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公开(公告)号：CN106997145A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710052066.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。
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公开(公告)号：CN103123441B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210543905.4
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN104698738A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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公开(公告)号：CN104460224A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410499396.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/033
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
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公开(公告)号：CN101968605A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010270048.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。
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公开(公告)号：CN114924460A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210025135.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN114167680A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111052720.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，其制造方法和EUV掩模坯料。具有多层反射膜的衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括其中Si层与Mo层交替层叠的Si/Mo层叠部，在Si/Mo层叠部的Si层与Mo层之间的一个或多个部分插入有含有Si和N的层，其与Si层和Mo层都接触。
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公开(公告)号：CN113341644A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110229567.6
申请日：2021-03-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料。通过溅射法制造了一种反射型掩模坯料，其包括基底、多层反射膜和吸收体膜，该多层反射膜由至少两个第一层和至少两个第二层构成，该第一层和第二层交替层叠，且具有彼此不同的光学特性。通过由第一阶段和第二阶段组成的两个阶段来形成每个层，其中从每个层的形成开始时到形成规定厚度为止施加第一阶段，且从形成规定厚度开始到每个层的形成结束为止施加第二阶段；以及将第一阶段的溅射压力设定为高于刚形成层的形成结束时的溅射压力和第二阶段的溅射压力二者。
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公开(公告)号：CN112946992A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110229575.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/20 , G03F1/50 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及光掩模坯。本发明提供一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力，其中该制造方法包括如下步骤：通过使用铬靶和惰性气体与反应气体作为溅射气体在所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～2的条件下进行溅射，从而在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度的铬系材料膜。
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