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公开(公告)号：CN115725953A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211066276.0
申请日：2022-09-01
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54
Abstract: 本发明揭示了一种薄膜沉积装置，包括：处理腔室；气体供应组件，设置于处理腔室顶壁；加热托盘，设置于气体供应组件下方，用于承载并加热基板；射频源；旋转机构，控制基板旋转或者加热托盘旋转或者基板与加热托盘同步旋转，旋转的旋转轴垂直且穿过基板；旋转时，保持射频源为打开状态。本发明补偿了基板上沉积的薄膜厚度的不均匀，实现了PECVD层堆栈结构薄膜沉积的均匀性和稳定性，避免了基板上沉积的薄膜在后续刻蚀工艺过程中刻蚀通孔偏离垂直方向的现象，从而进一步保证了半导体器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN114639630A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011489353.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本发明揭示一种基板支撑装置，包括旋转卡盘和多个定位销。旋转卡盘用于支撑和旋转基板，具有一支撑面。定位销设置在支撑面的外围，用于限制基板的水平位移。支撑面上设有第一环形区域。第一环形区域划分为多个销区域和多个非销区域。该多个销区域和多个非销区域在第一环形区域的圆周方向上交替排布。每个销区域对应一个定位销。多个伯努利孔设置在第一环形区域，配置成不均匀结构，从而能够在销区域提供比非销区域更强的气流。
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公开(公告)号：CN113130344A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911405318.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种晶圆供液装置，包括喷嘴、升降杆、支撑件及高度调节件；其中，升降杆包括第一端及相对的第二端，升降杆的第一端与喷嘴固定连接；支撑件中设置有容纳升降杆的第二端的容纳空间；高度调节件包括第一端及相对的第二端，高度调节件的第一端与升降杆相连接，高度调节件的第二端与支撑件相连接，且高度调节件的调节精度的等级包括微米级或毫米级，以通过具有高精度的高度调节件与升降杆及支撑件的相互作用，实现对喷嘴的高度的精调，以满足制程的需要，制备高质量的晶圆。
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公开(公告)号：CN112786512A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911085484.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种旋转轴及包含旋转轴的基板支撑装置，旋转轴包括：设有通气管道的中心转轴；设置于中心转轴的外围的中空外轴，且中空外轴与中心转轴具有设定的间距；环绕中空外轴内壁且连通通气管道的导气槽；设置于中空外轴且连通导气槽的供气管道；成对设置于中心转轴的密封环凸，通气管道进气口在中心转轴轴线方向上位于成对的密封环凸之间；成对设置于中空外轴的密封环槽，导气槽在中心转轴轴线方向上位于成对的密封环槽之间；密封环凸嵌设于密封环槽中。本发明通过在旋转轴中的导气槽与供气管道的邻近位置设置密封环凸与密封环槽，在确保中心转轴与中空外轴不会直接接触的同时，也增强了旋转轴密封结构的密封性，提升了装置的工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN119447011A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310956474.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆盒载台，涉及半导体设备领域，一种晶圆盒载台，包括底座，所述底座用于承载晶圆盒；壳体，所述壳体设置于所述底座上，所述壳体和所述底座形成用于容纳所述晶圆盒的容纳腔，所述壳体设置有用于从所述晶圆盒取晶圆的出口和用于放置晶圆盒的入口，所述出口和所述入口不位于晶圆盒载台的同一面，所述出口连接于机台的开口，并且所述出口和所述开口始终处于连通状态，所述壳体包括固定部和活动部，固定部固定连接于所述底座，所述活动部能够相对所述固定部活动以打开或者关闭所述入口。晶圆盒载台的出口和机台的开口始终处于连通状态，通过活动部可以将入口关闭，能够满足对于洁净度要求不高的生产线，有效降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119196416A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310755230.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: F16L21/08
Abstract: 本发明公开了一种管路连接装置，包括接头主体、至少一个径向密封件和至少一个压紧件，接头主体包括至少一个管接部和至少一个限位部，每个管接部具有用于与一个待接管路连通的通孔，每个限位部围设在对应的管接部的外周，限位部的内壁与管接部的外周之间具有凹槽，凹槽用于容纳对应的径向密封件；当管路连接装置连接至少一个待接管路时，待接管路的第一端套设于所对应的管接部的外周，对应的径向密封件位于限位部的内壁和待接管路的外周之间，对应的压紧件锁紧在限位部朝向待接管路的端部，并沿待接管路的轴向压紧径向密封件，使径向密封件的内壁与待接管路的外周过盈配合进行径向密封。本发明不仅安装工序简便，而且有利于待接管路快速拆装。
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公开(公告)号：CN118268310A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211720563.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防反灌装置和基板处理设备，防反灌装置包括盛杯、防护罩和排气单元，盛杯上部具有开口；防护罩包覆盛杯的开口，并设置有收液口和排气口，收液口用于供喷嘴向盛杯内部滴入药液；排气单元通过防护罩的排气口与盛杯内部连接，以抽吸盛杯内部的挥发气体。本发明能够有效防止盛杯内部的挥发气体反灌至基板处理设备的工艺腔体内，避免挥发气体腐蚀工艺腔体内的基板的表面。
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公开(公告)号：CN117046811A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311022827.8
申请日：2015-12-09
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用来清洗衬底的高温化学溶液供液系统。该系统包括溶液槽，用于容纳化学溶液；第一泵，第一泵的进口连接溶液槽，第一泵的出口连接缓冲槽；缓冲槽，包括槽体、排气管和针阀，排气管的一端连接槽体，另一端连接溶液槽，针阀安装在排气管上，针阀用于调节缓冲槽内的压力；以及第二泵，第二泵的进口连接缓冲槽，第二泵的出口连接清洗衬底的清洗腔，其中，当第二泵处于打开状态时，第一泵和针阀也处于打开状态，通过针阀和第一泵调节缓冲槽内的压力使缓冲槽内的化学溶液被压入第二泵的进口。本发明还提供了一种包括高温化学溶液供液系统和超声波/兆声波装置的衬底清洗装置。本发明还提供了清洗衬底的方法。
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公开(公告)号：CN116230616A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111480741.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供的晶圆保持装置，包括卡盘、多个固定夹紧销、多个活动夹紧销和旋转轴，多个固定夹紧销固定设置在卡盘上，多个活动夹紧销活动设置在卡盘上，旋转轴配置为驱动卡盘转动；其中，多个固定夹紧销和多个活动夹紧销分布在以卡盘的中心为圆心的圆周上，且多个固定夹紧销限定的圆心位于卡盘的中心轴线上。在本发明中，通过设置多个固定夹紧销确保晶圆对中精度，降低对多个活动夹紧销动作一致性的要求，从而降低活动夹紧销的设计、制造及维护成本。
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公开(公告)号：CN115803848A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202080099666.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置。在一个实施例中，一种方法包括以下步骤：将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中；所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出并传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。本发明将DIO3和SPM结合在一个清洗程序中，可以去除颗粒或光刻胶，尤其是去除被中剂量或高剂量离子注入处理过的光刻胶。
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