公开(公告)号：CN103567852B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201310312547.0

申请日：2013-07-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  丸山徹

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10

CPC classification number: B24B37/345 ,  B24B7/228 ,  B24B37/005 ,  Y10T137/7761

Abstract: 一种压力控制装置、具有该压力控制装置的研磨装置及研磨方法，一种压力控制装置，具有：对由流体供给源供给的流体压力进行调整的压力调整阀；对由压力调整阀调整后的压力进行测定的第一压力传感器；配置在第一压力传感器下游侧的第二压力传感器；PID控制部，其生成用于消除压力指令值与由第二压力传感器测定的流体的压力值之差的补正压力指令值；以及调节器控制部，其将压力调整阀的动作控制成使补正压力指令值与由第一压力传感器测定的流体的压力值之差消除。采用本发明，能消除压力传感器的温度漂移等所引起的压力测定值的误差，能高精度调整流体的压力。

公开(公告)号：CN106413990A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580021724.7

申请日：2015-04-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 作川卓 ,  高桥信行 ,  丸山徹

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67253 ,  B24B37/005 ,  B24B37/30 ,  B24B49/08 ,  B24B49/16 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明可简化气囊的校准作业。压力校正用夹具(400)用于校正对设在用于保持晶片(W)并向研磨垫按压的顶环(31)的内部的多个气囊(310-1～310-3)的压力的压力校正用夹具。压力校正用夹具(400)具备：与多个气囊(310)的各个连通的多个第一流路(440-1～440-3)；将多个第一流路(440)合流成一个流路而连接至压力校正用的压力传感器500)的第二流路(450)；及流动控制部(410)，针对多个第一流路(440)中的被选择为压力校正用的与气囊对应的流路，可使流体由气囊(310朝第二流路(450)的方向流通，并且针对被选择的一个流路以外的流路，阻止流体由第二流路(450)朝气囊(310)的方向流动。

公开(公告)号：CN104858785A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510080294.8

申请日：2015-02-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 丸山徹 ,  高桥信行

IPC: B24B53/017 ,  B24B53/095

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/015 ,  B24B49/04 ,  B24B49/14 ,  B24B53/095

Abstract: 本发明提供一种能够通过在监控研磨垫的表面粗糙度，且控制研磨垫的温度的同时进行修饰，来高效地完成用于获得最佳研磨率的研磨垫的表面粗糙度的修整方法及装置。在研磨垫(2)的修饰中，测定由算数平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rq)、粗糙度曲线的最大低点深度(Rv)、粗糙度曲线的最大顶点高度(Rp)及最大高度粗糙度(Rz)这5个指标中至少1个指标所表示的研磨垫的表面粗糙度，对测出的表面粗糙度与预设的目标表面粗糙度进行比较，基于比较结果而对研磨垫(2)进行加热或冷却，由此调整研磨垫(2)的表面温度。

公开(公告)号：CN102117736B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110025552.4

申请日：2007-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  西田弘明 ,  鸟居弘臣 ,  矶部壮一 ,  曾根忠一 ,  小菅隆一 ,  金子浩之 ,  外崎宏 ,  三仓崇夫 ,  小川贵弘 ,  杉田谦一

IPC: H01L21/67 ,  B24B37/34 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/345 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明涉及一种能够提高基板处理工序的生产节拍时间的基板处理装置。作为基板处理装置的研磨装置具有：对半导体晶片(W)进行研磨的多个研磨部(3a、3b)；和搬运晶片(W)的摆动传送装置(7)。摆动传送装置(7)具有：把持晶片(W)的晶片把持机构(112)；使晶片把持机构(112)沿着研磨部(3a)的框体的框架(102)上下移动的上下移动机构(104、106)；以及，以与框架(102)邻接的轴为中心使晶片把持机构(112)转动的转动机构(108、110)。

公开(公告)号：CN101390197B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200780006392.0

申请日：2007-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  西田弘明 ,  鸟居弘臣 ,  矶部壮一 ,  曾根忠一 ,  小菅隆一 ,  金子浩之 ,  外崎宏 ,  三仓崇夫 ,  小川贵弘 ,  杉田谦一

IPC: H01L21/304 ,  B65G49/07 ,  B24B37/04 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/345 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明涉及一种能够提高基板处理工序的生产节拍时间的基板处理装置。作为基板处理装置的研磨装置具有：对半导体晶片(W)进行研磨的多个研磨部(3a、3b)；和搬运晶片(W)的摆动传送装置(7)。摆动传送装置(7)具有：把持晶片(W)的晶片把持机构(112)；使晶片把持机构(112)沿着研磨部(3a)的框体的框架(102)上下移动的上下移动机构(104、106)；以及，以与框架(102)邻接的轴为中心使晶片把持机构(112)转动的转动机构(108、110)。

公开(公告)号：CN101262982A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033457.6

申请日：2006-09-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林卓二 ,  相泽英夫 ,  梅本正雄 ,  曾根忠一 ,  鸟居弘臣 ,  高桥信行 ,  都筑隆

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/16

Abstract: 本发明提供一种抛光台板，其无需很大的力来从抛光台板的上表面移除抛光垫并且因此能相对地易于从其上移除抛光垫。本发明还提供一种具有这种抛光台板的抛光装置。根据本发明的抛光台板(12)包括抛光垫附着在其上面的表面。抛光台板(12)的所述表面包括第一表面(20)以及表面粗糙度与第一表面(20)不同的第二表面(21)的组合。

公开(公告)号：CN110052961B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201910043492.5

申请日：2019-01-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  高桥信行 ,  木下将毅

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 提供一种研磨装置，能够通过对照射到晶片的光量进行调整而进行正确的膜厚测定。研磨装置具备：光源(30)；投光光纤(34)，该投光光纤具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(34a、34b)；以及受光光纤(50)，该受光光纤(50)具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(50a、50b)。投光光纤(34)具有第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第一减光器(70)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第二减光器(72)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)中的至少一个。

公开(公告)号：CN111584354B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010459633.4

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN107186612B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201710142830.1

申请日：2017-03-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  渡边和英 ,  安田穗积 ,  八木裕治 ,  高桥信行 ,  武田晃一

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够提高处理对象物的研磨处理面上的处理精度的研磨装置和研磨方法。提供一种对处理对象物进行研磨处理的方法。该方法具有：一边使尺寸比处理对象物的尺寸小的第一研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第一研磨垫相对运动来进行第一研磨处理的步骤；在第一研磨处理之后、一边使尺寸比处理对象物的尺寸大的第二研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第二研磨垫相对运动来进行第二研磨处理的步骤；以及在进行第一研磨处理之前对处理对象物的研磨处理面的状态进行检测的步骤。

公开(公告)号：CN111584355A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010459673.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。