公开(公告)号：CN109545897B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN201811417548.0

申请日：2018-11-26

Applicant: 南昌凯迅光电股份有限公司

Inventor： 万智 ,  徐培强 ,  林晓珊 ,  张银桥 ,  汪洋 ,  王向武

IPC: H10F71/00 ,  H10F10/144 ,  H10F10/142 ,  H10F77/124

Abstract: 本发明公开了一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它是将常规晶格匹配电池的顶电池基区改为宽带隙、带隙递变、晶格常数一致的结构，即：本发明在空间GaInP/InGaAs/Ge晶格匹配电池的顶电池基区引入宽带隙p‑AlxGayIn1‑x‑yP/GaInP材料。通过组分的变化，使得基区层带隙递减、同时各层晶格参数相同。与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池相比，本结构在抑制位错密度的同时，能增加光生载流子少子的收集效率，同时提升电池的开路电压，从而改善电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN119836051A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411960449.2

申请日：2024-12-30

Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司

Inventor： 马长金 ,  张宝 ,  高伟 ,  胡健楠 ,  张启明 ,  郭宏亮 ,  万荣华 ,  刘长喜

IPC: H10F77/16 ,  H10F77/124 ,  H10F77/30 ,  H10F10/10 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种外延位错分布受控的太阳电池外延结构、太阳电池及其制造方法，从下到上依次为GaAs衬底、GaAs成核层、GaInP腐蚀阻挡层、GaAs接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、第一渐变缓冲层、GaInAs中间电池、第二隧穿结、晶格过冲层、第二渐变缓冲层、GaInAs底电池以及GaInAs接触层；其中，所述第一渐变缓冲层为AlGaInAs晶格渐变缓冲层，在第一渐变缓冲层中，从初始层到目标渐变层，In组分非线性增大；第二渐变缓冲层为AlGaInAs晶格渐变缓冲层，在第二渐变缓冲层中，In组分从初始层非线性增大到目标渐变层过程中，目标渐变层的前一层In组分含量高于目标渐变层；晶格过冲层中In组分含量高于第二渐变缓冲层的初始层中的In组分含量。可有效提高太阳电池的光电效率。

公开(公告)号：CN119815961A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411704054.6

申请日：2024-11-26

Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)

Inventor： 王兵兵 ,  刘文辉 ,  吴翼飞 ,  王洋刚 ,  郑露露 ,  葛馨 ,  陈宇石 ,  崔星煜 ,  马红波 ,  李影 ,  董祚汝 ,  陈栋 ,  汪泽文 ,  梁芳 ,  张传胜 ,  王晓东 ,  周宏

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/00 ,  H10F77/124 ,  H10F77/30

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法；包括在砷化镓掺S衬底底部离子注入S形成负电极接触层；在表面通过光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀形成光刻对准标记后，PECVD生长氮化硅离子注入保护层；再光刻、等离子体去胶、离子注入S形成正电极接触层；经快速热退火、湿法腐蚀后在正电极接触层上沉积氮化硅钝化层，再经光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀，湿法腐蚀、蒸镀，电极剥离、退火形成正电极。本发明直接采用砷化镓掺S衬底作为太赫兹辐射的吸收层，相对于外延生长的砷化镓掺S吸收层以及离子注入形成的砷化镓掺S吸收层，具有晶格质量高，厚度大，缺陷密度小等优点，同时能够达到完全吸收太赫兹辐射的效果。

公开(公告)号：CN119689617A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411936240.2

申请日：2024-12-26

Applicant: 安徽光智科技有限公司

Inventor： 刘青松 ,  赵帅 ,  吴新秀 ,  唐红军 ,  方文德

IPC: G02B1/115 ,  H10F77/30 ,  H10F77/14 ,  H10F30/10 ,  H10F77/124 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  G01J1/04

Abstract: 本发明涉及半导体芯片光学薄膜领域，具体是一种减反射膜、超晶格半导体芯片和GaSb芯片和焦平面探测器。本发明提供的减反射膜具有超低红外反射率，非常适用应用于半导体芯片的制造，特别是探测器用半导体芯片的制造。本发明所述的GaSb芯片以超晶格半导体GaSb材料为衬底，通过在所述GaSb衬底上设置本发明所述的八层减反射膜，所得到的GaSb芯片具有超低红外长波波段反射率，特别是在红外长波波段下，具体是在7.2 μm~9.5 μm的红外长波波段下，平均反射率低于0.41%。

公开(公告)号：CN119677240A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411797538.X

申请日：2024-12-09

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 陈佰乐 ,  李林泽

IPC: H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F77/42 ,  H10F77/124 ,  H10F77/14 ,  H10F30/222

Abstract: 本发明公开了一种可用于1550nm波段的倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器，包括：半导体主体、阴极、阳极、苯并环丁烯介质膜、增透膜，且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构依次包括半绝缘InP衬底、缓冲层、多个周期交替的等差折射波导层、阴极接触层、匹配引导层、集电层、耗尽InGaAs吸收层、非耗尽InGaAs吸收层、电子阻挡层、阳极接触层。本发明通过采用厚度逐渐变化的波导设计，实现了小尺寸器件的高效耦合。同时，借助苯并环丁烯介质膜的非平坦化设计，缓解了亚太赫兹光电探测器的RC时间限制。该设计具有超高频率响应带宽，高输出功率，以及高响应度的特点，能够满足光子太赫兹通信等系统的需求。

公开(公告)号：CN119677185A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411299235.5

申请日：2024-09-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 向井俊和 ,  麦野遥一

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/124

Abstract: 本发明提供一种光电二极管，其包括基板和半导体层叠体。基板具有主面。半导体层叠体配置在主面上。半导体层叠体包含配置在主面上的缓冲层和配置在缓冲层上的光吸收层。光吸收层由InxGa1‑xAsyP1‑y形成，x和y大于0且小于1。缓冲层由InzGa1‑zAs形成，z大于0且小于1。

公开(公告)号：CN119403250B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411976900.X

申请日：2024-12-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 叶敏杰 ,  刘泽文 ,  陈少敏

IPC: H10F30/295 ,  H10F77/124 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00 ,  G01T1/24

Abstract: 本申请提供了一种GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括衬底，以及外延形成在衬底上外延结构，外延结构包括多量子阱层。通过引入多量子阱层，多量子阱层吸收α粒子的入射能量，并对应激发出大量电子‑空穴对，且电子‑空穴对会被多量子阱层的量子限域效应局限在的量子阱中，不仅减少了电子‑空穴对扩散和复合的损失，还延长了载流子的寿命，大幅提升了α粒子探测器对载流子的收集效率，确保了更多的电子‑空穴对能够被收集并转化为电信号输出，从而提升了α粒子探测器性能。

公开(公告)号：CN119653917A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202510162350.6

申请日：2025-02-14

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 谢良帅 ,  刘粉红 ,  李晓梅 ,  楚旭 ,  邵纤童 ,  黄增立

IPC: H10F77/124 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56 ,  C23C8/24 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明提供了一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用，所述紫外吸收增强型半导体薄膜包括衬底和依次层叠设置于所述衬底一侧表面的铝中间层和氮化铝介质层。本发明所述紫外吸收增强型半导体薄膜可以利用界面相移和吸收相移共同作用，使几纳米厚的紫外吸收增强型半导体薄膜上表面反射趋于零从而增加半导体层的光吸收。在保证紫外吸收增强型半导体薄膜的厚度较小的情况下，增强光吸收强度，从而提高光电探测器的响应速度。

公开(公告)号：CN119653878A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202510179739.1

申请日：2025-02-19

Applicant: 南京国科半导体有限公司

Inventor： 刘胜威

IPC: H10F30/26 ,  H10F77/124 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明公开了一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器，涉及半导体技术领域，该三色红外探测器包括短波、中波、长波三通道区及渐变势垒层，仅设置上电极与下电极，通过在下电极施加不同偏压分别开启或关闭各通道；各通道的吸收层均采用InAs/GaSb超晶格并进行p型掺杂；在通道间插入InAs/AlSb渐变势垒以抑制载流子反向运输并降低波段串扰；该三色红外探测器简化了工艺流程，减小暗电流与噪声，提高探测性能，适用于多波段红外探测领域。

公开(公告)号：CN119584661A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411680109.4

申请日：2024-11-22

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 亨利·H·阿达姆松 ,  苗渊浩 ,  赵雪薇

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18 ,  H10F77/124

Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种三波段的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的衬底层、氧化硅层、氧化铝层、第一电极层、紫外光传感层、可见光传感层、红外光传感层、第二电极层和钝化层；多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿第二电极层、红外光传感层、可见光传感层和紫外光传感层；紫外光传感层采用本征砷化铝材料；可见光传感层采用本征砷化镓材料；红外光传感层采用本征斜切6度的锗系材料；钝化层均匀覆盖在第二电极层和各个矩形凹槽的内壁上；本申请能够解决现有技术中三种传感层之间存在的晶格失配和极性失配问题，降低制造成本，适用于批量化生产。