公开(公告)号：CN111490455A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911208715.5

申请日：2019-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野口哲宽 ,  谷善彦 ,  谷本佳美 ,  津田有三

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。

公开(公告)号：CN104364917B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380031117.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中津弘志 ,  井上知也 ,  野中健太朗 ,  浅井俊晶 ,  竹冈忠士 ,  谷善彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮

公开(公告)号：CN100370628C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN02822978.9

申请日：2002-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森冈达也 ,  林田茂树 ,  谷善彦 ,  大久保勇 ,  和田秀夫

IPC: H01L31/101 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1035

Abstract: 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。