公开(公告)号：CN101054157A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710096509.0

申请日：2007-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 多田正裕 ,  御手洗俊 ,  盛田伸也

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  H03H9/10 ,  H03H9/05 ,  B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H9/1057 ,  H03H9/462 ,  H03H2009/02511

Abstract: 本发明涉及一种电子器械元件，其谋求封壳密封的电子器械元件的高可靠性。其特征在于，具有包含有下部电极(62)、(63)及可动件(35)的电子器械元件主体(64)、以及保持空间(37)而密封电子器械元件主体(64)的外敷膜(38)，在外敷膜(38)与可动件(35)之间设有支柱(52)。

公开(公告)号：CN1871176A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480008777.7

申请日：2004-04-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 多田正裕 ,  木下隆 ,  田中均洋 ,  山口征也 ,  御手洗俊 ,  难波田康治

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007

Abstract: 一种微机械的制造方法，其中不需要任何特殊封装技术可除去牺牲层和进行密封。配备有振子(4)的微机械(1)的制造方法包括在振子(4)的可动部周围形成牺牲层的步骤，用涂层膜(8)覆盖牺牲层并制作穿过涂层膜(8)连通牺牲层的通孔(10)的步骤，利用通孔(10)除去牺牲层以在可动部周围形成空间的牺牲层蚀刻步骤，以及蚀刻牺牲层后在压力减小的条件下进行膜沉积以密封通孔(10)的步骤。

公开(公告)号：CN1884038B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200610093250.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 御手洗俊 ,  池田浩一 ,  多田正裕 ,  秋叶朗 ,  盛田伸也

IPC: B81B3/00 ,  H01L29/10

CPC classification number: B81C1/00238

Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。

公开(公告)号：CN101077766B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710092329.5

申请日：2007-02-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 秋叶朗 ,  御手洗俊

IPC: B81B7/00 ,  B81B5/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/056

Abstract: 一种电子机械元件，实现解决因在电子机械元件的制造过程中的可动元件上产生负荷而导致可动元件的变形、破损等课题。在牺牲层(23)上形成可动元件(5)，在此可动元件(5)中形成暴露出牺牲层(23)的多个孔(5h)，对于牺牲层从可动元件中形成的孔和可动元件的周边进行残留牺牲层的一部分的第一腐蚀，利用此牺牲层的残留部进行可动元件的机械支承，在此状态下，进行对可动元件施加负荷的作业，此后进行第二腐蚀，去除牺牲层的残留部，如此，在利用牺牲层的一部分进行加强的状态下，进行对上述可动元件施加负荷的作业，从而避免由于此负荷等所导致的制造过程中的可动元件的变形、破损等。

公开(公告)号：CN101477983A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910005061.6

申请日：2006-06-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 御手洗俊 ,  池田浩一 ,  多田正裕 ,  秋叶朗 ,  盛田伸也

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/98 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00238

Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。

公开(公告)号：CN100402411C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200380105115.7

申请日：2003-11-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 多田正裕 ,  木下隆 ,  御手洗俊 ,  伊藤康幸

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0072 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02511

Abstract: 本发明公开了一种微机械，用于高频滤波器，其具有高Q值且适用于高频段。微机械(1)包括：输出电极(7)，形成于衬底(5)上；层间绝缘膜(9)，其覆盖衬底(5)且包括开口(9a)，开口的底部是输出电极(7)；和带状谐振器电极(11)，形成于层间绝缘膜(9)以在上面横跨开口(9a)中的空间(A)，而谐振器电极(11)沿开口(9a)的侧壁向开口(9a)凹入。

公开(公告)号：CN1884038A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610093250.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 御手洗俊 ,  池田浩一 ,  多田正裕 ,  秋叶朗 ,  盛田伸也

IPC: B81B3/00 ,  H01L29/10

CPC classification number: B81C1/00238

Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微型电机械装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微型电机械装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微型电机械装置(31)连接的配线层(50)。