht (21) auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet ist;- der Halbleiterkörper (2) zumindest eine Ausnehmung (25) aufweist, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt;- die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden ist, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt;- die erste Anschlussschicht (31) mit der zweiten Halbleiterschicht (22) über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden ist;- die erste Anschlussschicht (31) entlang einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers (2) verlaufenden vertikalen Richtung gesehen zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (5) und der zweiten Halbleiterschicht (22) verläuft;- ein Aufwachssubstrat (200) für die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers (2) entfernt ist; und- der Träger (5) die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisiert.

公开(公告)号：DE102004046792B4

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102004046792

申请日：2004-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  WIRTH RALPH DR

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: Optoelektronischer Dünnfilmchip, aufweisend- wenigstens einen strahlungsemittierenden Bereich (8) in einer aktiven Zone (7) einer Dünnfilmschicht (2), und- eine dem strahlungsemittierenden Bereich (8) nachgeordnete Linse (10, 12), die durch zumindest einen Teilbereich der Dünnfilmschicht (2) gebildet ist,- einen Träger (1), auf den die Dünnfilmschicht (2) aufgebracht ist,- zumindest einen Stromeinkoppelbereich (6), der zwischen Träger (1) und Dünnfilmschicht (2) angeordnet ist,- wenigstens eine Vertiefung (13) in einer Grenzfläche der Dünnfilmschicht (2), die dem Träger (1) zugewandt ist, wobei- die laterale Ausdehnung (Φ) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung des strahlungsemittierenden Bereichs und- die laterale Ausdehnung (Φ) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung (δ) des Stromeinkoppelbereichs (6),- die Vertiefung (13) den Stromeinkoppelbereich (6) zumindest teilweise umgibt,- die Vertiefung (13) die aktive Zone (7) nicht durchtrennt.

公开(公告)号：DE102007046752B4

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：DE102007046752

申请日：2007-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN PETRUS DR ,  STREUBEL KLAUS DR

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01S5/183

Abstract: Quasisubstrat für ein optoelektronisches Bauelement, umfassend- ein Substrat (1) aus GaAs,- eine auf das Substrat (1) aufgebrachte Pufferschichtenfolge (2), die eine Vielzahl von Schichtpaaren (9a, 9b 9c) aus jeweils einer ersten Halbleiterschicht (3, 5, 7) aus Inx1Ga1-x1As mit 0

公开(公告)号：DE102008025923B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102008025923

申请日：2008-05-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WIRTH RALPH DR ,  STREUBEL KLAUS DR ,  ENGL KARL DR

IPC: F21V9/30 ,  F21K9/64 ,  F21K9/68 ,  F21Y105/10 ,  F21Y115/10 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassend einen Träger (1), auf dem zumindest zwei Halbleiterbauelemente (2) nebeneinander angeordnet sind, wobei jedes der Halbleiterbauelemente (2)- im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und- eine vom Träger (1) abgewandte Hauptoberfläche (21) aufweist, auf der ein Wellenlängenkonversionselement (3) zur zumindest teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung angeordnet ist,wobei- das Wellenlängenkonversionselement (3) eine Strahlungseintrittsfläche (31), eine Strahlungsaustrittsfläche (32) und Seitenflächen (33), die die Strahlungseintrittsfläche (31) mit der Strahlungsaustrittsfläche (32) verbinden, umfasst und mit der Strahlungseintrittsfläche (31) auf der Hauptoberfläche (21) angeordnet ist,- die Strahlungsaustrittsfläche (32) größer als die Strahlungseintrittsfläche (31) ist,- auf den Seitenflächen (33) ein erstes nicht-transparentes Material (4) angeordnet ist, und- das erste nicht-transparente Material (4) ein Gitter (42) mit Öffnungen umfasst, in denen das Wellenlängenkonversionselement (3) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE10354936B4

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE10354936

申请日：2003-11-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  PIETZONKA INES DR ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50

Abstract: Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone (3) umfaßt und eine Hauptfläche (4) aufweist, wobei in der aktiven Zone (3) Strahlung einer Wellenlänge λP erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß – auf der Hauptfläche (4) eine Spiegelschicht (15) angeordnet ist, – dem Halbleiterkörper (1) ein Halbleiterkonversionselement (2) nachgeordnet ist, – das Halbleiterkonversionselement (2) von der in der aktiven Zone (3) erzeugten Strahlung der Wellenlänge λP angeregt wird, – das Halbleiterkonversionselement (2) Strahlung einer Wellenlänge λS1 aussendet, welche größer als die Wellenlänge λP ist, – die Halbleiterschichtenfolge seitens der Hauptfläche (4) auf einem Träger (5) angeordnet ist, – das Halbleiterkonversionselement (2) auf der Seite des Trägers (5) angeordnet ist, auf der die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, – die Spiegelschicht (15) zwischen dem Träger (5) und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, – die Spiegelschicht (15) ein Metall enthält, und...