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公开(公告)号：CN1180257A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN97117998.0
申请日：1997-08-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0655 , H01S5/0658 , H01S5/10 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/327 , H01S2301/18
Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8,该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。
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公开(公告)号：CN100517888C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710103279.6
申请日：1999-09-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 制作在封装件中的导电安装板具有安置绝缘安装板的凹陷部分和突出部分。绝缘安装板在其表面上具有安置连线部分的绝缘板。半导体激光器安置在绝缘安装板和导电安装板上，其n侧电极与绝缘安装板接触，p侧电极与导电安装板接触。产生的热通过导电安装板被辐射，并用绝缘安装板防止n侧电极与p侧电极的短路。在变例中，半导体元件的p侧电极固定到导电安装板，n侧电极从导电安装板突出。
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公开(公告)号：CN100440557C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100376064C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1933203A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1203597C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02800544.9
申请日：2002-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14)，第一包覆层(16)，有源层(20)，第二包覆层(24)，第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B)，第一包覆层(14)，有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构，第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40)，绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面，另外，从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42)，金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。
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公开(公告)号：CN1557042A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN100541815C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN99105611.6
申请日：1999-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L29/045 , H01L33/007 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/32341
Abstract: 半导体器件及其制造方法和所用的衬底，可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2，在台面部分12的相对两侧的位置上，将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11-20)取向表面延伸，并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理，以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。
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公开(公告)号：CN100352042C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410086927.8
申请日：1999-09-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/32341 , H01S5/34313 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2304/12 , H01L2924/00014
Abstract: 制作在封装件中的导电安装板具有安置绝缘安装板的凹陷部分和突出部分。绝缘安装板在其表面上具有安置连线部分的绝缘板。半导体激光器安置在绝缘安装板和导电安装板上，其n侧电极与绝缘安装板接触，p侧电极与导电安装板接触。产生的热通过导电安装板被辐射，并用绝缘安装板防止n侧电极与p侧电极的短路。在变例中，半导体元件的p侧电极固定到导电安装板，n侧电极从导电安装板突出。
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公开(公告)号：CN1933105A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159297.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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