公开(公告)号：CN1739147A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200380108730.3

申请日：2003-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中富士 ,  山木美喜雄 ,  小林繁雄 ,  石冈宏治 ,  高桥和夫 ,  中川俊之

IPC: G11B7/0065 ,  G11C13/04 ,  G03H1/26 ,  G06K7/12

CPC classification number: G11B7/0065 ,  G03H2225/11 ,  G03H2225/24

Abstract: 在使用一维光调制器的全息记录和全息记录再现中，其中布置了多个光调制像素的一维光调制器调制激光束，以在全息记录介质上记录数字数据信号，部分光调制像素在保持预定间隔的两个或者多个位置在所述全息记录介质上记录同步信号，从而减少全息记录介质的变形等对记录在全息记录介质上的信息的再现或者读出的妨碍以及信噪比的降低。

公开(公告)号：CN1837751B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610079363.4

申请日：2006-03-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高桥和夫 ,  稻熊辉往 ,  本多顺一 ,  铃木浩二 ,  渡边成人 ,  佐佐木伸 ,  中盐荣治 ,  相泽学

IPC: G01C19/5642 ,  G01C19/5663

CPC classification number: G01C19/5663 ,  G01C19/5783

Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器。所述振动陀螺传感器包括支撑衬底，在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案，以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件，其中至少两个振动元件被安装在该支撑衬底上，用于检测不同轴方向上的振动。

公开(公告)号：CN1828224B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200610073968.2

申请日：2006-03-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高桥和夫 ,  稻熊辉往 ,  相泽学 ,  领木浩二 ,  佐佐木伸 ,  中盐荣治

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5663 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明公开了一种包括振动陀螺传感器元件的振动陀螺传感器，该振动陀螺传感器元件包括悬臂振动器，该悬臂振动器在第一表面上包括压电膜、驱动电极和一对检测电极，以及在其上安装该振动陀螺传感器元件的支撑基底。将该振动陀螺传感器元件安装在该支撑基底上以使该悬臂振动器的第一表面面对该支撑基底。将除了该悬臂振动器的第一表面之外的区域界定为激光加工区域，在该激光加工区域中将形成用于调节该悬臂振动器的振动特性的凹陷。

公开(公告)号：CN100479277C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200480035897.6

申请日：2004-11-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中富士 ,  高桥和夫 ,  竹谷元伸

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/141 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供外部共振器型半导体激光器，其提供与常规的外部共振器型半导体激光器相比具有更大的输出和更优良的单模式特性。外部共振器型半导体激光器包括激光二极管(11)、窗玻璃(16)、光栅和透镜，并具有一些改进。第一种改进是，窗玻璃(16)相对于激光二极管(11)的光发射表面(19)倾斜预定的角度。第二种改进是，激光二极管(11)等的配置被调整使得S波被施加到光栅。第三种改进是，激光二极管(11)被配置为使得当输出功率为45mW或更低时抑制扭曲的产生。其它改进是，分别将激光二极管(11)的光发射表面的反射率、透镜的数值孔径、外部共振器长度和光栅的一阶光反射率设置为最佳值。

公开(公告)号：CN1848473A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610082066.5

申请日：2006-03-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中盐荣治 ,  本多顺一 ,  田村孝 ,  铃木浩二 ,  稻熊辉往 ,  相泽学 ,  高桥和夫 ,  樱井忠司

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

Abstract: 需要一种能够提高生产率和产量而不降低压电特性的压电元件及其制造方法。压电元件提供有衬底、设置在衬底上的第一电极膜、设置在第一电极膜上的压电膜和设置在压电膜上的第二电极膜。该压电膜具有由多个结晶化的压电薄膜构成的叠置结构。通过形成压电薄膜的膜形成步骤和热处理压电薄膜以影响结晶化的结晶化热处理步骤的重复循环来形成具有预定厚度的压电薄膜。以这种方式，可制造在膜厚度方向上显示出均匀结晶度的压电膜。