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公开(公告)号：CN1856864A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027712.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。
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公开(公告)号：CN1806314A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016193.4
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种在向基板导入杂质中能够进行高精度控制的杂质导入方法及杂质导入装置。在保持台(4)上载置被处理基板(5)并且由旋转驱动轴(13)旋转。在使真空泵(6)动作之后，停止利用真空泵(6)的排气，将计量腔室(7)内的一定量的等离子体发生用的物质(气体物质)通过喷嘴(14)导入到真空腔室(1)内。喷嘴(14)上具有多个微细喷嘴(19)，根据等离子体的激励强度，通过该微细喷嘴(19)在真空腔室(1)内产生空间上不均匀的气体流(15)。并且，由电源(3)驱动等离子体发生部(2)，对不均匀地导入到真空腔室(1)内的气体物质进行等离子体激励，在规定的时间内使被处理基板(5)暴露于等离子体中。
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公开(公告)号：CN1509494A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02810062.X
申请日：2002-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种表面处理方法，其特征为，包括：通过等离子体使物质等离子体化，生成第一等离子体化物质及第二等离子体化物质的等离子体化工序；开始向基体导入通过该等离子体而等离子体化的该第一等离子体化物质的开始工序；终止向该基体导入该第一等离子体化物质的终止工序；在该终止工序前观测通过该等离子体而等离子体化的该第二等离子体化物质状态的观测工序；和根据该观测工序的观测结果，控制表示从该开始工序直到该终止工序为止的时间的等离子体处理时间的控制工序，使表示向该基体导入的第一等离子体化物质的总量的总剂量成为所希望的总剂量。
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公开(公告)号：CN102751159A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210238455.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
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公开(公告)号：CN101053066B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200580037487.X
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276748B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710127005.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。
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公开(公告)号：CN100511592C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710111996.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将不含掺杂原料气体的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有掺杂原料气体的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在和第1压力不同的第2压力。
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公开(公告)号：CN100511591C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710111995.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是通过一边将气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，将高频功率供给上述等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将高频功率供给上述真空容器内的用于放置试样的电极，在上述放置试样的电极上放置的试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，供给上述等离子体发生装置或者上述试样电极的上述高频功率的行进波功率为Pf，反射波功率为Pr时，以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值，在功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
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公开(公告)号：CN101276748A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710127005.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。
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公开(公告)号：CN101156503A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011123.9
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/00 , H01L21/302 , H01L21/205 , H05H1/46 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提出能够精确监控进入样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。当从气体供应单元(2)引入预定字体时，通过涡轮高真空泵(3)通过出口(11)排除真空容器(1)，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)中保持预定压力级。通过从等离子体源的高频电源(5)向在介电窗(7)附近提供的线圈(8)供应高频功率，来生成感应耦合等离子体。提供用于向样品电极(6)供应高频功率的样品电极的高频电源(10)，且在样品电极的高频电源(10)和样品电极(6)之间提供样品电极的匹配电路(13)和高频传感器(14)。从而能够使用高频传感器(14)和算术单元(15)来精确地监控进入样品表面的离子电流。
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