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公开(公告)号：CN101916803A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010243743.3
申请日：2006-04-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
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公开(公告)号：CN1248322C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03160266.5
申请日：2003-06-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/105
Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。
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公开(公告)号：CN1612370A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410090081.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(AlyGa1－y)zIn1－zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1160937A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN96108527.4
申请日：1996-07-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件包括：第一导电型的化合物半导体衬底；在此衬底上形成的多层结构，它至少包括发光用的活性层，活性层插在第一导电类型的下覆盖层和第二导电型的上覆盖层之间；在多层结构上形成的第二导电类型的中间层；以及在中间层上形成的第二导电类型的电流扩散层。中间层可减少上覆盖层和电流扩散层之间的至少一个晶格错位，和减少结形成前在上覆盖层和电流扩散层之间显示的能带图中导带底和/或价带顶能级的差。
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公开(公告)号：CN104364917B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380031117.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0033
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮
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公开(公告)号：CN101330121B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810125316.8
申请日：2008-06-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。
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公开(公告)号：CN101330121A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810125316.8
申请日：2008-06-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。
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