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    Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil
    1.
    发明专利
    Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102008038748B4

    公开(公告)日：2022-08-04

    申请号：DE102008038748

    申请日：2008-08-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL DR ,  WEGLEITER WALTER ,  MOOSBURGER JÜRGEN DR ,  BARCHMANN BERND ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ZEILER THOMAS

    IPC: H01L33/48 ,  H01L23/10 ,  H01L33/00

    Abstract: Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Montagefläche (10) an einer Bauteilunterseite,- einem um eine Ausnehmung (9) umlaufenden Gehäusegrundkörper (4), der einen Teil der Montagefläche (10) bildet,- mindestens zwei elektrischen Anschlussstücken (2a, 2b) je mit einer Anschlussstückoberseite (21) und einer dieser gegenüberliegenden Anschlussstückunterseite (20), sodass die Anschlussstückunterseiten (20) je einen Teil der Montagefläche (10) bilden und die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) den Gehäusegrundkörper (4) lateral nicht überragen, wobei die Ausnehmung (9) bis zu den elektrischen Anschlussstücken (2a, 2b) reicht,- mindestens einem Strahlung emittierenden, optoelektronischen Halbleiterchip (3), der sich in der Ausnehmung (9) befindet, über die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) elektrisch kontaktiert ist und vollständig auf der Anschlussstückoberseite (20) des größeren der elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) direkt mittels Löten oder Kleben aufgebracht ist und eine Lichtdurchtrittsfläche (30) des Halbleiterchips (3) dieser Anschlussstückoberseite (21) abgewandt ist, und- mindestens einem Abschirmkörper (5), der sich zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (4) befindet, wobei der Abschirmkörper (5) eine vom Halbleiterchip (2) emittierte Strahlung vom Gehäusegrundkörper (4) abschirmt, wobei- in Richtung parallel zu den Anschlussstückunterseiten (20) die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) ringsum von dem Gehäusegrundkörper (4) umgeben sind, sodass eine Gehäusegrundfläche (40) des Gehäusegrundkörpers (4) zusammen mit den Anschlussstückunterseiten (20) die Montagefläche (10) bildet und die Anschlussstückunterseiten (20) mindestens 75 % der Montagefläche (10) bilden, und- der Abschirmkörper (5) als geschlossener Ring ausgestaltet ist und in Draufsicht auf die Lichtdurchtrittsfläche (30) gesehen über jedes der elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) verläuft.

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, einem Trägersubstrat und einer Folie und ein Verfahren zu dessen Herstellung
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, einem Trägersubstrat und einer Folie und ein Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102010049961A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：DE102010049961

    申请日：2010-10-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  RAMCHEN JOHANN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L21/60

    Abstract: Es ist ein Halbleiterbauelement (100) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), einem Trägersubstrat (2) und einer Folie (3) vorgesehen. Das Trägersubstrat (2) weist auf einer Oberseite (20) elektrisch leitfähige Kontaktbahnen (21a, 21b) auf. Die Folie (3) ist auf einer vom Trägersubstrat (2) abgewandten Strahlungsaustrittsseite (10) des Chips (1) und auf der Oberseite (20) des Trägersubstrats (2) angeordnet und weist elektrisch leitfähige erste Leiterbahnen (31a) auf. Zudem weist die Folie (3) Durchbrüche (32a, 32b) auf, die derart angeordnet sind, dass der Halbleiterchip (1) über die erste Leiterbahn (31a) der Folie (3) mit der ersten Kontaktbahn (21a) des Trägersubstrats (2) elektrisch kontaktierbar ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    4.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    光电子半导体元件和用于制造光电子半导体元件的方法

    公开(公告)号：WO2010084101A3

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：PCT/EP2010050536

    申请日：2010-01-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  AHLSTEDT MIKAEL ,  GROLIER VINCENT

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  AHLSTEDT MIKAEL ,  GROLIER VINCENT

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor component comprising at least one optoelectronic semiconductor chip (1), which comprises a radiation passage surface (11), wherein the radiation passage surface (11) is formed on a main surface (10) of the semiconductor chip (1); a cover plate (2), which is fastened to the optoelectronic semiconductor chip (1) and spans the entire radiation passage surface (11) of the semiconductor chip (1), wherein the cover plate (2) laterally protrudes over the semiconductor chip (1); a contact point (3), which is fastened to the cover plate (2) on the side of the cover plate (2) facing the semiconductor chip (1); wherein the contact point (3) is connected in an electrically conductive manner to at least one connection point (13) of the semiconductor chip (1) by means of a connecting element (4); and the connection point (13) is arranged on the main surface (10) of the semiconductor chip (1).

    Abstract translation: 提供了一种具有（1）具有一个辐射穿透面（11），其特征在于，在半导体芯片（1）的主表面（10）形成的辐射通路表面（11）的至少一个光电子半导体芯片一个otoelektronisches半导体装置; 盖板（2）的光电子半导体芯片（1）被固定和半导体芯片（1）跨越的整个辐射穿透面（11），其中所述盖板（2）突出于半导体芯片（1）横向; 提供在半导体芯片上的接触点（3）（1）的朝向（2）安装在所述盖板上的盖板（2）的侧上; 其中通过连接元件（4）与半导体芯片（1）的至少一个连接点（13）的接触点（3）电连接; 和半导体芯片（1）的主表面（10）上的连接点（13）。

    OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A LAYER STACK
    5.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A LAYER STACK 审中-公开
    WITH A栈层OPTO电子元件

    公开(公告)号：WO2009015645A3

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：PCT/DE2008001225

    申请日：2008-07-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  BADER STEFAN ,  BAUR JOHANNES ,  SABATHIL MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN ,  ZEHNDER ULRICH

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  BADER STEFAN ,  BAUR JOHANNES ,  SABATHIL MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN ,  ZEHNDER ULRICH

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    Abstract: Optoelectronic component (20) having a layer stack (10), comprising at least the following: a layer sequence constituting a semiconductor light emitting diode (5) and comprising at least a first light emitting diode layer (2), a second light emitting diode layer (4) and an optically active zone (3) between the first (2) and the second light emitting diode layer (4), wherein the two light emitting diode layers (2, 4) are in each case formed from a III-V semiconductor material containing in each case at least one of the elements aluminium, gallium and indium and in each case at least one of the elements nitrogen, phosphorus and arsenic, and wherein the first light emitting diode layer (2) is an n-doped layer and the second light emitting diode layer (4) is a p-doped layer, a silver-containing metallic layer (9) and an interlayer (8) composed of a transparent conductive oxide, which is arranged between the semiconductor light emitting diode (15) and the metallic layer (9), characterized in that the metallic layer (9) and the interlayer (8) are arranged on that side of the semiconductor light emitting diode (15) which the p-doped second light emitting diode layer (4) faces, and in that at least one highly doped first semiconductor layer (7), the dopant concentration of which is greater than the dopant concentration of the second light emitting diode layer (4), is arranged between the second light emitting diode layer (4) and the interlayer (8).

    Abstract translation: 光电子器件（20），包括一个叠层（10），至少包括：一个层序列，其是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3） 第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，元素铝，镓和铟的至少一种形成，并且在每种情况下之间 包含的元素氮，磷和砷的至少一种，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银金属层（9）和一个中间层（8 ），其特征在于透明导电氧化物，其被设置在半导体发光二极管（15）和所述金属层（9）之间的，所述金属 金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）和中间层（8）之间 （7）被布置在至少一个高度掺杂的第一半导体层，掺杂剂浓度比所述第二发光层（4）的掺杂剂浓度。

    Verfahren zur Herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil
    10.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102011115150A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：DE102011115150

    申请日：2011-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  RAMCHEN JOHANN

    IPC: H01L33/58 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Halbleiterbauteils (100) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird ein Trägerkörper (1) mit einer Montagefläche (101) bereitgestellt. Bei einen weiteren Verfahrensschritt wird ein Barriererahmen (6) auf der Montagefläche (101) ausgebildet, derart dass der Barriererahmen (6) einen Montagebereich (110) der Montagefläche (101) lateral umschließt. Bei einem weiteren Verfahrensschritt wird ein strahlungsemittierender und/oder -empfangender Halbleiterchip (4) innerhalb des Montagebereichs (110) auf der Montagefläche (101) montiert. Der Halbleiterchip (4) wird mit einem flüssigen Linsenmaterial vergossen, wobei das Linsenmaterial (7) innerhalb des Montagebereichs (110) auf die Montagefläche (101) aufgebracht wird. Das Linsenmaterial (7) wird gehärtet. Dabei sind die Montagefläche (101), der Barriererahmen (6) und das Linsenmaterial (7) derart aneinander angepasst, dass die Montagefläche (101) innerhalb des Montagebereichs (110) von dem Linsenmaterial (7) benetzbar und der Barriererahmen (6) von dem Linsenmaterial (7) nicht benetzbar ist, so dass sich das Linsenmaterial (7) beim Aufbringen auf die Montagefläche (101) zu einem zumindest stellenweise von dem Barriererahmen (6) begrenzten Tropfen mit konvexer Außenfläche formt und den Barriererahmen (6) frei lässt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauteil (100) angegeben.

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