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公开(公告)号：CN1106685C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN96122849.0
申请日：1996-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L29/66106 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32678 , H01L21/2236
Abstract: 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的第1电压，用等离子中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的第2或对于等离子体变成为阳极的第3电压，边控制已混入等离子体中的硼的导入深度，边使棚导入固体样品的表面部分中去。
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公开(公告)号：CN102723366A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210249289.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN101436534B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810182659.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的己加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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公开(公告)号：CN101601138A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880002383.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a－13d)。在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a－13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
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公开(公告)号：CN101436534A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810182659.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的已加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100470727C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200480027712.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。
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公开(公告)号：CN101258786A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032251.1
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2，16)引入真空容器(1)时，该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8)，由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15，19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15，19)引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
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公开(公告)号：CN101151709A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010228.2
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J37/32633
Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口11将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。
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公开(公告)号：CN101151707A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010324.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67167 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。
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公开(公告)号：CN100370588C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480004146.8
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/6708
Abstract: 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置，该方法中，在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻；该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。
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