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公开(公告)号：CN105931966A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610287852.2
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：一、在衬底上形成源极、栅极、漏极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、在步骤二上生长石墨烯。本发明是先制作石墨烯器件工艺中所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。
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公开(公告)号：CN105762183A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610325166.X
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/772 , H01L21/28 , H01L29/0607 , H01L29/402 , H01L29/66409 , H01L29/66856
Abstract: 本发明公开了一种具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，涉及半导体器件制备领域。晶体管从下至上依次为衬底、成核层、GaN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分单调变化的AlxGa1?xN层、组分固定的AlyGa1?yN层，其中，y≥x，在组分固定的AlyGa1?yN层上沉积欧姆接触金属并进行高温合金形成源金属电极和漏金属电极，在组分固定的AlyGa1?yN层上沉积肖特基接触金属并进行高温合金形成栅金属电极，源金属电极与栅金属电极之间以及栅金属电极与漏金属电极之间沉积钝化层，在钝化层上沉积金属场板。具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管中电子气呈准三维分布，器件线性度高，其具有的场板结构可以降低栅极边缘的电场峰值，提升器件沟道电场分布均匀性，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118053738A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410054141.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
Abstract: 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化硅衬底的表面生成氧化镓缓冲层；对反应室抽真空并更换为氢气气氛，并升温至第二预设温度，对氧化镓缓冲层进行第二预设时长的原位退火；对反应室抽真空，并将反应室环境更换至载气为第二载气、Ga源为第二Ga源、氧源为氧气，进行第三预设时长的外延生长，以在氧化镓缓冲层的表面生成氧化镓外延层。本申请能够获得大尺寸高质量的碳化硅基氧化镓外延片，并提高外延片的散热性能。
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公开(公告)号：CN110335898A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910717855.9
申请日：2019-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述插入层的形成材料包括：B(Al,Ga,In)N；所述势垒层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，且所述势垒层的禁带宽度小于所述插入层的禁带宽度。其中B(Al,Ga,In)N材质的插入层具有大的禁带宽度，能够提高势垒层和沟道层的有效导带带阶，形成更深而窄的量子阱来贮存二维电子气(2DEG)，二维电子气域性更好，从而有效改善了GaN基异质结场效应晶体管性能。
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公开(公告)号：CN109887838A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811475672.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/223 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所述三甲基铟。本发明通过在停止通入所述铁元素时通入三甲基铟，降低表面Fe元素的残留，加速残余Fe元素的解析，从而降低生长Fe掺杂GaN材料时关闭Fe源后GaN材料中的拖尾现象，减小关闭Fe源后Fe元素进入GaN沟道的风险，提高氮化镓器件的击穿电压，提高氮化镓器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106130501B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610608482.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
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公开(公告)号：CN107644813A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710826751.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓外延片的钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓外延层；在所述氮化镓外延层上生长势垒层；在所述势垒层上沉积铝原子；将所述氮化镓外延片暴露在空气中，以使得所述氮化镓外延片在空气中氧化形成氧化层作为钝化层。本发明能够改善材料的表面态，有效地抑制电流崩塌现象，并且钝化保护层通过在空气中自然氧化生成，不需要额外的设备，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN106130501A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610608482.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/54 , H03H2003/023
Abstract: 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。
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公开(公告)号：CN118016709A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410149000.1
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于新型半导体技术领域，具体公开一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法。本发明提供的外延结构，包括由下到上依次层叠的基底、InN层、缓冲层、第一帽层、插入层、势垒层和第二帽层；其中，所述缓冲层为Inx1GaN层、Inx2GaN/GaN超晶格层或Inx3GaN/InN超晶格层中至少一层。本发明通过在基底上外延InN层和特定的缓冲层，可明显的提高HEMT器件的载流子浓度和迁移率，并降低器件的位错密度；特定的外延结构减少了异质界面的缺陷，提高了外延层的质量，使制备的器件具有优异的性能，还在一定程度上简化了生长工艺，降低了成本。
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公开(公告)号：CN116313795A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310080421.9
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/205 , H01L21/8252
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基场效应管外延方法，本发明通过将衬底置于特定温度和压力的生长反应室内，通入镓源和氨气，在衬底上生长第一GaN外延层，改变反应室的温度和压力，通入镓源、氨气和铝源，在第一GaN外延层上生长AlGaN外延层，再次改变反应室的温度和压力，通入镓源和氨气，在AlGaN外延层上生长第二GaN外延层，再次改变反应室的温度和压力，通入镓源、镓源和氨气，在第二GaN外延层上生长第三GaN外延层，其中，AlGaN外延层和第二GaN外延层之间发生自发极化反应，在两层之间产生二维空穴气体，从而能够使得GaN基场效应管与GaN基高电子迁移率晶体管互补，实现单片集成。
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