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    EMETTEUR-RECEPTEUR INTEGRE EN ONDES MILLIMETRIQUES
    1.
    发明专利
    EMETTEUR-RECEPTEUR INTEGRE EN ONDES MILLIMETRIQUES 未知

    公开(公告)号：FR2969398A1

    公开(公告)日：2012-06-22

    申请号：FR1060851

    申请日：2010-12-20

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  PRUVOST SEBASTIEN ,  GARCIA PATRICE ,  BUSSON PIERRE ,  DAUTRICHE PIERRE

    IPC: H01Q15/14 ,  H01Q21/06 ,  H01Q23/00

    Abstract: L'invention concerne un émetteur/récepteur à ondes millimétriques comprenant une plaque formant interposeur (3) dont la face supérieure porte un réseau d'interconnexions (4) et dont la face inférieure est destinée à être montée sur une carte de circuit imprimé (25) par des billes (21) ; une puce de circuit intégré (1) montée sur la face supérieure de l interposeur ; des antennes (30) constituées de pistes formées sur la face supérieure de l'interposeur ; et des réflecteurs (32) sur la face supérieure de la carte de circuit imprimé en regard de chacune des antennes, la distance effective entre chaque antenne et la plaque de réflecteur étant de l'ordre du quart de la longueur d'onde (λ/4), en tenant compte des constantes diélectriques des matériaux interposés.

    PROCEDE DE FABRICATION DE RESONATEURS BAW SUR UNE TRANCHE SEMICONDUCTRICE
    2.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE RESONATEURS BAW SUR UNE TRANCHE SEMICONDUCTRICE 未知

    公开(公告)号：FR2951026A1

    公开(公告)日：2011-04-08

    申请号：FR0956868

    申请日：2009-10-01

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： PETIT DAVID ,  JOBLOT SYLVAIN ,  BAR PIERRE ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  DAUTRICHE PIERRE

    IPC: H01L41/22 ,  H03H9/15

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche sur laquelle sont formés des résonateurs (11), chaque résonateur comportant, au dessus d'un substrat semiconducteur (3), un empilement de couches comprenant, dans l'ordre à partir de la surface du substrat : un miroir de Bragg (7) ; une couche de compensation (13) en un matériau ayant un coefficient de température de la vitesse acoustique de signe opposé à celui de l'ensemble des autres couches de l'empilement ; et un résonateur piézoélectrique (5), ce procédé comportant les étapes successives suivantes : a) déposer la couche de compensation (13) ; et b) réduire les inégalités d'épaisseur de la couche de compensation liées au procédé de dépôt, de sorte que cette couche présente une même épaisseur à mieux que 2 % près, et de préférence à mieux que 1 % près, au niveau de chaque résonateur BAW.

    PROCÉDÉ DE RÉCEPTION DE DONNÉES DANS UNE TRANSMISSION RADIOFRÉQUENCE
    4.
    发明专利
    PROCÉDÉ DE RÉCEPTION DE DONNÉES DANS UNE TRANSMISSION RADIOFRÉQUENCE 未知

    公开(公告)号：FR3111759A1

    公开(公告)日：2021-12-24

    申请号：FR2006434

    申请日：2020-06-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： DAUTRICHE PIERRE ,  ENGELS SYLVAIN

    IPC: H04B7/17 ,  G06N3/06 ,  H04L27/14

    Abstract: Selon un aspect, il est proposé un dispositif récepteur radiofréquence comprenant :- une interface d’entrée (ANT, AMP) configurée pour recevoir un signal radiofréquence d’une nature donnée et le convertir en un signal électrique, - des moyens de détection (CP1, CP2, CP3) configurés pour détecter au moins un niveau de tension dans le signal électrique, - un générateur d’impulsions (IG) configuré pour élaborer au moins un train d’impulsions représentatifs (TI1, TI2, TI3) des niveaux de tension détectés, ○ une unité de traitement (UT) configurée pour déterminer la nature du signal radiofréquence à partir dudit au moins un train d’impulsions (TI1, TI2, TI3). Figure pour l’abrégé : Fig 1

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A EMPILEMENT DE PUCES SEMICONDUCTRICES
    9.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A EMPILEMENT DE PUCES SEMICONDUCTRICES 未知

    公开(公告)号：FR2967815A1

    公开(公告)日：2012-05-25

    申请号：FR1059594

    申请日：2010-11-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： FOURNEL RICHARD ,  DAUTRICHE PIERRE

    IPC: H01L23/538

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à empilement de puces semiconductrices, comportant les étapes suivantes : a) former une première matrice de connecteurs (11) sur une face d'une première puce semiconductrice (C1) ; b) former une seconde matrice de connecteurs (12) sur une face d'une seconde puce semiconductrice (C2), la seconde matrice comprenant plus de connecteurs que la première matrice et le pas de la première matrice étant un multiple du pas de la seconde matrice ; c) appliquer la première puce contre la seconde puce ; et d) établir des signaux de test entre les première (C1) et seconde (C2) puces pour déterminer l appariement entre les connecteurs (11) de la première matrice et les connecteurs (12) de la seconde matrice.

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