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公开(公告)号：CN103237590A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058042.5
申请日：2011-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M8/1007 , B01D53/32 , B01D2257/406 , B01D2258/0216 , H01M4/8885 , H01M8/004 , H01M8/0232 , H01M8/0245 , H01M8/0247 , H01M8/0637 , H01M8/086 , H01M8/1006 , H01M8/124 , H01M8/222 , H01M2008/1095 , H01M2008/1293 , H01M2008/147 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02E60/526 , Y02E60/566 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供了一种气体分解组件，其中采用了使用固体电解质的电化学反应以降低运行成本并且提供高处理性能，本发明还提供了气体分解组件的制造方法以及发电装置。气体分解组件(10)包括：筒状体MEA(7)，其包括布置于内表面侧的第一电极(2)、布置于外表面侧的第二电极(5)、以及夹在第一电极与第二电极之间的固体电解质(1)；以及多孔金属体(11s)，其插入在筒状体MEA内表面侧，并且与第一电极电连接，其中，本气体分解组件进一步包括形成于第一电极内周面的多孔导电膏涂布层(11g)、以及布置于导电膏涂布层内周侧的金属网片(11a)，并且通过该导电膏涂布层和该金属网片在第一电极与多孔金属体之间建立电连接。
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公开(公告)号：CN101499416A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009927.0
申请日：2009-01-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/30 , H01L33/00 , H01S5/00
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供了一种生长III－V族化合物半导体的方法以及制造发光器件和电子器件的方法，其中降低了危险并能够在低温下有效地供应氮。所述生长III－V族化合物半导体的方法包括下列步骤。首先，准备含选自一甲胺和一乙胺中的至少一种物质的气体以作为氮原料。然后，使用该气体通过气相生长来生长III－V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101388330A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810160808.0
申请日：2008-09-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/687 , H01L21/20 , H01L33/00 , C30B25/12 , C30B25/10 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。
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公开(公告)号：CN102933294B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180028267.6
申请日：2011-06-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M8/122 , B01D53/326 , B01D2255/104 , B01D2255/20707 , B01D2255/20738 , B01D2255/20753 , B01D2257/404 , B01D2257/406 , B01D2257/708 , B01D2258/0216 , C25B1/00 , C25B9/00 , H01M8/0258 , H01M8/0267 , H01M8/1213 , H01M8/1231 , H01M8/241 , Y02E60/521 , Y02E60/525
Abstract: 本发明提供了一种采用电化学反应并且可以具有高处理性能的气体分解组件，尤其是氨分解组件。气体分解组件包括：MEA（7），其包括固体电解质（1）以及布置成将固体电解质夹于中间的阳极（2）和阴极（5）；Celmet（11s），其电连接至阳极（2）；加热器（41），其加热MEA；以及，将含有气体的气态流体引入MEA的入口（17）、将已经过MEA的气态流体排出的出口（19）、以及在入口与出口之间延伸的通道（P）。其中，Celmet（11s）沿通道（P）断续布置，以及，相对于通道的中间位置（15），Celmet的布置长度在出口侧大于在入口侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103237590B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180058042.5
申请日：2011-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M8/1007 , B01D53/32 , B01D2257/406 , B01D2258/0216 , H01M4/8885 , H01M8/004 , H01M8/0232 , H01M8/0245 , H01M8/0247 , H01M8/0637 , H01M8/086 , H01M8/1006 , H01M8/124 , H01M8/222 , H01M2008/1095 , H01M2008/1293 , H01M2008/147 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02E60/526 , Y02E60/566 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供了一种气体分解组件，其中采用了使用固体电解质的电化学反应以降低运行成本并且提供高处理性能，本发明还提供了气体分解组件的制造方法以及发电装置。气体分解组件(10)包括：筒状体MEA(7)，其包括布置于内表面侧的第一电极(2)、布置于外表面侧的第二电极(5)、以及夹在第一电极与第二电极之间的固体电解质(1)；以及多孔金属体(11s)，其插入在筒状体MEA内表面侧，并且与第一电极电连接，其中，本气体分解组件进一步包括形成于第一电极内周面的多孔导电膏涂布层(11g)、以及布置于导电膏涂布层内周侧的金属网片(11a)，并且通过该导电膏涂布层和该金属网片在第一电极与多孔金属体之间建立电连接。
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公开(公告)号：CN101083220B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710108828.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中，通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中，对凹陷中暴露的层进行检测。
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公开(公告)号：CN101100743B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710127400.9
申请日：2007-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，并且包括：用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座；和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部的保持表面的该基座是可旋转的，并且沿着反应性气体的流向的该气流道的高度从一个位置到一个位置保持定值，并且从该位置到下游侧是单调递减的。因此能在使得所形成的薄膜具有均匀厚度的同时提高薄膜形成效率。
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公开(公告)号：CN101100743A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127400.9
申请日：2007-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，并且包括：用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座；和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部的保持表面的该基座是可旋转的，并且沿着反应性气体的流向的该气流道的高度从一个位置到一个位置保持定值，并且从该位置到下游侧是单调递减的。因此能在使得所形成的薄膜具有均匀厚度的同时提高薄膜形成效率。
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公开(公告)号：CN101092690A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112134.2
申请日：2007-06-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 创研工业株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 一种金属有机汽化和供给设备，包括：用于保留金属有机材料的贮留容器；连接至贮留容器的起泡气体供给通路，用于将起泡气体供给金属有机材料；连接至贮留容器的金属有机气体供给通路，用于将在贮留容器中产生的金属有机气体和稀释气体供给沉积室；连接至所述金属有机气体供给通路的稀释气体供给通路，用于将稀释气体供给金属有机气体供给通路；提供在起泡气体供给通路中的流速调节器，用于调节起泡气体的流速；用于调节稀释气体的压力的压力调节器；和音速喷嘴，设置在金属有机气体供给通路和稀释气体供给通路之间的连接位置的下游侧上的金属有机气体供给通路中。
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