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公开(公告)号：CN101477307A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN101477307B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN101762981A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910262157.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有被叔烷基保护的酚性羟基的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1825206A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610059991.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , C08L25/18 , C08L2666/04
Abstract: 本发明提供了一种负型抗蚀剂组合物，其包含一种包含具有式(1)的重复单元的聚合物、一种光致酸生成剂和一种交联剂。在式(1)中，X是烷基或烷氧基，R1和R2是H、OH、烷基、可取代的烷氧基或卤素，R3和R4是H或CH3，n是1至4的整数，m和k是1至5的整数，p、q和r是正数。该组合物具有高的曝光前后的碱溶解率对比、高灵敏度、高分辨率和良好的蚀刻性。
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公开(公告)号：CN101666976B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200910140185.5
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/114
Abstract: 本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物，其是化学增幅型光阻组合物，含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂，作为主要成分；该基质聚合物是，含有1种或2种以上以下述通式(1)等表示的单体单元，且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物，且在通过酸催化剂而被脱去保护后，会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术，需要有非常高的经时稳定性。又，必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明，能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此种组合物的光阻图案的形成方法、以及空白光掩模的制造方法，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103176353A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310054677.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 一种含有聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物，所述聚合物包含重复的羟基苯乙烯单元和其上具有吸电子取代基的重复苯乙烯单元。在形成一种具有小于0.1μm微细特征尺寸的图案中，组合物表现出高的分辨率，由组合物形成的抗蚀涂层可以处理成这种微细尺寸图案而将图案特征之间桥连接的形成最小化。
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公开(公告)号：CN101666976A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910140185.5
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/114
Abstract: 本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物，其是化学增幅型光阻组合物，含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂，作为主要成分；该基质聚合物是，含有1种或2种以上以所述通式(1)等表示的单体单元，且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物，且在通过酸催化剂而被脱去保护后，会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术，需要有非常高的经时稳定性。又，必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明，能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此种组合物的光阻图案的形成方法、以及空白光掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN101625523A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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公开(公告)号：CN1821879A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008521.7
申请日：2006-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明提供与既有的正型光阻组合物相同或具有此数量以上的高敏感度、高分辨率、特别是高反射性基板上的图样形状良好的状态下，减少驻波的发生、降低线边缘粗糙度等特性的正型光阻材料。具有上述特征的正型光阻组合物中的基础树脂所包含的聚合物具有一重复单元，该重复单元含有在248nm波长的光线下会进行吸收的酸不稳定基，而且，该重复单元是以聚合物所有重复单元的1％～10％的比例被包括在该基础树脂内。
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公开(公告)号：CN101762981B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910262157.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有酚性羟基被叔烷基所保护的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
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