公开(公告)号：CN101783243A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010003898.X

申请日：2010-01-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柳田美幸 ,  佐佐木健人 ,  栗本哲 ,  今野正彦 ,  森田友纪 ,  阿部寿之

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/228

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/2325

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子部件(100)，其具备埋设有内部电极的芯片素体(1)、覆盖露出内部电极的芯片素体(1)的端面(11)和垂直于端面(11)的侧面(13、15)的一部分并与内部电极相电连接的端子电极(3)；端子电极(3)从芯片素体(1)侧开始具有第1电极层和玻璃成分的含量比第1电极层少的第2电极层；第2电极层以覆盖侧面(13、15)上的第1电极层的一部分的方式进行设置。

公开(公告)号：CN1578601A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410055709.8

申请日：2004-07-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高谷稔 ,  阿部寿之 ,  铃木圭 ,  高野弘介 ,  川田贤一 ,  远藤敏一

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/32 ,  H05K1/16 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82138 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种内置半导体IC模块，使用电极节距非常窄的半导体IC来构成内置半导体IC模块。该内置半导体IC模块包括：树脂层(140、150)；贯通树脂层(140、150)设置的柱电极(120)；以及为埋入在树脂层(140)和树脂层(150)之间而被固定的、通过研磨而薄膜化的半导体IC(130)。在本发明中，由于在将设置于半导体IC(130)中的柱状凸起(132)相对于柱电极(120)进行定位，所以柱状凸起(132)的平面位置实质上被固定，因此，可使用100μm以下、特别是60μm左右的电极节距非常窄的半导体IC。

公开(公告)号：CN1228068A

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：CN98800759.2

申请日：1998-06-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木正美 ,  大川博茂 ,  铃木康义 ,  增田秀树 ,  阿部寿之 ,  须田昭

IPC: C04B35/16 ,  C03C10/04

CPC classification number: C03C10/0054 ,  C03C14/004 ,  C03C14/006 ,  C03C2214/16 ,  C03C2214/20

Abstract: 本发明提供了由5%～40%重量的硅酸锌弥散于作为基质的35%～75%重量的硼硅酸盐玻璃中而组成的一种非磁性陶瓷，该硼硅酸盐玻璃中SiO2和B2O3含量为：SiO2＝70～90%重量；B2O3＝10～30%重量。利用该非磁性陶瓷可制得多层陶瓷电感。当该陶瓷用作含有电感部分的多层陶瓷部件时，它有低介电常数和良好的高频带特性，能够低温烧成从而使得能使用银电极，能防止烧成后晶片变形和出现裂纹，并且能提供高机械强度。

公开(公告)号：CN108231398B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201711352340.0

申请日：2017-12-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 堀川雄平 ,  折笠诚 ,  上林义广 ,  阿部寿之 ,  麻生裕文 ,  国塚光祐

IPC: H01F41/04 ,  H05K1/16

Abstract: 平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2)，该基底导体层(L1)具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d)，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e)；在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3)；以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。

公开(公告)号：CN109306478A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810838084.4

申请日：2018-07-26

Applicant: TDK株式会社 ,  阿基里斯株式会社

Inventor： 折笠诚 ,  堀川雄平 ,  上林义广 ,  阿部寿之 ,  芦泽弘树 ,  森美穗 ,  田村美咲

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/20 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31

Abstract: 本发明所涉及的片材(1)具备：树脂层(4)，包含粘结剂(2)和聚吡咯颗粒(3)；非电解镀膜(7)，被设置于树脂层(4)的一个主面(4a)侧并具有第1非电解镀膜(5)和第2非电解镀膜(6)；及透明基材(8)，被设置于树脂层(4)的另一个主面(4b)侧。聚吡咯颗粒(3)中的至少一部分具有从树脂层(4)的一个主面(4a)露出的露出面(3a)，露出面(3a)分散于树脂层(4)的一个主面(4a)上。第1非电解镀膜(5)以围绕聚吡咯颗粒(3)各自的露出面(3a)的方式被设置于树脂层(4)的一个主面(4a)上。第2非电解镀膜(6)以覆盖第1非电解镀膜(5)的方式被设置，第2非电解镀膜(6)的一个主面(6a)具备对应于第1非电解镀膜(5)的凹部(6r)。

公开(公告)号：CN108538824A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810171607.4

申请日：2018-03-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 折笠诚 ,  清家英之 ,  堀川雄平 ,  阿部寿之

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。

公开(公告)号：CN108538726A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810172586.8

申请日：2018-03-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 折笠诚 ,  清家英之 ,  堀川雄平 ,  阿部寿之

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置压力赋予部件，压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。

公开(公告)号：CN108235570A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711352356.1

申请日：2017-12-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 堀川雄平 ,  折笠诚 ,  上林义广 ,  阿部寿之 ,  麻生裕文 ,  国塚光祐

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/18

Abstract: 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备：基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含：具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a)，将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d)，将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。

公开(公告)号：CN105989863A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610153971.9

申请日：2016-03-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 五十岚克彦 ,  折笠诚 ,  川岛崇 ,  阿部寿之

IPC: G11B5/84

CPC classification number: G11B5/4833 ,  G11B5/4826 ,  G11B5/84 ,  G11B5/8412 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851 ,  G11B5/858

Abstract: 本发明提供臂及悬架的接合强度优异的磁头装置。磁头装置具备臂、与臂的前端部重叠的悬架、位于悬架的前端部的滑块、以及位于臂的前端部和悬架之间且将臂和悬架接合的接合部，接合部含有Sn。

公开(公告)号：CN102709051B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110343147.7

申请日：2011-10-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 青木俊二 ,  高桥祐介 ,  佐藤伸二 ,  内山弘基 ,  阿部寿之 ,  小林丰隆 ,  佐藤淳 ,  佐藤裕 ,  柳田美幸 ,  田中一正

IPC: H01G4/005

Abstract: 本发明提供一种能够维持安装性且能够防止外部电极从素体上剥离的电子部件以及该电子部件的制造方法。在电子部件(1)中，包括含有素体(2)的主成分的第一电极层(11a)和由金属薄膜构成的第二电极层(12)而形成外部电极(3，4)，第一电极层(11a)与素体(2)同时烧成而形成于主面(2c，2d)的端面(2a，2b)侧，并且在其边缘部(11e)与素体(2)之间形成缝隙(S)，第二电极层(12)以夹持第一电极层(11a)的边缘部(11e)的方式覆盖端面(2a，2b)以及第一电极层(11a)上并且形成于缝隙(S)。