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公开(公告)号：CN108140542B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201680054443.6
申请日：2016-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。
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公开(公告)号：CN108474129B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201680079254.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了用于处理硅基板的方法和装置。在某些实现方式中，所述方法可包含下列步骤：提供具有孔的硅基板，所述孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；以及通过使电流流经硅基板的背侧，将硅基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。
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公开(公告)号：CN104081544B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201380006710.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/0224
Abstract: 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work‑function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p‑i‑n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p‑i‑n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p‑i‑n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。
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公开(公告)号：CN108140542A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680054443.6
申请日：2016-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B7/0021 , B08B7/0035 , C11D11/0047 , F26B21/14 , H01L21/02101 , H01L21/6704 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67739 , H01L21/67748 , H01L21/68792
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107742672A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710960274.9
申请日：2013-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/285 , H01L21/308 , G11B5/74 , G11B5/855 , G11C11/16 , H01F41/34
Abstract: 描述了一种用于在基板上形成具有磁特性图案的磁性层的方法和装置。所述方法包括使用金属氮化物硬模层来通过等离子体暴露图案化所述磁性层。所述金属氮化物层是使用纳米压印图案化工艺用氧化硅图案负性材料来图案化的。使用含卤素和氧的远程等离子体来使图案在金属氮化物中，并且在等离子体暴露之后使用腐蚀性的湿式剥离工艺去除所述图案。所有的处理都在低温下进行，以避免热损伤磁性材料。
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公开(公告)号：CN104995333B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480008492.7
申请日：2014-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·萨克斯顿·安德伍德 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 妮琴·英吉 , 罗曼·古科 , 史蒂文·韦尔韦贝克
Abstract: 提供了用于形成图案化的磁性基板的方法和装置。将图案化的抗蚀部形成于基板的磁致激活表面上。通过可流动式CVD工艺将氧化物层形成在所述图案化的抗蚀部之上。蚀刻所述氧化物层，以使所述图案化的抗蚀部的部分暴露出来。随后，使用经蚀刻的氧化物层作为掩模来对所述图案化的抗蚀部进行蚀刻，以使所述磁致激活表面的部分暴露出来。随后，通过引导能量穿过经蚀刻的抗蚀层和经蚀刻的氧化物层，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性，然后，将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。
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公开(公告)号：CN102576548B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201080047182.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 皮特·I·波尔什涅夫 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/746 , H01J37/32412
Abstract: 本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，该基板上形成有磁性敏感层，其中该基板的温度被维持在低于约摄氏150度，(b)在完成等离子体离子注入工艺的第一部份之后，冷却该基板的温度，以及(c)在该基板上进行等离子体离子注入工艺的第二部份，其中该基板的温度被维持低于摄氏150度。
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公开(公告)号：CN104919574A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380057383.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67742
Abstract: 本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。
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公开(公告)号：CN102598131A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049969.8
申请日：2010-11-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
CPC classification number: G11B5/855 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提供在基板上的磁敏感表面上形成包括磁畴及非磁性磁畴的图案的工艺与设备。在一个实施例中，一种在设置于基板上的磁敏感材料上形成多个磁畴的图案的方法包括：暴露磁敏感层的第一部分至由气体混合物形成的等离子体历时一段足够的时间，以将经由遮蔽层暴露的所述磁敏感层的所述第一部分的磁性从第一状态修改成第二状态，其中所述气体混合物至少包括含卤素气体及含氢气体。
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