公开(公告)号：CN102195629B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110043180.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥诘真吾 ,  井腰文智 ,  山际优人 ,  上本康裕 ,  柳原学

IPC: H03K17/72 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H03K17/12 ,  H03K2217/0009

Abstract: 提供一种能够抑制在内部所具有的双向开关元件的散热的交流二线式开关。交流二线式开关(100a)连接于交流电源(101)与负载(102)之间而被使用，包括：双向开关元件(103)，由III氮化物半导体构成，除具有使电流双向流动的构成以外，还使该电流的流动导通或断开，并且与交流电源及负载串联连接，且与交流电源及负载构成闭合电路；全波整流器(104)，对交流电源的电源进行全波整流；电源电路(105)，将全波整流后的电压平滑化后，提供直流电源；第一栅极驱动电路(107)及第二栅极驱动电路(108)，将控制信号输出到双向开关元件；以及控制电路(106)，对第一栅极驱动电路及第二栅极驱动电路进行控制。

公开(公告)号：CN102473647A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031046.X

申请日：2010-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法。氮化物半导体装置具有包括在基板(101)上依次形成的第一氮化物半导体层(104)及第二氮化物半导体层(105)的半导体层层叠体(103)。在半导体层层叠体(103)上选择性形成p型的第三氮化物半导体层(108)，在第三氮化物半导体层(108)上形成有栅电极(109)。在半导体层层叠体(103)上的第三氮化物半导体层(108)的两侧分别形成有第一欧姆电极(106)及第二欧姆电极(107)。第一栅电极(109)与第三氮化物半导体(108)进行肖特基接触。

公开(公告)号：CN102315272A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110159275.6

申请日：2011-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  桥诘真吾 ,  柳原学 ,  井腰文智

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0009

Abstract: 提供一种抑制部件数量增加的双向开关。双向开关中的半导体装置(101)包括：第一电极(109A)、第二电极(109B)、第一栅电极(112A)以及第二栅电极(112B)，在过渡期间，在所述第一电极(109A)的电位比所述第二电极(109B)的电位高的情况下，向第一栅电极(112A)施加比第一阈值电压低的电压，且向所述第二栅电极(112B)施加比第二阈值电压高的电压，相反的情况下，向所述第一栅电极施加比第一阈值电压高的电压，且向所述第二栅电极施加比第二阈值电压低的电压。

公开(公告)号：CN102195502A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050229.2

申请日：2011-03-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井腰文智 ,  山际优人 ,  桥诘真吾 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H02M7/48 ,  H01L25/16 ,  H01L23/58 ,  H01L23/498

CPC classification number: H02P6/14 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03K3/021 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 减少向电流驱动型的半导体装置的栅极的因寄生电感而引起的干扰噪声，使栅极驱动高精度化及稳定化。半导体装置(100)包括电流驱动型的半导体元件(3)、控制半导体元件的栅极驱动电路(11)及连接端子部，半导体元件具有：栅极电极焊盘(1)，形成在氮化物半导体层的层叠体上；欧姆电极焊盘(2)及(5)，连接端子部具有：与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(6)；与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(10)；与欧姆电极焊盘连接的栅极驱动用端子(7)；与栅极电极焊盘连接的栅极端子(8)，栅极驱动电路的输入端子与栅极驱动用端子连接，栅极驱动电路的输出端子与栅极端子连接，将栅极驱动电路的基准电位作为欧姆电极焊盘的电位。

公开(公告)号：CN102148227A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110032851.0

申请日：2011-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  桥诘真吾 ,  井腰文智 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/8124 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够将保护元件的元件面积控制得较小并且能够简化复杂工序地实现电涌抗性较高的半导体装置。该半导体装置具备形成于第1元件区域(106A)上的第1晶体管(111)和包括在第2元件区域(106B)形成的第2晶体管(121)的第1保护元件。第2保护元件欧姆电极(123B)与第1保护元件栅极电极(115)连接，第1保护元件欧姆电极(123A)与第1欧姆电极(113A)连接，第1保护元件栅极电极(115)与第1保护元件欧姆电极(123A)和第2保护元件欧姆电极(123B)的至少一方连接。第2元件区域(106B)的面积小于第1元件区域(106A)。

公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN103219375A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310073522.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN102412292A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110275417.5

申请日：2011-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  柳原学

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明目的在于提供一种常截止型半导体装置，能够降低截止时的漏电流，适用于功率开关元件，具有：衬底(101)；在衬底(101)之上形成的无掺杂GaN层(103)；在无掺杂GaN层(103)之上形成的无掺杂AlGaN层(104)；在无掺杂(GaN)层103或无掺杂AlGaN层(104)之上形成的源极电极(107)以及漏极电极(108)；在无掺杂AlGaN层(104)之上形成的、在源极电极(107)和漏极电极(108)之间配置的p型GaN层(105)；在p型GaN层(105)之上形成的栅极电极(106)；无掺杂GaN层(103)具有包含沟道的有源区(113)和不包含沟道的非有源区(112)；p型GaN层(105)以围绕源极电极(107)的方式而配置。

公开(公告)号：CN102244097A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110162070.3

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。该氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN102195629A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110043180.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥诘真吾 ,  井腰文智 ,  山际优人 ,  上本康裕 ,  柳原学

IPC: H03K17/72 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H03K17/12 ,  H03K2217/0009

Abstract: 提供一种能够抑制在内部所具有的双向开关元件的散热的交流二线式开关。交流二线式开关(100a)连接于交流电源(101)与负载(102)之间而被使用，包括：双向开关元件(103)，由III氮化物半导体构成，除具有使电流双向流动的构成以外，还使该电流的流动导通或断开，并且与交流电源及负载串联连接，且与交流电源及负载构成闭合电路；全波整流器(104)，对交流电源的电源进行全波整流；电源电路(105)，将全波整流后的电压平滑化后，提供直流电源；第一栅极驱动电路(107)及第二栅极驱动电路(108)，将控制信号输出到双向开关元件；以及控制电路(106)，对第一栅极驱动电路及第二栅极驱动电路进行控制。