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公开(公告)号：CN101532614B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910132176.1
申请日：2005-11-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: F21S2/00 , H01S5/00 , H01S5/02 , A61B1/00 , F21Y101/02
CPC classification number: A61B1/0653
Abstract: 本发明提供一种组合第1单元和第2单元而成的发光装置。其中，第1单元由以下部分构成：包含射出蓝色波长区域的激发光的激光元件的第1激发光源；对从该第1激发光源射出的第1激发光至少部分地进行吸收、波长变换，放出比所述第1激发光更长的波长的区域的光的、包含至少1种荧光物质的第1波长变换部件；断面的中心部的折射率比周边部的折射率高，传送从所述第1激发光源射出的所述第1激发光的第1光导管。且第2单元由以下部分构成：第2激发光源；第2波长变换部件；第2光导管。根据该发光装置，通过组合射出高亮度的蓝色波长区的激发光的激光元件和另一激光元件，能够发挥优异的显色性。
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公开(公告)号：CN100485984C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610004485.7
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1832214A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004485.7
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1790761A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510126712.9
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1260833C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02142888.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1160801C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN96120525.3
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN101027520B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580032269.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: G02B6/4298 , A61B1/0017 , A61B1/0653 , A61B1/07 , A61B18/22 , A61B2018/2255 , G02B6/0003 , G02B6/0008 , G02B6/4206 , G02B6/4249
Abstract: 本发明的目的在于提供一种色调偏差少、颜色再现性丰富、彩色再现性高和/或发光效率良好的发光装置。该发光装置由射出激励光(1)的激励光源(10)；吸收从激励光源(10)射出的激励光(1)，进行波长变换放出规定波长区域的光(2)的波长变换部件(30)；和截面的中心部(芯体)的折射率比周边部(包覆层)的折射率高，向波长变换部件(30)导出从激励光源(10)射出的激励光(1)的导光管构成，波长变换部件(30)层叠有对不同波长的光进行波长变换的多个层而构成。
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公开(公告)号：CN100531667C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510128575.2
申请日：2005-11-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: A61B1/0653
Abstract: 本发明提供一种组合第1单元和第2单元而成的发光装置。其中，第1单元由以下部分构成：包含射出蓝色波长区域的激发光的激光元件的第1激发光源；对从该第1激发光源射出的第1激发光至少部分地进行吸收、波长变换，放出比所述第1激发光更长的波长的区域的光的、包含至少1种荧光物质的第1波长变换部件；断面的中心部的折射率比周边部的折射率高，传送从所述第1激发光源射出的所述第1激发光的第1光导管。且第2单元由以下部分构成：第2激发光源；第2波长变换部件；第2光导管。根据该发光装置，通过组合射出高亮度的蓝色波长区的激发光的激光元件和另一激光元件，能够发挥优异的显色性。
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公开(公告)号：CN1323441C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN02803113.X
申请日：2002-10-11
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/76251 , H01L24/29 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/501 , H01L33/62 , H01L2224/0603 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01037 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01049 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 一种发光装置，包括：配置在支承体(105)上的发光元件(101)、和将吸收该发光元件(101)发出的光并进行波长转换而发光的荧光体、覆盖在发光元件(101)表面的涂敷层(108和109)。所述涂敷层(108和109)，由至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物和氢氧化物的无机材料构成。另外，粘接层(110)也由与涂敷层(108和109)相同的无机材料构成。
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公开(公告)号：CN1964093A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610163959.2
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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