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公开(公告)号：CN113823611B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110425117.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/60
Abstract: 本发明的半导体装置包括：半导体模块，其具有板状的半导体元件、电连接到半导体元件的一个面上的导体、一个面热连接并且电连接到半导体元件的另一个面上的散热板、密封半导体元件、导体和散热板的树脂构件、以及热连接到散热板的从树脂构件露出的另一个面的绝缘散热构件；与绝缘散热构件热连接的散热器；以及电场抑制板，该电场抑制板具有覆盖半导体元件的一个面并与其隔开间隔地相对并被树脂构件密封的板状的覆盖部分、和从覆盖部分延伸到散热器侧并与散热器热连接且电连接的连接部分。
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公开(公告)号：CN113330556B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201980088933.1
申请日：2019-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：内侧框架(7)，围住半导体芯片(11)的外周；以及外侧框架(2)，围住内侧框架(7)的外周，由将内侧框架(7)的外周围住的外壁(3)和缠绕于外壁(3)的外周的纤维状的加强构件(4)构成外侧框架(2)，从而防止构成半导体装置的部件的碎片向半导体装置外部飞散，不仅实现系统整体的可靠性的提高，而且实现半导体装置的小型化。
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公开(公告)号：CN103250243A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180058644.0
申请日：2011-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/072 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于得到一种散热性提高、并且绝缘性提高的半导体装置。具备半导体元件（1a）、与半导体元件（1a）连接的引线框架（4a）、隔着第1绝缘层（5）配置于引线框架（4a）的金属基体板（6）、以及在金属基体板（6）中的与配置了第1绝缘层（5）的面相反的一侧设置的第2绝缘层（7），第1绝缘层（5）是散热性比第2绝缘层（7）高的绝缘层，第2绝缘层（7）是其绝缘性与第1绝缘层（5）的绝缘性相同或者比第1绝缘层（5）的绝缘性高的绝缘层。
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公开(公告)号：CN102668334A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052673.1
申请日：2010-12-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02K3/34
CPC classification number: H02K3/325 , H02K15/095 , H02K15/12
Abstract: 本发明的旋转电机具有按规定个数将多个定子分割体呈环状接合而成的定子，该多个定子分割体在按极齿单位在圆周方向受到分割的、层叠电磁钢板而成的定子段上分别卷装电线而形成有绕组；其中：电线具有第一绝缘被覆，上述多个定子分割体中的、相互邻接的定子分割体的绕组以各最外层电线部相对，形成上述各最外层电线部的至少任一方的上述电线的规定部位由设于上述第一绝缘被覆上的第二绝缘被覆覆盖，第二绝缘被覆覆盖上述相对的一侧的面。
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公开(公告)号：CN113299612B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110160721.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明通过使半导体装置的耐压保持区域部的电场强度分布平坦化来抑制局部放电和沿面放电。在从半导体基板(1)上的有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)的耐压保持区域部(A2)中设有保护膜(15)的半导体装置(100)中，利用介电常数在膜内变化的电介质来构成保护膜(15)。在从有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)为止的耐压保持区域部(A2)中，当未设置保护膜(15)的情况下的电场强度具有第一倾斜分布时，通过对保护膜(15)的介电常数进行调整以使得保护膜(15)的介电常数具有与第一倾斜分布相同的倾向的第二倾斜分布，从而能使耐压保持区域部(A2)整个区域中的电场强度分布平坦化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114127920A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201980098637.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(10)具备半导体模块部(1)、绝缘树脂层(2)、框材(3)以及散热器(4)。绝缘树脂层(2)与半导体模块部(1)接合、并且包含第1树脂。框材(3)以包围绝缘树脂层(2)的方式配置、并且包含多孔体。散热器(4)与半导体模块部(1)夹着绝缘树脂层(2)以及框材(3)。框材(3)以被半导体模块部(1)以及散热器(4)夹着的状态被压缩。绝缘树脂层(2)填充于由半导体模块部(1)、散热器(4)以及框材(3)包围的区域。第1树脂进入到多孔体的细孔。
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公开(公告)号：CN113299612A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110160721.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明通过使半导体装置的耐压保持区域部的电场强度分布平坦化来抑制局部放电和沿面放电。在从半导体基板(1)上的有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)的耐压保持区域部(A2)中设有保护膜(15)的半导体装置(100)中，利用介电常数在膜内变化的电介质来构成保护膜(15)。在从有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)为止的耐压保持区域部(A2)中，当未设置保护膜(15)的情况下的电场强度具有第一倾斜分布时，通过对保护膜(15)的介电常数进行调整以使得保护膜(15)的介电常数具有与第一倾斜分布相同的倾向的第二倾斜分布，从而能使耐压保持区域部(A2)整个区域中的电场强度分布平坦化。
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公开(公告)号：CN102668334B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080052673.1
申请日：2010-12-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02K3/34
CPC classification number: H02K3/325 , H02K15/095 , H02K15/12
Abstract: 本发明的旋转电机具有按规定个数将多个定子分割体呈环状接合而成的定子，该多个定子分割体在按极齿单位在圆周方向受到分割的、层叠电磁钢板而成的定子段上分别卷装电线而形成有绕组；其中：电线具有第一绝缘被覆，上述多个定子分割体中的、相互邻接的定子分割体的绕组以各最外层电线部相对，形成上述各最外层电线部的至少任一方的上述电线的规定部位由设于上述第一绝缘被覆上的第二绝缘被覆覆盖，第二绝缘被覆覆盖上述相对的一侧的面。
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公开(公告)号：CN104798194A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060012.7
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3737 , H01L23/08 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/482 , H01L23/495 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/564 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/2929 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
Abstract: 得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备：半导体元件(2)；引线框(4)，半导体元件(2)与该引线框的一个面接合；第1绝缘层(5)，配置于引线框(4)的另一个面；以及金属基体板(6)，隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接，其中，所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。
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公开(公告)号：CN119256395A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202280096421.1
申请日：2022-06-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/34
Abstract: 本公开的一个方案所涉及的半导体装置具备：半导体封装，对散热器、设置于散热器的一个面上的半导体芯片以及与半导体芯片电连接的电极端子进行树脂密封，具有散热器的另一个面从密封树脂露出的底面，电极端子从侧面以及上表面的至少1个面突出；绝缘片材，配设于半导体封装的底面；以及吸热器，具有容纳半导体封装的底面的凹部，凹部的深度比绝缘片材的厚度深，凹部的底面和半导体封装的底面隔着绝缘片材接合，在凹部内支撑半导体封装。由此，能够提供在防止半导体封装、绝缘片材以及吸热器的接合部的偏移、剥离的同时抑制散热性降低的半导体装置。
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