公开(公告)号：CN103779283B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310030492.4

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  林育漳 ,  施应庆 ,  吴韦民 ,  郭彦良 ,  杜家玮

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。

公开(公告)号：CN103915374A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310127589.7

申请日：2013-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  谢维伦 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11

Abstract: 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。

公开(公告)号：CN113035788B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202011153863.4

申请日：2020-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  高金福 ,  王卜 ,  卢思维

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/50

Abstract: 一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构以及多个第一间隔物结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。盖结构设置在线路衬底上，覆盖半导体封装，其中盖结构通过粘合材料贴合到线路衬底。所述多个第一间隔物结构环绕半导体封装，其中第一间隔物结构夹置在盖结构与线路衬底之间，且包括与盖结构接触的顶部部分及与线路衬底接触的底部部分。

公开(公告)号：CN112447623B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202010871023.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  叶宫辰 ,  郭立中 ,  卢思维 ,  施应庆

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种封装结构包括线路衬底及半导体封装。半导体封装设置在线路衬底上，且包括多个半导体管芯、绝缘密封体以及连接结构。绝缘密封体包括第一部分及从第一部分突出的第二部分，第一部分包封所述多个半导体管芯且具有平坦的第一表面，且第二部分具有平坦的第二表面，所述平坦的第二表面位于与平坦的第一表面不同的水平高度处。连接结构在所述平坦的第一表面上位于绝缘密封体的第一部分之上，且位于所述多个半导体管芯上，其中连接结构电连接到所述多个半导体管芯及线路衬底。

公开(公告)号：CN115172233A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210389551.6

申请日：2022-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕融 ,  蔡宗甫 ,  卢思维

IPC: H01L21/677

Abstract: 本公开提供一种拾取装置及其使用方法。一种用于将粘合在粘合膜上的半导体管芯从所述粘合膜分离的拾取装置包括框架、紫外光发射元件及收集器元件。所述框架被配置成固持其上方粘合有半导体管芯的粘合膜。所述紫外光发射元件设置在框架内部，其中所述粘合膜设置在半导体管芯与紫外光发射元件之间。所述收集器元件设置在框架之上。

公开(公告)号：CN113035788A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011153863.4

申请日：2020-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  高金福 ,  王卜 ,  卢思维

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/50

Abstract: 一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构以及多个第一间隔物结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。盖结构设置在线路衬底上，覆盖半导体封装，其中盖结构通过粘合材料贴合到线路衬底。所述多个第一间隔物结构环绕半导体封装，其中第一间隔物结构夹置在盖结构与线路衬底之间，且包括与盖结构接触的顶部部分及与线路衬底接触的底部部分。

公开(公告)号：CN112447623A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010871023.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  叶宫辰 ,  郭立中 ,  卢思维 ,  施应庆

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种封装结构包括线路衬底及半导体封装。半导体封装设置在线路衬底上，且包括多个半导体管芯、绝缘密封体以及连接结构。绝缘密封体包括第一部分及从第一部分突出的第二部分，第一部分包封所述多个半导体管芯且具有平坦的第一表面，且第二部分具有平坦的第二表面，所述平坦的第二表面位于与平坦的第一表面不同的水平高度处。连接结构在所述平坦的第一表面上位于绝缘密封体的第一部分之上，且位于所述多个半导体管芯上，其中连接结构电连接到所述多个半导体管芯及线路衬底。

公开(公告)号：CN111952275A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910966924.X

申请日：2019-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  林士庭 ,  卢思维 ,  施应庆

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装包括第一集成电路结构、第二集成电路结构、多个导电凸块、包封材料以及重布线结构。第一集成电路结构包括有源表面、后表面及多个穿孔，有源表面具有多个接触垫，后表面与有源表面相对，所述多个穿孔延伸穿过第一集成电路结构且连接有源表面与后表面。第二集成电路结构设置在第一集成电路结构的后表面上。导电凸块设置在第一集成电路结构与第二集成电路结构之间且电连接所述多个穿孔与第二集成电路结构。包封材料至少包封第二集成电路结构。重布线结构设置在第一集成电路结构的有源表面之上且电连接到第一集成电路结构的有源表面。

公开(公告)号：CN110931442A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910115893.7

申请日：2019-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  黄厚儒 ,  林士庭 ,  卢思维 ,  蔡鸿伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。电子装置包括半导体管芯、与半导体管芯电耦接的导电结构、包封半导体管芯和导电结构的绝缘包封件以及设置在绝缘包封件上和半导体管芯的重布线结构。导电结构包括第一导体、第二导体和在第一导体与第二导体之间的扩散阻挡层。重布线结构电连接到半导体管芯和导电结构的第一导体。

公开(公告)号：CN103456697B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310125458.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  郭庭豪 ,  蔡宗甫 ,  顾旻峰

IPC: H01L23/16 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/564 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，包括第一封装部件和在第一封装部件下面的并与其接合的第二封装部件。模制材料设置在第一封装部件下方并且模制为与第一封装部件和第二封装部件接触，其中，模制材料和第一封装部件形成界面。隔离区包括第一边缘，其中，隔离区的第一边缘与第一封装部件的第一边缘和模制材料的第一边缘接触。隔离区域的底部低于界面。本发明还提供了用于封装件的隔离环及其形成方法。