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公开(公告)号：CN101748380A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810182994.8
申请日：2008-12-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/455
CPC classification number: H01M4/926 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/36
Abstract: 本申请涉及制造制备透明导电碳纳米管膜的方法，由所述方法制备的碳纳米管膜，以及包括该碳纳米管膜的碳纳米管元件。与常规通过过滤方法获得的碳纳米管膜相比，使用本申请的方法所获得的碳纳米管膜透明性高并且薄层电阻明显更低。
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公开(公告)号：CN100577560C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200480020244.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/34 , Y10T428/13
Abstract: 本发明提供碳纳米管的制造方法，其能够以高生产量和低缺陷发生率地大量生产DWCNT。在真空室(i)中，提供具有中空部(2a)的第一电极(2)和棒状第二电极(3)。惰性气体如氦气、氮气、或氩气被引入到该真空室(1)中，以保持其为不含氢气和氧气的气氛，并在该气氛中，在第一电极(2)和第二电极(3)之间产生电弧放电。由电弧放电产生的热适度地保留在第一电极(2)包围的内侧表面上，以将第一电极(2)表面保持在适于生产DWCNT(8)的温度。由此，丝状的DWCNT(8)能以催化剂(6)为起点连续性地无中断生产。
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公开(公告)号：CN101259959A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710080027.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101450797B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200710196650.8
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/845 , Y10S977/847
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101259959B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710080027.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101683976A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810149298.7
申请日：2008-09-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , Y10S977/742 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了碳纳米管及其制备方法以及使用碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的单质。本发明制备碳纳米管的方法可以制备出纯度非常高并且直径分布窄的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101450798A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196652.7
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/28 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、由此得到的碳纳米管以及使用该碳纳米管制备的元件。该处理碳纳米管的方法使用含羟基自由基(HO.)的水溶液对碳纳米管进行处理。
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公开(公告)号：CN101450797A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196650.8
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/845 , Y10S977/847
Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件。在该处理碳纳米管的方法中，使用SO3气体在高温例如385～475℃的处理温度下对碳纳米管进行处理。
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公开(公告)号：CN1823006A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020244.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/34 , Y10T428/13
Abstract: 本发明提供碳纳米管的制造方法，其能够以高生产量和低缺陷发生率地大量生产DWCNT。在真空室(i)中，提供具有中空部(2a)的第一电极(2)和棒状第二电极(3)。惰性气体如氦气、氮气、或氩气被引入到该真空室(1)中，以保持其为不含氢气和氧气的气氛，并在该气氛中，在第一电极(2)和第二电极(3)之间产生电弧放电。由电弧放电产生的热适度地保留在第一电极(2)包围的内侧表面上，以将第一电极(2)表面保持在适于生产DWCNT(8)的温度。由此，丝状的DWCNT(8)能以催化剂(6)为起点连续性地无中断生产。
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