公开(公告)号：CN105247666B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201480029861.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次 ,  荒木健

IPC: H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  B23K35/14

CPC classification number: H01L24/49 ,  B23K20/004 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  H01L23/49 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/4501 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。

公开(公告)号：CN103703560B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280036035.X

申请日：2012-07-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大津健嗣 ,  楠卓 ,  荒木健 ,  巽裕章

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 以得到即使进行高温工作的情况下也能够长时间维持与半导体元件的接合的半导体装置为目的，具备：电路基板，在绝缘基板（21）的一个面设置了由铜材料构成的电极（22、23、26）；以及功率半导体元件（1），使用烧结银粒子接合材料（4P）接合到电极，其中，电极的从与功率半导体元件（1）的接合面（PB）至朝向绝缘基板（21）的50μm深度为止的部分（23、26P）具有维氏硬度70HV以上的硬度，且绝缘基板（21）侧的部分（22、26B）的维氏硬度为50HV以下。

公开(公告)号：CN105359241A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480036256.6

申请日：2014-06-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 见持贵之 ,  中野善和 ,  荒木健

IPC: H01H11/04 ,  B22F9/08 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  H01H1/023 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C5/06 ,  B22F2003/208 ,  B22F2009/0892 ,  C22C1/1042 ,  C22C32/0021 ,  C22C2001/1052 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01B1/02 ,  H01H1/0237 ,  H01H1/02372 ,  H01H11/048 ,  H01H2001/02378

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够增大氧化物的量、以及以低成本进行制造、且作为电触点的性能及加工性优异的电触点材料及其制造方法。本发明是一种电触点材料的制造方法，其特征在于，包含：一边向熔融Ag喷射含有除了Ag以外的金属的氧化物粒子在内的气体，一边进行微粒化并迅速冷却凝固，得到该氧化物粒子微细地分散的合金粉末的工序，且该工序将该氧化物粒子的平均粒径控制为大于或等于500nm而小于或等于5μm，以及将该气体中的氧化物粒子相对于该气体中的该氧化物粒子和该熔融Ag的合计质量的质量比例控制为大于或等于10质量％而小于或等于30质量％；以及对该合金粉末进行热挤出加工的工序。

公开(公告)号：CN105247666A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480029861.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次 ,  荒木健

IPC: H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  B23K35/14

CPC classification number: H01L24/49 ,  B23K20/004 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  H01L23/49 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/4501 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。

公开(公告)号：CN101595246B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680056811.7

申请日：2006-12-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中野善和 ,  荒木健 ,  竹井夛贺子 ,  久保一树

IPC: C23C26/00

CPC classification number: C23C26/00 ,  F27D99/0006

Abstract: 一种在放电表面处理中使用的放电表面处理用电极的制造方法，在该放电表面处理中，在具有导电性的电极和被加工物之间产生脉冲状的放电，利用该脉冲状的放电能在被加工物表面上形成由电极材料或电极材料利用放电能发生反应得到的物质构成的覆盖膜。该制造方法包括：对由金属粉末和绝缘性粉末中的至少一种构成的第1电极用材料与由把导电性树脂溶解或分散到溶剂中得到的导电性有机结合材料构成的第2电极用材料进行混炼，制作浆液的混炼工序；使上述浆液成形而形成成形体的成形工序；以及在上述导电性有机结合材料开始热分解的热分解开始温度以下的温度下，使上述成形体干燥的干燥工序。