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公开(公告)号：CN1992359B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN101569069A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001217.7
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2223 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3072 , H01S5/3077 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。
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公开(公告)号：CN100340038C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410068435.6
申请日：2004-05-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/18311 , H01S5/305 , H01S5/343 , H01S2301/166
Abstract: 一种平面发射型半导体激光器件，包括：在n型GaAs台面式衬底上的、下反射层、下覆盖层、活性层、上覆盖层、上反射层，以及p型接触层的叠层结构。台面式衬底包括：圆形(100)晶面的上层部分、台面部分以及围绕上层部分的环形(100)晶面的下层部分，其中在上层部分和下层部分之间具有台面部分。当在台面式衬底上生长作为电流限制层的AlAs层时，使得上层部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度比台面部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度高，从而使上层部分的上侧上的AlAs层的氧化过程受到自主抑制。通过AlAs层的氧化反应的时间控制，可以将上层部分的上侧上的圆形AlAs层维持在具有精确形状和精确面积的未氧化状态。
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公开(公告)号：CN1964145A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610136631.1
申请日：2004-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。
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公开(公告)号：CN1705843A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101837.5
申请日：2003-10-15
IPC: F16K27/00
CPC classification number: F16K31/0655 , F16K27/003 , Y10T137/87885
Abstract: 提供一种携带气体没有紊流部分，使流到该携带气体内的工艺气体不扩散的集成气阀。集成气阀(1)构成如下：由致动器(31)使阀体(33)相对阀座(34)抵接·离开并进行阀孔(35)和阀室(36)的连通·遮断的开闭阀(30)，具有在途中与阀孔(35)分叉地贯通阀主体(12)而形成的第1流路(26)、以及从入口连通阀室并形成在阀主体(12)上的第2流路(29)，通过将多个这种开闭阀连设成一列，构成上述第1流路彼此直接或通过连接流路(27)串连连接成的主流路(23)，各个开闭阀的第2流路(29)通过阀室(36)和阀孔(35)而相对这种主流路(23)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101656210B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910167372.2
申请日：2009-08-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/308 , H01S5/227 , H01S5/323 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01L33/00 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θU的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θD(其中θD≠θU)的等腰梯形。
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公开(公告)号：CN100339629C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200380101837.5
申请日：2003-10-15
IPC: F16K27/00
CPC classification number: F16K31/0655 , F16K27/003 , Y10T137/87885
Abstract: 提供一种携带气体没有紊流部分，使流到该携带气体内的工艺气体不扩散的集成气阀。集成气阀(1)构成如下：由致动器(31)使阀体(33)相对阀座(34)抵接或离开并进行阀孔(35)和阀室(36)的连通或遮断的开闭阀(30)，具有在途中与阀孔(35)分叉地贯通阀主体(12)而形成的第1流路(26)、以及从入口连通阀室并形成在阀主体(12)上的第2流路(29)，通过将多个这种开闭阀连设成一列，构成上述第1流路彼此直接或通过连接流路(27)串连连接成的主流路(23)，各个开闭阀的第2流路(29)通过阀室(36)和阀孔(35)而相对这种主流路(23)连接。
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公开(公告)号：CN1822406A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008643.6
申请日：2006-02-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3235 , H01S5/343
Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1－xInxNyAs1－y－zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。
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公开(公告)号：CN1670917A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055793.8
申请日：2005-03-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L31/1035 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L33/0062 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制造化合物半导体以及制造半导体器件的方法，该半导体包括衬底和相对于该衬底的晶格失配比为2％或更多的化合物半导体层，该制造半导体的方法包括：在所述衬底上形成缓冲层的第一外延生长步骤，该缓冲层在厚度方向上具有预定分布的晶格失配比来减小应变；和在缓冲层上形成化合物半导体层的第二外延生长步骤。第一外延生长步骤在600℃或更低的温度下通过金属有机化学气相沉积来进行。
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公开(公告)号：CN1592011A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410085503.X
申请日：2004-05-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。
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