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公开(公告)号：CN105026608B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201480010487.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , Y10T428/218 , Y10T428/219
Abstract: 在一些实施方式中，一种用于具有处理屏蔽件的基板处理腔室中使用的靶组件可包括：背板，具有第一侧和相对的第二侧，其中该第二侧包含具有第一直径的第一表面，由第一边缘约束该第一表面；靶材料，具有粘合至背板的第一表面的第一侧；其中第一边缘为背板与靶材料之间的界面；和多个槽缝，沿背板的外部外围安置以在使用期间相对于处理屏蔽件对准靶组件，其中在背板的第一侧中形成多个槽缝并且所述多个槽缝仅部分延伸至背板中。
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公开(公告)号：CN102859029A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020863.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3411
Abstract: 在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至靶材的馈送结构可包括：主体，该主体具有用来接收射频能量的第一末端和与该第一末端相对以将该射频能量耦接至靶材的第二末端，该主体进一步具有被设置为从该第一末端至该第二末端贯穿该主体的中心开口；第一部件，该第一部件在该第一末端处耦接至该主体，其中该第一部件包括外接该主体且从该主体径向向外延伸的第一元件，和设置在该第一部件中以从射频电源接收射频能量的一个或多个端子；和源分布板，该源分布板耦接至该主体的该第二末端以将该射频能量分布至该靶材，其中该源分布板包括被设置为贯穿该板且与该主体的该中心开口对准的孔。
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公开(公告)号：CN104204285B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201380017345.1
申请日：2013-03-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3405
Abstract: 在此提供用于处理基板的设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括挡板，所述挡板具有配置成围绕第一容积的一个或更多个侧壁，所述第一容积设置在工艺腔室的内容积内；以及第一环，所述第一环可移动地介于第一位置与第二位置之间，在第一位置，第一环置于挡板上，而在第二位置，在第一环的外表面与一个或更多个侧壁的内表面之间形成间隙，其中对于在约40MHz或更高的频率下和约140毫托或更低的压力下形成的等离子体而言，间隙的宽度小于约两倍等离子体壳层的宽度。
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公开(公告)号：CN105026608A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010487.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , Y10T428/218 , Y10T428/219
Abstract: 在一些实施方式中，一种用于具有处理屏蔽件的基板处理腔室中使用的靶组件可包括：背板，具有第一侧和相对的第二侧，其中该第二侧包含具有第一直径的第一表面，由第一边缘约束该第一表面；靶材料，具有粘合至背板的第一表面的第一侧；其中第一边缘为背板与靶材料之间的界面；和多个槽缝，沿背板的外部外围安置以在使用期间相对于处理屏蔽件对准靶组件，其中在背板的第一侧中形成多个槽缝并且所述多个槽缝仅部分延伸至背板中。
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公开(公告)号：CN104616959A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410778538.5
申请日：2011-03-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3444 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3438 , C30B23/002 , H01J37/34
Abstract: 本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102869808B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201180022140.3
申请日：2011-03-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3444 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3438
Abstract: 本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。
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公开(公告)号：CN102859029B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201180020863.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3411
Abstract: 在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至靶材的馈送结构可包括：主体，该主体具有用来接收射频能量的第一末端和与该第一末端相对以将该射频能量耦接至靶材的第二末端，该主体进一步具有被设置为从该第一末端至该第二末端贯穿该主体的中心开口；第一部件，该第一部件在该第一末端处耦接至该主体，其中该第一部件包括外接该主体且从该主体径向向外延伸的第一元件，和设置在该第一部件中以从射频电源接收射频能量的一个或多个端子；和源分布板，该源分布板耦接至该主体的该第二末端以将该射频能量分布至该靶材，其中该源分布板包括被设置为贯穿该板且与该主体的该中心开口对准的孔。
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公开(公告)号：CN102439697A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN103998644B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280063717.X
申请日：2012-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3441
Abstract: 在一些实施例中，基板处理设备可包括：腔室主体；设置在腔室主体顶部的盖；耦接至盖的靶组件，该靶组件包括待沉积在基板上的材料靶；具有绕靶的外边缘设置的内壁的环形暗区屏蔽；邻近暗区屏蔽的外边缘设置的密封环；以及支撑构件，该支撑构件耦接至贴近支撑构件的外端的盖并径向向内延伸，以使支撑构件支撑密封环和环形暗区屏蔽，其中支撑构件在耦接至盖时提供充分的压缩以在支撑构件与密封环和密封环与靶组件之间形成密封。
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公开(公告)号：CN102439697B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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