公开(公告)号：CN1090806C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN96110172.5

申请日：1996-07-17

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·G·布莱克

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/36 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3002 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明揭示一种原位除去附在离子束注入机(10)内表面上污物的方法。所述方法包括以下步骤：从源物质放出离子，并使离子形成离子束(14)，所述离子束通过一抽真空区，到达一离子注入室(17)；提供一个控制电子装置(11)，用于控制在所述抽真空区内离子束的轨迹；利用所述控制装置使离子束撞击与抽真空区相联系的所述注入机内表面，以使所述污物脱落；取走所述注入机的抽真空区的污物。

公开(公告)号：CN101305443B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200680041821.3

申请日：2006-11-10

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： P·林 ,  M·格拉夫

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种离子植入器(110)，包含：离子源(112)，用以产生沿射束路径运动的离子束；以及真空室或植入室(130)，例如硅晶片这样的工件被放置在所述真空室或植入室内与所述离子束相交，通过离子束对工件的表面进行离子植入。衬垫具有内向表面，其限定抽空的内部区域的至少一部分，并且包含横越所述衬垫的表面而隔开的沟槽，从而在离子植入器的操作过程中捕获在所述内部区域里产生的污染物。

公开(公告)号：CN101053063B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200580037928.6

申请日：2005-09-01

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： D·费利斯 ,  P·哈摩 ,  A·贝克内尔

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/76814

Abstract: 一等离子体灰化方法，其用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其中该基板包含一低k介电层，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将该等离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体连通之阻隔平板组件；使该等离子体流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；通过将一氧气等离子体导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。一设置成用以接收下游式等离子体之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。

公开(公告)号：CN1910726B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200580002187.8

申请日：2005-01-12

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·史利伐斯塔伐

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种阻隔板组件，其用于使气体流动分布进入包含有将被进行处理之半导体晶片的相邻处理容室之中，该阻隔板组件包括有：具有多个小孔于其中之平面的气体分布部分；环绕着气体分布部分的凸缘；以及被置中地附接至气体分布部分的冲击装置，其中，该装置包括有盖子以及柄杆，该柄杆与气体分布部分相热接触。本文中还公开了利用阻隔板组件的等离子体反应器，以及用于降低在等离子体中之物质重组的方法。

公开(公告)号：CN101151700B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680010661.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·芮

IPC: H01J37/304

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30405 ,  H01J2237/30411 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31703

Abstract: 提供了一种用以确定离子束到工件表面的二个入射角的系统、装置及方法。具有细长第一及第二传感器的测量装置被耦接至平移机构，其中，第一传感器以垂直于平移的第一方向进行延伸，而第二传感器以倾斜于第一传感器的角度延伸。第一及第二细长传感器在其分别于相应的第一时间及第二时间通过离子束时感测一个或多个离子束特性，并且控制器可运作以根据，至少部分地根据第一及第二传感器在第一及第二时间所感测的一个或多个离子束特性来确定离子束的第一及第二入射角。

公开(公告)号：CN1846292B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200480025420.X

申请日：2004-09-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： W·迪弗吉利奥 ,  黄永章

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/153

CPC classification number: H01J37/12 ,  H01J37/153 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04737 ,  H01J2237/04924

Abstract: 本发明降低了射束电流的损失，特别是对于低能量离子束传输。本发明使用单极静电四极透镜取代传统的正和负双电位(双极)四极透镜来作为一线性加速器中的射束聚焦元件，其中减少了其中的射束电流损失。此外本发明也包括用于在双极配线和单极配线间切换的系统和方法。

公开(公告)号：CN101208770B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580050233.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·瓦德弗里德 ,  C·加默 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂韦尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种用于处理介电材料诸如低k值介电材料、电容材料、阻挡层及类似物的设备和方法，总体上包括辐射源模组、耦连到辐射源模组的处理腔、和与该处理腔及晶片装卸器成操作性相通的的传送腔模组。可以根据不同类型的介电材料的需要，控制每个模组的气氛环境。该辐射源模组包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通。

公开(公告)号：CN101080802B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580043440.4

申请日：2005-10-12

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·班威尼斯特 ,  P·克雷曼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147

Abstract: 提供了用于聚焦离子注入器(110)中的被扫描的离子束的系统与方法。一种束聚焦系统(140)被提供，其包含：第一与第二磁体，用以提供对应的磁场，其协同地提供具有时变的聚焦场中心的磁性聚焦场，该聚焦场中心通常对应于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。提供了方法，包含：提供具有聚焦场中心的聚焦场于扫描平面内；以及动态调整该聚焦场，使得聚焦场中心通常符合于沿着扫描方向的被扫描的离子束的时变的束位置。

公开(公告)号：CN100592459C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200480016510.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·班威尼斯特 ,  R·拉斯梅尔 ,  黄扬强

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/057

Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。

公开(公告)号：CN100583375C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200480018009.X

申请日：2004-06-18

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·拉斯梅尔 ,  V·班威尼斯特

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/12 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/12

Abstract: 一种用在离子束注入机上的透镜结构。该透镜结构包括沿离子运动方向间隔开的第一和第二电极。该透镜结构跨过离子束的宽度而在离子束路径的相对侧上延伸，以偏转进入该透镜结构的离子。该透镜结构包括用于减速离子的第一电极和用于加速离子的第二电极，以使进入透镜结构的离子以大约相同的离开轨道离开所述透镜结构，而与离子进入透镜结构时的轨道无关。在一种可选构造中，该透镜结构包括用于加速离子的第一电极和用于减速离子的第二电极。