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公开(公告)号：CN102866374A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110187030.4
申请日：2011-07-05
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种基于探针的磁传感器测试方法及其系统，其中基于探针的磁传感器测试方法，包括以下步骤：根据待测磁传感器的电路制作包括探针的探针卡，将待测磁传感器放置在测试台上；在X轴上设置至少一个磁线圈，通过控制所述磁线圈的电流大小和方向，来控制所述测试台X轴上的磁场方向及磁场强度；根据待测磁传感器的输出，计算出待测磁传感器X轴的偏置输出和/或灵敏度；通过电机控制所述探针与测试台上待测磁传感器的接触，直至测试台上待测磁传感器全部测试完毕。本发明涉及的基于探针的磁传感器测试方法及其系统，大大提高测试密度及测试效率，使得磁传感器的测试更具灵活性，且有效降低测试成本，有利于磁传感器的大规模生产和应用。
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公开(公告)号：CN108318838B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810181371.2
申请日：2018-03-06
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括：设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡，斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面；若干磁场传感单元，磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元，且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致；自检线圈，其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方，自检线圈包括依次并行排布的若干导线，导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致，若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比，本发明中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
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公开(公告)号：CN114823584A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210100334.0
申请日：2022-01-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装结构及其封装方法，封装结构包括：半导体圆片，其背面与其正面相对，且其背面位于其正面的上方；半导体圆片正面设置有传感器的控制单元和金属焊盘；半导体圆片内部设置有通孔，通孔自半导体圆片的背面向下延伸至传感器的控制单元；半导体圆片的背面设置有第一再布线层，第一再布线层由传感器的控制单元经通孔引出并再分布到半导体圆片的背面；多个传感器器件，其分布于第一再布线层上方，每个传感器器件与半导体圆片的背面相键合，且每个传感器器件的信号触点与第一再布线层连接。与现有技术相比，本发明将多个传感器与控制单元集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
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公开(公告)号：CN114551388A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210100418.4
申请日：2022-01-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装结构及其封装方法，封装结构包括：半导体圆片，其背面位于其正面的上方；半导体圆片正面设置有传感器的控制单元和金属焊盘；半导体圆片内部设置有通孔，通孔自半导体圆片的背面向下延伸至传感器的控制单元；半导体圆片的背面设置有第一再布线层，第一再布线层由传感器的控制单元经通孔引出并再分布到半导体圆片的背面；多个传感器器件，其分布于第一再布线层上，每个传感器器件与半导体圆片的背面相键合，且每个传感器器件的信号触点与第一再布线层连接；第二再布线层，其位于金属焊盘的下方，且与金属焊盘相连。与现有技术相比，本发明通过将多个传感器与控制单元集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高。
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公开(公告)号：CN108333538A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810270669.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁电阻传感器，其包括磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条，以及形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个短路条，所述短路条与所属的磁场传感单元的磁易轴之间的夹角称为短路条的取向角度α，所述短路条的取向角度α介于28～40度之间。本发明突破了传统对磁电阻传感器的短路条的取向角度认知，给出了短路条的最优取向角度，从而使得磁电阻传感器的灵敏度最优或更优。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102730618B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110087554.6
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/28
Abstract: 本发明涉及一种集成加速度和磁传感器的封装结构及其封装方法，其包括第一晶圆、键合在第一晶圆正面上方的第二晶圆以及设置于第二晶圆上的磁传感器。其中第一晶圆上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构。第二晶圆上设有与第一腔体配合的第二腔体，第二腔体的尺寸大于或等于加速度传感器机械机构的尺寸。本发明将三轴加速度传感器和三轴磁传感器集成到同一个封装结构，实现了六轴传感器的高度集成，有利于传感器功能的进一步集成与开发。
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公开(公告)号：CN102730617B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110087553.1
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种集成磁和加速度传感器的封装结构及其封装方法，其包括第一晶圆、键合在第一晶圆正面上方的第二晶圆以及倒装于第一晶圆背面的磁传感器。其中第一晶圆上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构。第二晶圆上设有与第一腔体配合的第二腔体，第二腔体的尺寸大于或等于加速度传感器机械机构的尺寸。本发明将三轴加速度传感器和三轴磁传感器集成到同一个封装结构，实现了六轴传感器的高度集成，有利于传感器功能的进一步集成与开发。
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公开(公告)号：CN103376425A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210120464.7
申请日：2012-04-23
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明涉及一种三轴磁传感器，其包括有衬底层。其中衬底层沿X和Y轴方向上分别设置有第一、第二斜坡，第一、第二斜坡上沿斜坡倾斜的方向上分别设置有第一、第二传感器单元。第一传感器单元和第二传感器单元分别感应水平方向以及竖直方向上的磁信号并输出探测值，从而完成对X、Y及Z轴三个方向上的磁信号的探测。本发明涉及的三轴磁传感器结构简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN103323643A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210075017.4
申请日：2012-03-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种单芯片电流传感器及其制造方法，其中单芯片电流传感器是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流，其包括流过所述被测定电流的导体，以及位于导体周围的两个磁传感器，所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本发明不仅能够消除外界磁场干扰，提高性能稳定性和灵敏度，还能够提高产品集成度，减小产品体积，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN219259568U
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202122924452.7
申请日：2021-11-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，所述封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器的驱动电路、第一金属焊盘和第一空腔；第二半导体圆片，其包括位于芯片边缘的固定结构以及位于芯片中间的可移动结构，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，且第一半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第一空腔；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，且第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本实用新型通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
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