公开(公告)号：CN102282659B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200980154577.5

申请日：2009-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仲野纯章

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体基板结构及半导体装置。该半导体基板结构包括形成在半导体基板主体(100)上的电极焊盘(103)、在半导体基板主体(100)上与电极焊盘(103)留有间隔形成的表面保护膜(123)以及形成在电极焊盘(103)上的凸点(111)。表面保护膜(123)具有包围电极焊盘(103)的障碍部(123a)。障碍部(123a)的高度与表面保护膜(123)中障碍部(123a)以外的部分的高度不同。

公开(公告)号：CN102282659A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154577.5

申请日：2009-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仲野纯章

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体基板结构及半导体装置。该半导体基板结构包括形成在半导体基板主体(100)上的电极焊盘(103)、在半导体基板主体(100)上与电极焊盘(103)留有间隔形成的表面保护膜(123)以及形成在电极焊盘(103)上的凸点(111)。表面保护膜(123)具有包围电极焊盘(103)的障碍部(123a)。障碍部(123a)的高度与表面保护膜(123)中障碍部(123a)以外的部分的高度不同。

公开(公告)号：CN102918637A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026140.0

申请日：2011-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仲野纯章 ,  永井纪行

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/585 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及倒装芯片安装件。半导体装置(50)具备：具有电路形成区域(2)的基板(1)、在基板(1)上形成的层间绝缘膜(11)、在层间绝缘膜(11)中形成且包围电路形成区域(2)的第1密封环(4)、形成在层间绝缘膜(11)上的包括电路形成区域及第1密封环(4)上方在内的区域中的第1保护膜(6)、和形成在第1保护膜(6)上且比第1密封环(4)更靠内侧的第2保护膜(7)。第1保护膜(6)具有与第2保护膜(7)接触的第1表面、位于第1密封环(4)的正上方的第2表面、和从第1表面连接到第2表面的第3表面。第2保护膜(7)的端部位于比第3表面更靠内侧的位置上。

公开(公告)号：CN102254876A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110053053.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仲野纯章

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供一种半导体装置，具备能够尽可能防止凸点从金属层大大溢出的结构。如下构成：包括：基板(12)；多个电极焊盘(20)，被形成在基板(12)上；以及保护膜(14)，被形成得具有与各电极焊盘(20)对应而开设的贯通孔(16)，覆盖电极焊盘(20)的周缘部及基板(12)；贯通孔(16)的内壁被形成为向贯通孔(16)的外侧倾斜的斜面(22)；在电极焊盘(20)的经由贯通孔(16)从保护膜(14)露出的露出面、及到贯通孔(16)的斜面(22)的中途而形成金属层(24)；凸点(18)被接合在金属层(22)上。