公开(公告)号：CN1977366A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm－3。

公开(公告)号：CN105789029B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21‑25)和衬底(2)。半导体层(21‑25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21‑25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN102812537B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201080065662.7

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

公开(公告)号：CN102812537A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201080065662.7

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

公开(公告)号：CN102471929A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002884.9

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  宫崎富仁

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L29/24

Abstract: 第一圆形表面(11)包含具有第一形状的第一凹口部(N1a)。第二圆形表面(21)与所述第一圆形表面对向且包含具有第二形状的第二凹口部(N2a)。侧面(31)将所述第一圆形表面(11)与所述第二圆形表面(21)彼此连接。所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此对向。所述侧面(31)具有将所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此连接的第一凹陷部(Da)。

公开(公告)号：CN1934671B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200580009107.1

申请日：2005-03-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  宫崎富仁 ,  服部哲也 ,  今井贵浩

IPC: H01J9/02 ,  B82B3/00 ,  G01N13/16 ,  H01J1/304

CPC classification number: B81C1/00111 ,  H01J9/025 ,  H01J2329/0415 ,  H01J2329/0447 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供一种碳系材料突起构造的形成方法。该碳系材料突起构造的形成方法包括：在金刚石基板(10)上涂布抗蚀剂(11)的工序；在该涂布好的抗蚀剂(11)上依照规定的配置规则开设孔(12)，以使该孔(12)的壁(12b)从开口部(12a)朝向里侧形成倒锥形的方式加工的工序；从开口部(12a)侧开始蒸镀掩模材料，在孔(12)的内部形成掩模蒸镀物(14)的工序；将蒸镀于抗蚀剂(11)上的掩模材料(13)与抗蚀剂(11)一起提离的工序；将掩模蒸镀物(14)作为掩模而蚀刻金刚石基板(10)，形成碳系材料突起的工序。

公开(公告)号：CN102119443B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980131020.X

申请日：2009-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4)，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。

公开(公告)号：CN102959690A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029016.X

申请日：2011-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  盐见弘 ,  玉祖秀人 ,  增田健良

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种用于制造SiC半导体器件的方法，该方法包括：在SiC衬底（1）的表面上形成氧化物膜（3）的步骤（步骤S3）；以及去除该氧化物膜（3）的步骤（步骤S5）。在用于形成氧化物膜（3）的步骤（步骤S3）中使用臭氧气体。在用于去除氧化物膜（3）的步骤（步骤S5）中，优选的是使用卤素等离子体或氢等离子体。因此，可以得到一种用于制造SiC半导体器件的方法和一种用于制造SiC半导体器件的装置，其在提高清洁效果的同时，可以减少与化学溶液相关的问题。

公开(公告)号：CN102576671A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201180004217.4

申请日：2011-04-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/049 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种用于SiC半导体的清洗方法，其包括在SiC半导体(1)的前表面上形成氧化物膜(3)的步骤(步骤(S2))，以及移除氧化物膜(3)的步骤(步骤(S3))。在形成氧化物膜(3)的步骤中使用氧等离子体。可以在移除氧化物膜(3)的步骤(步骤(S3))中使用氟化氢。从而能够实现SiC半导体(1)上的清洗效果。

公开(公告)号：CN102549723A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201180004060.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  宫崎富仁 ,  日吉透 ,  伊藤里美 ,  盐见弘

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明公开了一种SiC半导体(2)的清洗方法，包括：在SiC半导体(2)的表面(2a)处形成氧化膜的步骤；和去除该氧化膜的步骤。在形成氧化膜的步骤，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。形成步骤优选地包括加热SiC半导体(2)的表面(2a)和臭氧水中的至少一个。因而，可以得到能够表现出对SiC半导体(2)的清洗效果的SiC半导体的清洗方法。