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公开(公告)号：CN102648535A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080042883.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L25/0753 , G02F1/133603 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置是至少具备第一以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一以及第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片，半导体芯片包括由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠构造(45)，氮化物系半导体层叠构造(20)包括由氮化物半导体层构成的活性层区域(24)，上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度，上述活性层区域层叠构造中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下，第一以及第二氮化物系半导体发光元件分别从活性层区域(24)射出偏振光，在设第一以及第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长为λ1以及λ2，设第一以及第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度为d1以及d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
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公开(公告)号：CN102456821A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110317627.6
申请日：2011-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/18 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。
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公开(公告)号：CN102334204A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
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公开(公告)号：CN102318039A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
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公开(公告)号：CN1906755A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001803.8
申请日：2005-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/76 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L21/76229 , H01L21/823412 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L27/088
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：准备基板的工序(A)，该基板具备具有主面的半导体层，并具有在主面区分为多个元件有效区域(50、60)的分离区域(70)内形成的元件分离结构(STI)基板；在半导体层的主面的多个元件有效区域(50、60)中被选择的元件有效区域(50)上生长含有Si和Ge的外延层的工序(B)；以及多个元件有效区域(50、60)中，在形成外延层的元件有效区域(50)以及在每个未形成外延层的元件有效区域(A2)上，形成晶体管工序(C)。工序(A)包括在分离区域(70)内形成被元件分离结构(STI)包围的多个虚拟区域80的工序(a1)，工序(B)包括在多个虚拟区域(80)中被选择的区域上生长有与外延层相同的材料构成的层的工序(b1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102318039B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
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公开(公告)号：CN103503182A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201380001192.1
申请日：2013-01-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体发光装置，其具备：具有射出偏振光且以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和使来自所述有源层的光透过的透光性罩，所述透光性罩具有：在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。
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公开(公告)号：CN103384922A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280010530.3
申请日：2012-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/0058 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05B33/0803 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层（0＜x≤1），InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布（depth profile）具有多个峰，多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。
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公开(公告)号：CN102971875A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032755.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/32 , H01L25/0753 , H01L33/16 , H01L33/54 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在具有偏振特性的氮化物系半导体发光元件的周围，将具有圆柱形状的透光性密封部设为，圆柱形状的对称面相对于氮化物系半导体发光元件的偏振方向处于25～65度的范围。
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公开(公告)号：CN1989610A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580025371.4
申请日：2005-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8238 , H03B5/12 , H01L27/092 , H03K3/354
CPC classification number: H01L27/088 , H01L27/0617 , H01L27/092 , H03B5/1203 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03K3/0315 , H03K3/0322 , H03K3/354
Abstract: 在本发明的振荡器中，作为放大器件而含有的场效应晶体管(12)、(13)是具有在半导体基板上所形成的基极区域、在所述基极区域上所形成的与所述基极区域不同的导电型源极区域以及漏极区域、在所述源极区域以及漏极区域之间所形成的埋沟层、和在所述埋沟层的上方通过删极绝缘膜而形成的删极电极的埋沟型晶体管，并且与所述基极区域电连接的基极端子(b12)、(b13)与用来供给电源电位(Vdd)的电源配线连接。
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