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公开(公告)号：CN1871176A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480008777.7
申请日：2004-04-02
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种微机械的制造方法，其中不需要任何特殊封装技术可除去牺牲层和进行密封。配备有振子(4)的微机械(1)的制造方法包括在振子(4)的可动部周围形成牺牲层的步骤，用涂层膜(8)覆盖牺牲层并制作穿过涂层膜(8)连通牺牲层的通孔(10)的步骤，利用通孔(10)除去牺牲层以在可动部周围形成空间的牺牲层蚀刻步骤，以及蚀刻牺牲层后在压力减小的条件下进行膜沉积以密封通孔(10)的步骤。
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公开(公告)号：CN1268538C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03801273.1
申请日：2003-08-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0076 , H03H9/2463 , H03H9/462 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明提供了一种用于具有高Q值和更高频带的高频过滤器的微型机械。该微型机械(20)包括：设置在衬底(1)上的输出电极(7)；包括第一绝缘薄膜(9)和第二绝缘薄膜(11)的夹层绝缘薄膜，所述第一和第二绝缘薄膜设置在衬底上以覆盖所述输出电极(7)；孔(11a)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)中以到达所述输出电极(7)；以及带状振动器电极(15)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)上，从而横过由所述孔(11a)内部构成的间隔部分(A)的上侧。
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公开(公告)号：CN1884038B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200610093250.X
申请日：2006-06-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。
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公开(公告)号：CN101477983A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910005061.6
申请日：2006-06-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。
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公开(公告)号：CN100447074C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN03821871.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H9/2463 , H03H3/0072
Abstract: 本发明公开一种用于具有高Q值和高频带的高频滤波器的微型机器(20)。在微型机器(20)中包括：设置在基片(4)上的输入电极(7b)、输出电极(7a)和支持电极(7c)；以及带状振动电极(15)，在穿过支持电极(7c)将振动电极(15)的两端部分支撑在输入电极(7b)和基片(4)上的状态下，通过穿过间隙部分(A)将梁(振动部分)16铺设在输出电极(7a)的上部形成振动电极(15)，其中在从端部至梁(16)的整个表面范围上，振动电极(15)的两端部分被完全地固定于所述输入电极(7b)和支持电极(7c)。
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公开(公告)号：CN100402411C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200380105115.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H9/2405 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明公开了一种微机械，用于高频滤波器，其具有高Q值且适用于高频段。微机械(1)包括：输出电极(7)，形成于衬底(5)上；层间绝缘膜(9)，其覆盖衬底(5)且包括开口(9a)，开口的底部是输出电极(7)；和带状谐振器电极(11)，形成于层间绝缘膜(9)以在上面横跨开口(9a)中的空间(A)，而谐振器电极(11)沿开口(9a)的侧壁向开口(9a)凹入。
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公开(公告)号：CN1884038A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093250.X
申请日：2006-06-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微型电机械装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微型电机械装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微型电机械装置(31)连接的配线层(50)。
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公开(公告)号：CN1568284A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN03801273.1
申请日：2003-08-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0076 , H03H9/2463 , H03H9/462 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明提供了一种用于具有高Q值和更高频带的高频过滤器的微型机械。该微型机械(20)包括：设置在衬底(1)上的输出电极(7)；包括第一绝缘薄膜(9)和第二绝缘薄膜(11)的夹层绝缘薄膜，所述第一和第二绝缘薄膜设置在衬底上以覆盖所述输出电极(7)；孔图案(11a)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)中以到达所述输出电极(7)；以及带状振动器电极(15)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)上，从而横过由所述孔图案(11a)内部构成的间隔部分(A)的上侧。
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公开(公告)号：CN1808762B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200610006413.6
申请日：2006-01-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03J3/00 , H03J2200/19
Abstract: 提供一种微振子、半导体装置及通信装置。该微振子可抑制中心频率的偏差，相邻振子元件间的干扰等，共振特性优异。该半导体装置以及该通信装置的带通滤波器使用了上述微振子。上述微振子构成为多个梁型第1振子元件(33)并联，且在相邻的上述第1振子元件(33)间配置有非共振的梁型第2振子元件(34)。
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公开(公告)号：CN100514746C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510003461.5
申请日：2005-10-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H9/02259 , H03H9/02433 , H03H9/2463 , H03H9/462 , H03H9/525 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明提供一种微谐振器，该微谐振器包括设置在基底多个列上的多个谐振器元件。每一个谐振器元件都具有输入电极、输出电极、和在特定方向延伸的膜片，并且每个都通过特定频率的信号。多个谐振器元件包括设置在位于在多个列中每隔一列的第一列上的多个第一谐振器元件，其具有第一相位，及设置在位于多个列中每隔一列但不是第一列的第二列的多个第二谐振器元件，其具有与第一相位相反相位的第二相位。
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