-
公开(公告)号：CN104617056B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201410825904.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。
-
公开(公告)号：CN102157462B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110025048.4
申请日：2011-01-21
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81B7/0051 , B81C2203/0118 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/2732 , H01L2224/27618 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明有关于一种晶片封装体及其制造方法，晶片封装体包括具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部。晶片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的多个晶粒与封装层之间形成多个间隔层，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部，以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆，以形成多个晶片封装体。本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象，从而可有效避免水气及空气进入晶片封装体中，以提升晶片封装体的可靠度、避免元件发生电性不良。
-
公开(公告)号：CN102270618B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201110153594.6
申请日：2011-06-07
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L33/44 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/01021 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/81 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光学元件，介于该基底的该第一表面与该第二表面之间；一防焊层，形成于该基底的该第二表面上，该防焊层具有至少一开口；至少一导电凸块，形成于该防焊层的该开口之中，并电性连接该光学元件；以及一遮光层，形成于该防焊层之上，且延伸于该防焊层的该开口的一侧壁上。本发明所述的晶片封装体中的遮光层不仅可防止水气进入封装体的内部以及避免形成导电凸块时发生“漏锡”现象，还可提供较为平滑的表面轮廓，以使导电凸块稳固地形成于防焊层的开口中。
-
公开(公告)号：CN102201383B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110073355.X
申请日：2011-03-25
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L33/62 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03825 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/056 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/119 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/136 , H01L2224/16225 , H01L2224/32052 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/92142 , H01L2224/92143 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/1182 , H01L2224/03 , H01L2224/0382 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括：至少一半导体芯片、至少一抵接部、一钝化保护层以及一基板。半导体芯片具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中至少一重布线设置于半导体芯片的第一表面上，且电连接于半导体芯片的至少一导电垫结构。抵接部设置于重布线上并与其电性接触。钝化保护层覆盖半导体芯片的第一表面且环绕抵接部。基板贴附于半导体芯片的第二表面。本发明也揭示上述电子元件封装体的制造方法。
-
公开(公告)号：CN103858227A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049911.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 弗利普芯片国际有限公司
Inventor： 克拉克·戴维 , 西奥多·G·特斯耶尔
CPC classification number: H01L23/552 , H01L24/93 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/93 , H01L2924/01029 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H01L2224/11 , H01L2224/27
Abstract: 根据本发明的一种在集成电路芯片上形成芯片上型RF屏蔽部的方法的一个实施例包括：提供单个化之前的具有前侧和背侧的晶圆级集成电路部件晶圆；在晶圆的背侧上施加树脂金属层；以及将晶圆分离成分立的RF屏蔽部件。在单个化，即，在将晶圆分离成分立的RF屏蔽部件之后，位于背侧上的树脂金属层有效地用作RF屏蔽部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822745A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015652.7
申请日：2011-03-18
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L27/14
CPC classification number: H01L21/76898 , G03F7/0233 , G03F7/0385 , G03F7/0388 , H01L23/295 , H01L23/3171 , H01L23/544 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/1148 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27618 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83121 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92242 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种感光性树脂组合物，其特征在于，包含碱可溶性树脂（A）、光聚合引发剂（B）和最大吸收波长在波长800nm以上2500nm以下范围内的红外线吸收剂（D），波长400nm以上700nm以下的可见光透过率的最大值在5.0％以上。此外，本发明还涉及一种感光性树脂组合物，其特征在于，包含碱可溶性树脂（A）、光生酸剂（C）和最大吸收波长在波长800nm以上2500nm以下范围内的红外线吸收剂（D），波长400nm以上700nm以下的可见光透过率的最大值在5.0％以上。
-
公开(公告)号：CN102687257A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080050769.4
申请日：2010-11-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J4/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/27 , C08F220/30 , H01L21/565 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/27002 , H01L2224/274 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83201 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/92247 , H01L2224/93 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/2809 , Y10T428/31935 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/27 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括：使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对粘接剂层进行B阶化的工序；将半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。
-
公开(公告)号：CN102347288A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010597690.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/24
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81464 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。本发明可提升接合强度。
-
公开(公告)号：CN102157462A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110025048.4
申请日：2011-01-21
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81B7/0051 , B81C2203/0118 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/2732 , H01L2224/27618 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明有关于一种晶片封装体及其制造方法，晶片封装体包括具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部。晶片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的多个晶粒与封装层之间形成多个间隔层，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部，以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆，以形成多个晶片封装体。本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象，从而可有效避免水气及空气进入晶片封装体中，以提升晶片封装体的可靠度、避免元件发生电性不良。
-
公开(公告)号：CN101786594A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010001420.3
申请日：2010-01-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
Inventor： 刘建宏
CPC classification number: B81C1/00325 , B81B2207/092 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C2201/0115 , B81C2203/0118 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L2221/68304 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/11009 , H01L2224/11019 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/29007 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/93 , H01L2924/0001 , H01L2924/01013 , H01L2924/01021 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/10156 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15151 , H01L2924/15788 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.018 seconds)
