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公开(公告)号：CN112542313B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010913133.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及电容器。提供一种能够实现较大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1)具备：导电基板(CS)，具有第一主面(S1)与第二主面(S2)，在第一主面(S1)的一部分的区域设有一个以上的第一凹部(R1)，在第二主面(S2)中的与第一主面(S1)的上述一部分的区域和第一主面(S1)的其他一部分的区域对应的区域设有一个以上的第二凹部(R2)；导电层(20b)，覆盖第一主面(S1)、第二主面(S2)、第一凹部(R1)的侧壁及底面以及第二凹部(R2)的侧壁及底面；电介质层(30)，夹设于导电基板(CS)与导电层(20b)之间；第一内部电极(70a)，设于第一主面(S1)的上述一部分的区域上，并与导电层(20b)电连接；以及第二内部电极(70b)，设于第一主面(S1)的上述其他一部分的区域上，并与导电基板(CS)电连接。
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公开(公告)号：CN112542313A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010913133.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及电容器。提供一种能够实现较大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1)具备：导电基板(CS)，具有第一主面(S1)与第二主面(S2)，在第一主面(S1)的一部分的区域设有一个以上的第一凹部(R1)，在第二主面(S2)中的与第一主面(S1)的上述一部分的区域和第一主面(S1)的其他一部分的区域对应的区域设有一个以上的第二凹部(R2)；导电层(20b)，覆盖第一主面(S1)、第二主面(S2)、第一凹部(R1)的侧壁及底面以及第二凹部(R2)的侧壁及底面；电介质层(30)，夹设于导电基板(CS)与导电层(20b)之间；第一内部电极(70a)，设于第一主面(S1)的上述一部分的区域上，并与导电层(20b)电连接；以及第二内部电极(70b)，设于第一主面(S1)的上述其他一部分的区域上，并与导电基板(CS)电连接。
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公开(公告)号：CN107665820B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710505113.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。提供难以产生针状残留部的蚀刻方法。实施方式的蚀刻方法包括以下步骤：在由半导体形成的表面上形成由贵金属形成的催化剂层(6)，所述催化剂层(6)包含将上述表面至少部分地被覆的第1部分(4)、和位于第1部分(4)上且与上述第1部分(4)相比表观上的密度较小、且较厚的第2部分(5)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻剂(7)，基于上述催化剂层(6)的作为催化剂的作用，对上述表面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100541846C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710166818.0
申请日：2007-10-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/27013 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以防止因接合构件爬到光半导体元件上而产生的短路故障的光半导体器件。在光半导体器件(1A)中，具备：光半导体元件(2)，具有设置在第一主面(M1)上的发光层(2c)、设置在发光层(2c)上且小于第一主面(M1)的第一电极(2e)、及设置在与第一主面(M1)不同的第二主面(M2)上的第二电极(2g)；第一引脚部(4)，具有接合第一电极(2e)的区域中的小于第一主面(M1)的接合区域(R1)、和形成在与接合区域(R1)邻接的外周区域(R2)上的第一槽部(4b)，第一电极(2e)利用接合构件(3)与接合区域(R1)接合，第一引脚部(4)电连接在第一电极(2e)上；以及第二引脚部，利用连接构件电连接在第二电极(2g)上。
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公开(公告)号：CN101165929A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710166818.0
申请日：2007-10-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/27013 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以防止因接合构件爬到光半导体元件上而产生的短路故障的光半导体器件。在光半导体器件(1A)中，具备：光半导体元件(2)，具有设置在第一主面(M1)上的发光层(2c)、设置在发光层(2c)上且小于第一主面(M1)的第一电极(2e)、及设置在与第一主面(M1)不同的第二主面(M2)上的第二电极(2g)；第一引脚部(4)，具有接合第一电极(2e)的区域中的小于第一主面(M1)的接合区域(R1)、和形成在与接合区域(R1)邻接的外周区域(R2)上的第一槽部(4b)，第一电极(2e)利用接合构件(3)与接合区域(R1)接合，第一引脚部(4)电连接在第一电极(2e)上；以及第二引脚部，利用连接构件电连接在第二电极(2g)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951732B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010944761.8
申请日：2020-09-10
IPC: H01L21/607
Abstract: 提供能够抑制被接合部与线之间的接合不良的产生的引线接合装置。实施方式的引线接合装置是通过在使线被按压于被接合部的状态下产生超声波振动，从而使所述线与所述被接合部接合的引线接合装置，具备使线与被接合部接触并施加负载的接合工具、产生超声波振动的超声波变幅杆、连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载的负载传感器、以及控制所述接合工具及所述超声波变幅杆的动作的控制部。所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动之间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析，并基于分析结果，控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
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公开(公告)号：CN110943067B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910221859.8
申请日：2019-03-22
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘层；导电部件，设于所述绝缘层内；芯片，配置于所述绝缘层的第一面上，并连接于所述导电部件；以及电极，经由电阻率比所述导电部件的电阻率高的阻挡层连接于所述导电部件，且至少一部分从所述绝缘层的第二面突出。
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公开(公告)号：CN108695260B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810193446.9
申请日：2018-03-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，半导体装置包含基体、器件层和包含第1膜的膜。上述基体包含第1半导体元件，且具有第1面、第2面和位于上述第1面与上述第2面之间的侧面。上述器件层包含与上述第1半导体元件电连接的第2半导体元件，且被设置于上述基体的第1面上。上述包含第1膜的膜包含第1区域、第2区域及第3区域。在第1方向，上述基体位于上述第1区域与器件层之间。在与上述第1方向交叉的第2方向，上述基体位于上述第2区域与上述第3区域之间。上述第1膜将上述第2面、及上述侧面的凹凸埋入。
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公开(公告)号：CN112951732A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010944761.8
申请日：2020-09-10
IPC: H01L21/607
Abstract: 提供能够抑制被接合部与线之间的接合不良的产生的引线接合装置。实施方式的引线接合装置是通过在使线被按压于被接合部的状态下产生超声波振动，从而使所述线与所述被接合部接合的引线接合装置，具备使线与被接合部接触并施加负载的接合工具、产生超声波振动的超声波变幅杆、连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载的负载传感器、以及控制所述接合工具及所述超声波变幅杆的动作的控制部。所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动之间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析，并基于分析结果，控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
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公开(公告)号：CN111540603B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010082333.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够容易地增大平均设置面积的电容的技术。实施方式的电容器(1)具备：导电基板，具有第1主面、第2主面及从上述第1主面的边缘一直延伸到上述第2主面的边缘为止的端面，在上述第1主面上设置有1个以上的凹部；导电层，将上述第1主面和上述1个以上的凹部的侧壁及底面覆盖；电介质层，夹在上述导电基板与上述导电层之间；第1外部电极(70c)，包括与上述端面对置的第1电极部(70c3)，与上述导电层电连接；及第2外部电极(70d)，包括与上述端面对置的第2电极部(70d3)，与上述导电基板电连接。
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