公开(公告)号：CN1532943A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410030008.9

申请日：2004-03-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  宫永良子 ,  内田正雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种炭化硅半导体器件及其制造方法，在使用炭化硅的半导体器件中，通过提高电极与层间绝缘膜之间的贴紧性来提高可靠性。在本发明的半导体器件中设置有：炭化硅衬底1、n型的高电阻层2、设置在高电阻层2的表面一层的阱区域3、设置在阱区域3内的p+接触区域4、设置在阱区域3中的p+接触区域4的两侧的源极区域5、设置在源极区域5上且由镍构成的第1源电极8、覆盖第1源电极8且由铝构成的第2源电极9、设置在被两个阱区域3夹着的高电阻层2上的栅极绝缘膜6、由铝构成的栅电极10、及覆盖第2源电极9和栅电极10上且由氧化硅膜构成的层间绝缘膜11。由于第2源电极9与层间绝缘膜11的贴紧性比第1源电极8好，因此层间绝缘膜11与源电极难以脱离。

公开(公告)号：CN1152438C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的，而接触层是在活性层上形成的，肖特基电极是在接触层上有选择地形成的，与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成，并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1414605A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02148065.6

申请日：2002-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  宫永良子

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L29/365 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐压高、移动度大的半导体元件。

公开(公告)号：CN101842897B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200880114293.9

申请日：2008-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  川岛良男 ,  宫永良子

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/24 ,  H01L27/1021

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。

公开(公告)号：CN101861649A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116054.7

申请日：2008-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  三河巧 ,  宫永良子 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：形成于第一配线(11)与第二配线(14)的交叉部的导通孔(12)、和电流控制层(13b)被第一电极层(13a)和第二电极层(13c)夹着的电流控制元件(13)，在导通孔(12)内形成有电阻变化元件(15)，第一电极层(13a)以覆盖导通孔(12)的方式配置，电流控制层(13b)以覆盖第一电极层(13a)的方式配置，第二电极层(13c)配置于电流控制层(13b)之上，第二配线的配线层(14a)配置于第二电极层(13c)之上，第二配线(14)具有由电流控制层(13b)、第二电极层(13c)和第二配线的配线层(14a)构成的结构。

公开(公告)号：CN101842897A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114293.9

申请日：2008-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  川岛良男 ,  宫永良子

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/24 ,  H01L27/1021

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。

公开(公告)号：CN101542730A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000421.7

申请日：2008-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  片山幸治 ,  藤井觉 ,  村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  宫永良子 ,  高木刚 ,  岛川一彦

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。

公开(公告)号：CN1802752A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015846.7

申请日：2004-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  高桥邦方 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件。在本发明的半导体元件中，设置在碳化硅基板上的n型碳化硅层，具有从(0001)面朝着〔11－20〕方向切割(offcut)的上面。并且，在沟道区域中，将栅电极和源电极设置成以沿切割(offcut)方向流动的电流为主的样子。在本发明中，在形成栅绝缘膜后，再在含V族元素的环境下进行热处理。这样一来，由于在碳化硅层和栅绝缘膜的界面上，界面能级密度降低，因此切割方向A的电子迁移率比与切割方向A垂直的方向的电子迁移率高。

公开(公告)号：CN1788335A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000359.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  北畠真 ,  山下贤哉 ,  内田正雄 ,  楠本修 ,  宫永良子

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/046

Abstract: 半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。

公开(公告)号：CN1484862A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803417.1

申请日：2002-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，具有存储型SiC－MISFET结构，包括在SiC基板上形成的p型SiC层(10)、n型沟道层(20)、栅极绝缘膜(11)、栅极(12)、n型沟道层(13a、13b)。沟道层(20)具有非掺杂层(22)、和在非掺杂层(22)的下端部附近设置的δ掺杂层(21)。由于在沟道层(20)的深部区域中具有高浓度的δ掺杂层(21)，从而可以使沟道层的表面区域中的电场减弱，提高电流驱动能力。