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公开(公告)号：CN107026092B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201611019343.8
申请日：2016-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供制造指纹扫描器的方法以及半导体装置。实施例包含囊封于所述指纹传感器封装内的传感器与传感器表面材料。所述传感器的电极阵列是使用贯穿通路而电连接或经由其它连接(例如线接合)而连接，所述贯穿通路位于所述传感器中、与所述传感器分离的连接块中、或穿过连接块。附接高电压裸片，以增加所述指纹传感器的灵敏性。
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公开(公告)号：CN107221521A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610455147.9
申请日：2016-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体封装，具有第一重分布层、第一晶粒、第二重分布层以及表面涂布层。第一晶粒包覆在封胶材料内且设置在第一重分布层上并与第一重分布层电连接。第二重分布层设置在封胶材料上、第一晶粒上并与第一晶粒电连接。第二重分布层包括具有至少一接触垫的最顶金属化层，而至少一接触垫包括凹部。表面涂布层覆盖最顶金属化层的一部分且暴露至少一接触垫的凹部。
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公开(公告)号：CN107026154A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611219635.6
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一个实施例，半导体结构包括多芯片封装件系统(MCPS)。MCPS包括一个或多个管芯、沿着一个或多个管芯的侧壁延伸的模塑料、以及位于一个或多个管芯和模塑料上方的再分布层(RDL)。半导体结构还包括连接至RDL的至少一个传感器，RDL插入在至少一个传感器和一个或多个管芯之间。半导体结构还包括具有在衬底的第一侧上的导电部件的衬底。导电部件连接至RDL。衬底具有从衬底的第一侧延伸至衬底的与第一侧相对的第二侧的空腔，并且至少一个传感器设置在空腔中。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN103915412B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310131778.1
申请日：2013-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02375 , H01L2224/03826 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05078 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/13012 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
Abstract: 本发明公开了一种器件包括衬底，位于衬底上方的金属焊盘，以及与所述金属焊盘电断开的金属迹线。金属焊盘和金属迹线相互齐平。钝化层包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分。金属柱覆盖在金属焊盘上方并且与所述金属焊盘电断开。金属迹线具有与所述金属柱重叠的部分。本发明还公开了一种用于集成电路的金属布线结构。
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公开(公告)号：CN102983106B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210011542.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/66 , H01L25/065
CPC classification number: H01L22/20 , H01L22/14 , H01L23/3128 , H01L23/48 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置在多个底部单元上，其中，焊球位于多个上层组件和多个底部单元之间。实施回流，从而通过焊球连接多个上部组件叠层和多个底部单元中的相应一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915421A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310084632.6
申请日：2013-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L25/0652 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
Abstract: 本文公开了用于封装件或者堆叠封装(PoP)器件的方法和装置。一种IC封装件或者PoP器件可以包括连接管芯和去耦电容器的电气通路，其中该电气通路可以具有约8μm至约44μm范围内的宽度和约10μm至约650μm范围内的长度。去耦电容器和管芯可以包含同一封装件中或者位于PoP器件内的不同封装件中，并且通过接触焊盘、再分配层(RDL)和连接件来连接。
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公开(公告)号：CN103681561A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310024884.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/645 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2021/60022 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/4916 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了层叠封装结构中的无源器件及其形成方法，其中该器件包括聚合物。器件管芯设置在聚合物中。无源器件包括穿透聚合物的三个组件通孔(TAV)，其中TAV串联连接。再分布线(RDL)位于聚合物下方。RDL将TAV中的第一个电连接至TAV中的第二个。
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公开(公告)号：CN102983106A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210011542.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/66 , H01L25/065
CPC classification number: H01L22/20 , H01L22/14 , H01L23/3128 , H01L23/48 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置在多个底部单元上，其中，焊球位于多个上层组件和多个底部单元之间。实施回流，从而通过焊球连接多个上部组件叠层和多个底部单元中的相应一个。
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公开(公告)号：CN101312181B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710186915.6
申请日：2007-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈志华
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L22/34 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片、集成电路结构及半导体晶圆，该半导体芯片包括：半导体衬底；晶圆穿孔结构，位于该半导体衬底内；多个导电图案，位于该半导体衬底之上且彼此相邻，其中所述多个导电图案的下表面和该晶圆穿孔结构的上表面实质上共平面，且其中该晶圆穿孔结构至少和所述多个多个导电图案相邻；以及多个接合垫，位于该半导体芯片的表面上，各自连接所述多个导电图案的一个。本发明可在较早的工艺步骤中检测到TWV的对位偏差，且不需损伤晶圆。因此，可即时调整随后的TWV的形成步骤，以避免进一步造成合格率的损失。
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公开(公告)号：CN101414589A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170532.4
申请日：2008-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及一种集成电路及形成该集成电路的方法，包含一基板；一硅贯通电极，延伸入基板中；一硅贯通电极转接垫，与硅贯通电极间隔一距离设置；以及一金属线，位于硅贯通电极上，且与硅贯通电极及一硅贯通电极转接垫电性连接。
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