公开(公告)号：CN103155152B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180049802.6

申请日：2011-03-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种具有降低表面电场结构的纵型半导体装置，且提供了抑制附着有外部电荷时的耐压的降低的技术。本说明书所公开的纵型半导体装置具备单元区域、和配置于所述单元区域的外侧的非单元区域。该纵型半导体装置在所述非单元区域的至少一部分区域内具有扩散层。在所述扩散层中，当俯视观察所述纵型半导体装置时，距所述单元区域较近的一侧的端部处的杂质面密度，高于满足RESURF条件的杂质面密度；且距所述单元区域较远的一侧的端部处的杂质面密度，低于满足RESURF条件的杂质面密度。在该扩散层中，当俯视观察所述纵型半导体装置时，与杂质面密度低于满足RESURF条件的杂质面密度的区域中的、杂质面密度的平均梯度相比，杂质面密度高于满足RESURF条件的杂质面密度的区域中的、杂质面密度的平均梯度较大。

公开(公告)号：CN103582936A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201180071452.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  山葺伦央

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/221 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其能够以较高的定位精度在预定范围内形成寿命控制区。在半导体装置（1）中，在同一半导体基板上并存有IGBT元件区（J1）和二极管元件区（J2）。IGBT元件区（J1）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的体层（30）。二极管元件区（J2）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的阳极层（31）。二极管元件区（J2）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度，与IGBT元件区（J1）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度相比较高。

公开(公告)号：CN101911294B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200980101924.8

申请日：2009-01-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种形成在半导体装置的表面上的保护层。所述表面位于连接到所述半导体装置的焊盘上的电线的延长部被牵引到的一侧上。所述保护层被形成为使得其高度朝所述焊盘减小。

公开(公告)号：CN101868851B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880116485.3

申请日：2008-10-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31654 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明的半导体装置(2)中，连接并固定导电线(14)的垫板(12)，沿着导电线(14)的长度方向，倾斜形成于位于垫板(12)周围的半导体装置(2)的表面。因此，能够使垫板(12)投影于半导体装置(2)的表面上的长度，小于沿着垫板(12)的表面方向的长度。由此，能够缩小垫板区(10)的面积，从而能够扩大可制造半导体结构的有效面积、即活性区(8)的面积。

公开(公告)号：CN101946325B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200980105782.2

申请日：2009-02-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66333 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 在非有效区(32)的至少一部分中未形成有集电区(44)，在非有效区(32)中绝缘膜(64)形成在IGBT(2)的正面上。在未形成有集电区(44)的该部分中，集电极(42)和缓冲层(45)彼此接触。由于缓冲层(45)和集电区(44)的导电类型彼此不同，没有电荷从集电极(42)进入缓冲层(45)。从而，抑制了电荷进入在非有效区(32)中的部分处的漂移区(46)，这缓解了在半导体基板(4)中的电场集中。另外，在IGBT(2)中，半导体基板(4)和集电极(42)彼此接触，并且即使在未形成有集电区(44)的范围内的也不阻碍到集电极(42)的传热。因此，缓解了在半导体基板(4)中的发热的集中。

公开(公告)号：CN101868851A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880116485.3

申请日：2008-10-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31654 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明的半导体装置(2)中，连接并固定导电线(14)的垫板(12)，沿着导电线(14)的长度方向，倾斜形成于位于垫板(12)周围的半导体装置(2)的表面。因此，能够使垫板(12)投影于半导体装置(2)的表面上的长度，小于沿着垫板(12)的表面方向的长度。由此，能够缩小垫板区(10)的面积，从而能够扩大可制造半导体结构的有效面积、即活性区(8)的面积。

公开(公告)号：CN105702718B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。

公开(公告)号：CN108604605A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080352.X

申请日：2016-12-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杮本规行 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H02M7/48

Abstract: 二极管具有：第一导电型的势垒区(76a)，形成于漂移区(74a)与第二杂质区(77a)之间，杂质浓度比漂移区高；及第二导电型的电场扩展防止区(75a)，形成于势垒区与漂移区之间。另外，二极管具有沟槽栅极，该沟槽栅极从半导体基板的第二主面贯穿第二杂质区以及势垒区而形成至电场扩展防止区，且具有用于施加栅极电压的沟槽电极。并且，作为栅极电压，向栅电极施加与第二电极的电位差的绝对值被设为寄生晶体管的阈值电压以上的寄生栅极电压，所述寄生晶体管由第二杂质区、势垒区和电场扩展防止区形成。

公开(公告)号：CN108470732A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810150243.1

申请日：2018-02-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L27/02 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明提供半导体装置，抑制感测二极管的恢复电流。半导体装置具有：半导体基板；上部主电极，配置在所述半导体基板的上部；感测阳极电极，配置在所述半导体基板的上部；电阻层，配置在所述半导体基板的上部且具有比所述感测阳极电极高的电阻率；及下部主电极，配置在所述半导体基板的下部。所述半导体基板具有开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上部主电极与所述下部主电极之间。所述感测二极管具有经由所述电阻层而与所述感测阳极电极连接的p型的第一阳极区和与所述下部主电极连接的n型的第一阴极区。

公开(公告)号：CN104170090B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280068176.X

申请日：2012-03-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本说明书所公开的半导体装置具备半导体基板、和形成于半导体基板的非单元区域的表面的场板部。非单元区域具备多个FLR层。场板部具备：形成在半导体基板的表面的绝缘膜；多个第1导电膜，所述多个第1导电膜在绝缘膜的内部按每个FLR层形成，当俯视半导体基板时沿着对应的FLR层配置；和多个第2导电膜，所述多个第2导电膜与邻接的至少2个FLR层分别对应形成，当俯视半导体基板时，所述多个第2导电膜沿着对应的FLR层在该对应的FLR层的一部分上断续地配置，所述多个第2导电膜具备形成在绝缘膜的表面的表面部、从表面部延伸并贯穿绝缘膜来与第1导电膜电连接的第1连接部、和从表面部延伸并贯穿绝缘膜而与FLR层电连接的第2连接部。在1个第2导电膜的第1连接部、第2连接部沿第2方向邻接的位置没有设置其他第2导电膜的第1连接部、第2连接部。