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公开(公告)号：CN116635569A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180081904.X
申请日：2021-10-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本公开的实施例总体涉及半导体处理设备，并且更具体地涉及可在基板的等离子体处理期间与磁体一起使用的装置，例如，磁体保持结构。在实施例中，提供一种用于等离子体增强化学气相沉积腔室的磁体保持结构。磁体保持结构包括具有多个磁体固位构件的顶部件和具有多个磁体固位构件的底部件。顶部件具有第一内边缘和第一外边缘，并且底部件具有第二内边缘和第二外边缘。磁体保持结构进一步包括多个壳套。多个壳套中的每个壳套被配置成至少部分地封装磁体，并且每个壳套定位在顶部件的磁体固位构件与底部件的磁体固位构件之间。
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公开(公告)号：CN108028164A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052156.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32752
Abstract: 一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。
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公开(公告)号：CN103891417A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051755.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/28 , H01L21/205
Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。
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公开(公告)号：CN116490937A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079523.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·G·克诺斯约瑟夫 , S·S·甘塔 , K·贝拉 , A·恩古耶 , 杰伊二世·D·平森 , A·达纳克什鲁尔 , K·C·阿拉亚瓦里 , 赖璨锋 , 段仁官 , J·Y·孙 , A·K·卡拉尔 , A·潘迪
IPC: H01F1/04
Abstract: 一种等离子体腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有在腔室主体内的处理区域；衬垫，所述衬垫设置在腔室主体上，所述衬垫围绕处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在衬垫内；磁体组件，所述磁体组件包括设置在衬垫周围的多个磁体；以及磁性材料屏蔽件，所述磁性材料屏蔽件设置在衬垫周围，所述磁性材料屏蔽件封装靠近基板支撑件的处理区域。
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公开(公告)号：CN107481966B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710423175.7
申请日：2017-06-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明描述了基座组件，所述基座组件包括：基座基部；以及多个饼形蒙皮，所述多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形锚件可以定位在基座基部的中心，以便在处理期间将所述饼形蒙皮保持于适当位置处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783499B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201611028706.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 描述了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包含具有RF热电极和返回电极的壳体。所述壳体包括界定流动路径的气体入口和正面。所述RF热电极包括基本上平行于所述流动路径定向的第一表面。所述返回电极包括第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流动路径定向并与所述RF热电极的第一表面相隔开以形成间隙。还描述了与所述等离子体源组件相结合的处理腔室和使用所述等离子体源组件的方法。
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公开(公告)号：CN107750281B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680035326.5
申请日：2016-06-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 一种用于处理包含注入器单元插入件的基板的设备与方法，该注入器单元插入件带有多个通向第一气室的流动路径，所述流动路径的每者提供基本上相同的停留时间、长度和/或传导性中的一者或多者。包含注入器单元插入件的注入器单元已增加流均匀性。
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公开(公告)号：CN107338423A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710545902.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/687
Abstract: 公开了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：壳体，所述壳体具有气体入口和正面；在所述壳体中的RF热电极，所述RF热电极具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对并且限定所述RF热电极的厚度；在所述壳体中的第一返回电极，所述返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第一表面相隔开以形成第一间隙；以及在所述壳体中的第二返回电极，所述第二返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第二表面相隔开以形成第二间隙，从而使得相对于所述第一间隙，所述第二间隙在所述RF热电极的相对侧上。
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公开(公告)号：CN107075679A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053168.1
申请日：2015-10-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 一种用于在基板处理腔室中使用的加热模块。加热模块具有外壳，外壳中具有加热源。加热模块可以是设置于基座组件上方的气体分布组件的一部分，以直接加热基座的顶表面和晶片。加热模块可具有恒定的或可变的功率输出。描述了使用加热模块处理晶片的处理腔室及方法。
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公开(公告)号：CN112955997A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071231.2
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦接到设置在支撑底座中的RF网格、及面板电极。调谐器电路调整面板电极的相位与RF网格的相位之间的相位差。
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