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公开(公告)号：CN103981512A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410196612.2
申请日：2014-05-10
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。
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公开(公告)号：CN102492938B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110453183.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
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公开(公告)号：CN103094174A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210559395.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种操作简易的晶片夹具，可以提高工作效率、节省人力成本、提高夹持工序的安全性。本发明包含有2个及以上的夹臂和夹头，夹臂之间相互连接形成连接端，夹臂另一端的自由端安装衔接有夹头，其中一个夹臂上安装一个以上夹头，夹臂中一些夹臂在夹取操作中其位置相对固定不变，为固定夹臂，另外的夹臂则相对于固定夹臂其位置在变动，为运动夹臂；运动夹臂带动夹头向固定夹臂移动，固定夹臂在夹具的夹取中起到定位作用。本发明操作简单容易，提高设备定位精度，简化设备控制系统的复杂程度，进而降低成本。
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公开(公告)号：CN103060906A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310012395.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用方形喷头结构，解决在较大的衬底和较大的沉积区域之上提供均匀的前驱物混合问题。本发明方形喷头内设有多个相互独立的隔离区域，隔离区域呈上下结构依层排布，方形喷头顶部设有与隔离区域连通的输入管道，隔离区域底部设有多个气体喷管，气体喷管的喷口设于方形喷头底部。本发明通过方形的喷头结构，独立的隔离区域，以及多个喷头联合使用的方式，可使前驱物以及各种气体混合后均匀沉积在衬底表面，并提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102094248B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010618011.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能依据降温速率、停留时间、移动速度等进行退火控制的装置和方法，特别解决了目前不能根据GaN衬底温度为依据的自动控制的问题，由此可以把温度作定量，而对不同片厚度的GaN作退火工艺研究及其稳定退火工艺。本发明采用闭环控制，实现了自动判断、降温方式可调、退火控制菜单可编和实时存储数据功能。本发明用于半导体行业中的退火工艺的自动化控制，操作提示、形象化显示、暂停取消和显示当时运行状态等功能均具备。可以根据不同的需要而制定专用程序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102212799A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110142250.5
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种高反应率反应室，包括室体，室体具有顶壁、底壁及连接顶壁与底壁的两侧壁，顶壁内侧面上设有复数上挡板，底壁内侧面上设有复数下挡板，上挡板与下挡板向内的顶端上下相互交叉，上挡板与下挡板之间平行的间隔排布，室体上连接有输入管道及输出管道。本发明通过在室体内设置若干挡板，使气体多次接触金属源表面，发生多次反应，从而提高了反应效率。
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公开(公告)号：CN102154691A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110142242.0
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头，喷头上设有若干进气管道、若干辅助气路管道、第一匀气孔板、第二匀气孔板及导流板，进气管道管壁与辅助气路管道空间连通，第一匀气孔板外侧设有若干相互平行的进气管道，第一匀气孔板内侧相邻进气管道之间设有与进气管道平行的导流板，所述导流板连接第一匀气孔板及第二匀气孔板后向下延伸。本发明能有效减少预反应的发生，提高反应效率，且当喷头的长度增加时，增加对应的辅助气路管道的数量，实现气流的浓度和速度均匀分布，从而满足大规模生产设备的需要。
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公开(公告)号：CN106499904A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611206352.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 一种耐高温的密封结构，包括流量管和支架座，所述支架座上设有通孔和密封腔，该密封腔具有窄口端和广口端，广口端的端口面积大于窄口端的端口面积，该密封腔的窄口端沿着通孔的端口边缘固定连接，流量管具有竖直段和密封部，该密封部的外侧表面的形状与密封腔的内侧表面的形状一致，流量管的竖直段从支架座的通孔中穿过，该流量管的密封部卡装在支架座的密封腔内且密封部的外侧表面与密封腔的内侧表面形成贴合密封，流量管的竖直段的外壁与支架座的通孔的内壁之间具有间隙。本发明为分离式安装，可单独更换部件，便于运输，不易破损，降低安装难度。
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公开(公告)号：CN104178746B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410398217.2
申请日：2014-08-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种涉及气态反应物(简称第一前驱物)和固态或液态反应物(简称第二前驱物)参与反应的反应装置，特殊的导流管和挡板结构，有利于反应物的充分接触，有效解决了第一前驱物利用率不高，第二前驱物消耗对第一前驱物转化率影响大等问题。高转化率有利于降低生产成本，稳定的反应率有利于降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN103668446B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310601124.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种可控前驱物通道。所述通道位于悬挂立式或倒置支撑HVPE系统中，该通道包括前驱物进气口、通道顶部固定端、中心控制棒及通道外壁。所述进气口位于通道顶部与通道外壁顶端之间；所示通道顶部内嵌有一竖直螺柱；所述通道中心位置为控制棒，该控制棒分为上、下两段，上段为顶端带内螺纹套孔的圆柱体，下段为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱控制端中的一种；所述通道外壁至少包括直径不相同的两个及以上圆筒，其中第一圆筒直径小于第二圆筒直径，两圆筒之间为过渡段，第二圆筒与裙体扩展段的一端相连。本发明提供的可控前驱物通道能使前驱物在衬底表面的径向分布最佳化，同时扩展前驱物流场调控手段。
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