公开(公告)号：CN111670265A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201980011102.4

申请日：2019-01-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达莫达尔·拉贾拉姆·尚巴格 ,  纳格拉杰·尚卡尔

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  F16K27/00

Abstract: 多种实施方案包含将前体气体供应至处理工具的设备。在多种示例中，设备包含使用点(POU)阀歧管，POU阀歧管包含耦合至处理工具的处理室的歧管体。歧管体具有由环状部围绕的多个前体气体出口端口。歧管体的清扫气体出口端口实质上朝向环状部的内壁。针对多种前体气体中的每一种，POU阀歧管还包含耦合至歧管体的第一阀以及耦合至第一阀的转向阀。第一阀可耦合至前体气体供应部且具有在歧管体内部的独立的前体气体流动路径。转向阀在前体气体不由第一阀引导至处理室内时的时间段期间使前体气体转向。其他实施例被公开。

公开(公告)号：CN108133880A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711119934.7

申请日：2017-11-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 梅里哈·哥德·兰维尔 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  卡普·斯里什·雷迪 ,  丹尼斯·M·豪斯曼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/52 ,  C23C22/05 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257

Abstract: 本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4-6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0-3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。

公开(公告)号：CN104851796A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510086588.1

申请日：2015-02-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尚卡尔·斯娃米纳森 ,  阿南德·班尔及 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/045 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明涉及用于保形氮化铝的高增长速率的工艺，具体提供了在半导体衬底上沉积保形氮化铝膜的方法。该方法包括：(a)将衬底暴露于含铝前体；(b)清扫所述含铝前体持续不足以基本上去除气相中的所有的所述含铝前体的时间；(c)将衬底暴露于含氮前体以形成氮化铝；(d)清扫含氮前体；以及(e)重复(a)至(d)。获得提高的增长速率和100％的台阶覆盖率和保形性。

公开(公告)号：CN109791914B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201780060540.0

申请日：2017-09-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡普·瑟里什·雷迪 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  梅里哈·歌德·兰维尔 ,  弗兰克·L·帕斯夸里

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 特征在于介电常数(k)小于约7且密度为至3少约2.5g/cm的介电复合膜沉积在部分制成的半导体器件上，以用作蚀刻停止层。在一实施方案中，复合膜包含选自Al、Si和Ge中的至少两种元素和选自O、N和C中的至少一种元素。在一实施方案中，复合膜包含Al、Si和O。在一实施方案中，将包含暴露的介电层(例如，ULK电介质)和暴露的金属层的衬底与含铝化合物(例如三甲基铝)接触，并且依次与含硅化合物接触。然后用含氧等离子体(例如，在含CO2的气体中形成的等离子体)处理所吸附的化合物，以形成含有Al，Si和O

公开(公告)号：CN112956026A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201980073253.2

申请日：2019-09-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 吴惠荣 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  马克·直司·川口 ,  格伦·古纳万 ,  杰伊·E·厄格洛 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  高里·钱纳·卡玛蒂 ,  凯文·M·麦克劳克林 ,  阿南达·K·巴纳基 ,  杨家岭 ,  约翰·霍昂 ,  亚伦·林恩·罗赞 ,  南森·马塞尔怀特 ,  沈美华 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  迟昊 ,  尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料，同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层，以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。

公开(公告)号：CN112262464A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980039640.4

申请日：2019-06-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达莫达尔·拉贾拉姆·尚巴格 ,  纳格拉杰·尚卡尔

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23C16/455

Abstract: 一种用于衬底处理室的喷头包含：内壁；内充气腔，其位于所述内壁之间；面板，其具有第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反；穿过所述面板的孔，其从所述第一表面延伸到所述第二表面；第一入口，其与所述内充气腔流体地连接；外壁；第一外充气腔，其位于所述内壁与所述外壁之间；第二外充气腔，其位于所述内壁与所述外壁之间；以及冷却剂通道，其：使所述第一外充气腔与所述第二外充气腔流体地连接；设置在所述面板内且在所述第一与第二表面之间；并且与所述孔流体地隔离。所述喷头还包括：第二入口，其与所述第一外充气腔流体地连接。

公开(公告)号：CN110024125A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780072499.9

申请日：2017-11-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 刘龙植 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  巴德里·N·瓦拉达拉简

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548

Abstract: 提供了用于在制造3D NAND结构期间在阶梯结构上沉积封装层以防止氧化物-氧化物界面退化并防止字线穿通的方法和装置。封装层是在将氧化物沉积在阶梯结构上之前沉积在交替的氧化物层和氮化物层的阶梯结构上的含碳保形膜。

公开(公告)号：CN105405760B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201510567857.6

申请日：2015-09-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿南达·K·巴纳基 ,  纳格拉杰·尚卡尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。

公开(公告)号：CN108735675B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201810154686.8

申请日：2018-02-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡普·瑟里什·雷迪 ,  梅里哈·歌德·兰维尔 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  丹尼斯·M·豪斯曼 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  卡西克·希瓦拉马克里斯南 ,  大卫·W·波特

IPC: H01L21/84

Abstract: 氧化硅的选择性沉积。本发明涉及使用原子层蚀刻重置进行选择性沉积。提供了用于通过在半导体衬底上选择性沉积材料而在该衬底上进行沉积的方法。所述衬底具有多种衬底材料，每一种具有对应于在其上所沉积的所述材料的不同核化延迟。具体而言，根据成核延迟差值，与第一衬底材料相关联的成核延迟小于与第二衬底材料相关的成核延迟，其中在所述第一衬底材料上预期进行沉积，而在所述第二衬底材料上预期不进行沉积，所述成核延迟差值随着所述沉积的进行而减小。蚀刻所沉积的所述材料的一部分以重设所述第一衬底材料和所述第二衬底材料之间的成核延迟差值。所述材料进一步在所述衬底上选择性沉积。

公开(公告)号：CN115354302A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210890156.6

申请日：2019-05-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  杰弗里·D·沃马克 ,  梅里哈·歌德·兰维尔 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  潘卡伊·G·拉玛尼 ,  毕峰 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  卡普·瑟里什·雷迪

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。