用于确定角反射率曲线的设备和方法

    公开(公告)号:CN118946856A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202380030987.9

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 一种设备,所述设备包括多层结构,该多层结构被配置为反射电磁辐射。该设备包括传感器,该传感器被配置为检测电磁辐射在从多层结构反射之后的角分布。该设备包括处理器,该处理器被配置为至少部分地基于传感器所检测到的电磁辐射的角分布来生成第一函数。处理器被配置为将第一函数和与多个已知角反射率曲线相关联的多个已知函数进行比较,以从多个已知函数中识别与第一函数最相似的第二函数。处理器被配置为至少部分地基于与第二函数相关联的已知角反射率曲线来确定多层结构的角反射率曲线。

    选择与衬底上的测量或特征相关联的部位的集合

    公开(公告)号:CN113341659B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202110630682.4

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本发明提供一种选择衬底上用于测量或特征的部位的最优集合的方法,该方法包括:(302):限定约束条件,并且可选地限定成本函数。(306):限定部位的第一候选方案。(308):基于对所述第一候选方案的方案域中的坐标的修改,限定具有部位的第二候选方案。这可能涉及重复、突变和交叉。(310):确定与所述衬底上所需的测量准确性或特征布局相关联的成本函数的值。(312):根据与所述衬底相关联的约束并且可选地根据所述成本函数的值,选择所述第一候选方案和/或第二候选方案作为所述最优方案。(314):如果满足所述约束并且所述成本函数的值已收敛,或者如果已达到一迭代次数,则迭代结束。

    光刻设备
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112204472B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN201980035923.1

    申请日:2019-04-19

    Abstract: 一种用于向EUV光刻设备提供氧气(O2)的气体流量控制系统,该气体流量控制系统包括:被配置为连接到第一气体源的第一入口,第一气体包括氧气(O2);被配置为连接到第二气体源的第二入口,第二气体不包含任何(O2)气体;气体流量控制系统被配置为混合第一气体和第二气体以获得包括稀释的氧气(O2)的混合气体;气体流量控制系统还包括:被配置为将第一量的混合气体输出到EUV光刻设备的内部的第一出口;以及被配置为将第二量的混合气体输出到EUV光刻设备外部的收集容器的第二出口。

    在用于快速光学检查目标的系统中实现的光学系统

    公开(公告)号:CN118696277A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202280091897.6

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 该系统包括光学设备、反射设备、可移动反射设备和检测器。光学设备被设置在第一平面处并围绕系统的轴线,以及接收来自目标的散射辐射。反射设备至少被设置在第二平面处并围绕轴线。每个反射设备接收来自对应光学设备之一的散射辐射。可移动反射设备沿轴线设置并接收来自每个反射设备的散射辐射。检测器接收来自可移动反射设备的散射辐射。

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