公开(公告)号：CN102455398A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110293717.6

申请日：2011-09-26

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 井上和俊

IPC: G01R31/02 ,  G01R31/36

CPC classification number: G01R31/025 ,  G01R31/3658

Abstract: 本发明涉及半导体电路、半导体器件及布线异常诊断方法。使电压施加部(24)的开关(SW5)处于接通状态，向布线(27)供给电压VCC，测量电池单元(C4)的输出电压Vout，如果输出电压Vout＝0V，则判断为布线(V4～V3)之间发生短路，如果输出电压Vout≠0V，则判断为布线(V4)断线。使电压施加部(26)的开关(SW6)处于接通状态，向布线(27)供给电压VREF，测量电池单元(C1)的输出电压Vout，如果输出电压Vout＝0V，则判断为布线(V1～V0)之间发生短路，如果输出电压Vout≠0V，则判断为布线(V1)断线。从而，能够对与电池有关的布线的断线以及短路进行准确的诊断。

公开(公告)号：CN102447282A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110290391.1

申请日：2011-09-21

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 宇都野纪久生

IPC: H02J7/00

CPC classification number: H02J7/35 ,  H02J7/0052 ,  H02J7/0072 ,  H02J7/355 ,  Y02E10/566

Abstract: 本发明涉及充电控制系统以及充电控制装置。其具有：太阳能电池(10)；接收由太阳能电池(10)输出的电力的二次电池(20)；与二次电池(20)一起构成闭合电路的第2传送路径(40)；对基于太阳能电池(10)的输出电压和基于与第2传送路径(40)连接且经由第2传送路径(40)传送的二次电池(20)的输出电压进行比较的比较器(70)，第1传送路径(30)具有P型MOS晶体管(120)，该P型MOS晶体管(120)在判定为太阳能电池(10)的电压为二次电池(20)的电压以下的情况下，切断第1传送路径(30)，第2传送路径(40)具有N型MOS晶体管(42)，其在第1传送路径(30)被切断后，随着太阳能电池(10)的电力的降低而切断第2传送路径(40)。

公开(公告)号：CN102446938A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110305422.6

申请日：2011-09-30

Applicant: OKI半导体株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 葛西大树 ,  新井康夫 ,  初井宇记

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/32

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14659

Abstract: 本发明提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。包括：一导电型的半导体层(100)；绝缘体层(130)；设置在绝缘体层中的半导体层(210)；设置于半导体层(210)的有源元件(20)；设置于半导体层(100)的一主面(201)的另一导电型半导体区域(112)；另一导电型半导体区域(114)，设置在半导体区域(112)内，杂质浓度比半导体区域(112)高；导电体(154)，设置于在绝缘体层(130)中设置的通孔(144)内，与半导体区域(144)连接；导电体(214)，设置在绝缘体层(130)上或其中，且是设置在导电体(154)周围，外侧端部位于半导体区域(114)外侧；导电体(192)，设置成连接导电体(154)和导电体(214)；和导电体(152、120)，设置成与半导体层(100)连接。

公开(公告)号：CN102437989A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110259555.4

申请日：2011-08-30

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 赤堀博次

IPC: H04L27/26

CPC classification number: H04L27/2663 ,  H04L27/2691

Abstract: 本发明提供一种相关器以及包含该相关器的解调装置，即使在接收信号频带内混入了无用功率，也能够排除该无用功率的影响，从而求出自相关。其中，第1、第2滤波电路具有相互不重叠的不同通过频率特性。第1、第2延迟电路将从第1、第2滤波电路输出的信号延迟一有效OFDM码元期间。第1、第2复共轭电路对延迟信号取复共轭。第1、第2复数运算电路对从第1、第2滤波电路输出的信号与从第1、第2复共轭电路输出的信号进行复数乘法运算。第1、第2移动平均处理电路取GI长度量的移动平均。比例判断电路对从第1、第2移动平均处理电路输出的各个自相关的最大值进行比较。选择合成电路根据比较结果，从各个自相关中选择最大值较大的一方作为自相关输出而进行输出。

公开(公告)号：CN102270997A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110102501.7

申请日：2011-04-19

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  OKI半导体株式会社

Inventor： 永井宏宗 ,  松田心平 ,  赤堀博次

IPC: H04B1/16 ,  H03G3/20

CPC classification number: H04L27/14 ,  H03G3/3068 ,  H03G3/3078

Abstract: 以低成本实现了适当的增益控制。在接收装置(1)中，由RF amp(10)放大的RF信号由频率转换单元(11)转换成IF频率，并由IF amp(14)放大，接着，将来自IF amp(14)的、由ADC(15)转换成数字信号的输出信号输入到数字处理单元(100)。来自ADC(15)的输出接着由数字滤波器(16)滤波到期望频率，并输入到数字处理单元(100)。在数字处理单元(100)中，测量数字滤波器(16)滤波之前的信号功率和数字滤波器(16)滤波之后的信号功率，并且计算功率差。数字处理单元(100)基于指示不必要的功率的比的功率差，来控制RF amp(10)和IF amp(14)的增益比。

公开(公告)号：CN1945843B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200610154049.8

申请日：2006-09-20

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 袋武人 ,  冲原将生

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0251 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/665

Abstract: 提供可以防止被制造工艺的等离子电流破坏，并且避免了二极管的耐压上升的半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件(10)，采用具有作为支撑衬底的硅衬底(101a)、硅衬底(101a)上的氧化膜(101b)、和氧化膜(101b)上的硅薄膜(101c)的SOI衬底101，并具有形成在它的硅薄膜(101c)上的输入端子IN(第2上层布线(134))，形成在硅薄膜(101c)上的Vss端子Tvss(第1上层布线(139))，形成在硅薄膜(101c)上并与输入端子IN和Vss端子Tvss连接的半导体元件(例如倒向器(11))，和形成在硅薄膜(101c)上并从Vss端子Tvss向输入端子IN正向连接的保护二极管(12)。

公开(公告)号：CN1875481B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480032487.6

申请日：2004-08-10

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 石原政道

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种薄型化并且适合于高速动作的层叠型半导体装置。在半导体衬底的一面上排列配置形成多个预定电路，按照预定图形依次层叠形成与电路电连接的布线及绝缘层以形成多层布线部，在形成多层布线部的阶段在半导体衬底上形成表面以绝缘膜覆盖的填充电极，在多层布线部的预定布线上形成柱电极，在半导体衬底的一面上形成第1绝缘层，将第1绝缘层的表面去除预定厚度使柱电极露出，研磨半导体衬底的另一面使填充电极露出以形成贯通电极，刻蚀半导体衬底的一面使贯通电极的顶端突出，在贯通电极的顶端露出的状态下在半导体衬底的一面上形成第2绝缘层，在两电极上形成凸起电极，分割半导体衬底以形成半导体装置。利用凸起电极将利用该方法所得的多个半导体装置层叠固定起来制造出层叠型半导体装置。

公开(公告)号：CN101545920A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910005618.6

申请日：2009-01-20

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 野村昭彦 ,  加藤健二

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  H01L27/20

CPC classification number: G01P15/123 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明提供一种加速度传感器装置，可防止锤部、梁部和压电电阻元件的破损以及特性变化，可提高加速度传感器装置的可靠性。加速度传感器装置包括：具有锤部(11)、在该锤部(11)的周围具有间隔地配置的底座部(12)、挠性连接锤部(11)和底座部(12)的多个梁部(13)的加速度传感器芯片(10)；为了限制锤部(11)的变位而设置在加速度传感器芯片(10)上的限位板(20)。限位板(20)在与梁部(13)相对的位置具有凹部(25)，所以能不对梁部(13)带来冲击地限制锤部(11)的变位。

公开(公告)号：CN101437120A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810177317.7

申请日：2008-10-31

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 太矢隆士

IPC: H04N5/44 ,  H04N5/63 ,  G08C19/00

CPC classification number: H04N5/4403 ,  G08C17/00 ,  H04N5/63 ,  H04N21/42202 ,  H04N21/42222 ,  H04N21/4334 ,  H04N21/4436 ,  H04N2005/4428

Abstract: 本发明提供一种电子设备、遥控操作装置以及遥控操作系统，在抑制功耗的同时，可缩短从由遥控操作装置发送操作信号到电子设备开始动作时的时间。把电子设备(12)构成为具有接收从遥控装置(14)发送的信号的无线接收电路(22)、和对输入的信号进行信号处理的数字信号处理电路(40)，并且具有根据由遥控装置(14)发送并由无线接收电路(22)接收的操作信号进行基于由该数字信号处理电路处理的信号的显示处理和记录处理的至少一方的主体电路(18)、和在对主体电路(18)的供电停止期间发生了被预测为遥控装置(14)将被操作的操作前状态时，开始向数字信号处理电路(40)供电，进行起动的预备起动电路(24)。