公开(公告)号：CN103633020B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201310176280.7

申请日：2013-05-14

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 沈一权 ,  俊谟具

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及在晶片级封装上使用UV固化的导电油墨形成RDL的方法。半导体器件具有半导体裸片和被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层。在所述第一绝缘层中形成图案化的沟槽。通过将模版布置在所述第一绝缘层上（其中开口与所述图案化的沟槽对齐）并且通过所述模版中的开口将导电油墨沉积到所述图案化的沟槽中，所述导电油墨被沉积在所述图案化的沟槽中。可替代地，通过经由喷嘴将所述导电油墨分发到所述图案化的沟槽中来沉积所述导电油墨。在室温下通过紫外光将所述导电油墨固化。在所述第一绝缘层和导电油墨上形成第二绝缘层。在所述导电油墨上形成互连结构。密封剂可以被沉积在所述半导体裸片周围。所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。

公开(公告)号：CN107403724A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201610339047.X

申请日：2016-05-20

Applicant: 稳懋半导体股份有限公司

Inventor： 花长煌 ,  邵耀亭

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体集成电路的抗湿气结构，包括一化合物半导体基板、一化合物半导体磊晶结构、一化合物半导体集成电路以及一湿气阻隔层。其中化合物半导体磊晶结构形成于化合物半导体基板之上。化合物半导体集成电路形成该化合物半导体磊晶结构之上。湿气阻隔层形成于化合物半导体集成电路之上。其中湿气阻隔层由氧化铝所构成，湿气阻隔层的厚度大于或等于且小于或等于 藉此提高化合物半导体集成电路的抗湿气能力。

公开(公告)号：CN107393962A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710488423.6

申请日：2017-06-23

Applicant: 深圳市晶相技术有限公司

Inventor： 刘美华 ,  林信南 ,  刘岩军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/296 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/401 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107393821A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710581797.2

申请日：2017-07-17

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  杨波 ,  蔡美晨 ,  龚昌明 ,  张翼

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/3046 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供的一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，芯片分离采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中采用酸腐蚀去除芯片台面损伤层、腐蚀工艺去除粘附在芯片表面的重金属离子、热钝化方式中和碱金属离子并在芯片表面生长一层二氧化硅钝化保护层的工艺，最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的反向性能，提升产品的可靠性；采用主要成分为氧化锌、三氧化二硼、二氧化硅的钝化玻璃粉经过高温成型实现玻璃粉对芯片台面的钝化兼封装作用，产品组件中的电极与芯片和玻璃钝化层的热膨胀系数相当，提高了产品的抗温度冲击能力；产品采用专用焊料将电极片和轴向产品进行烧结，实现了表贴封装结构。

公开(公告)号：CN103515261B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310263546.1

申请日：2013-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 清水晓人 ,  西川健次 ,  诸井定幸 ,  井村智夫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据本发明的方法，具有在管芯焊盘的上表面上安装半导体芯片的接合工艺，管芯焊盘的上表面的面积比半导体芯片的背面的面积更大。在接合工艺之后，该方法还具有密封半导体芯片的密封体形成工艺，使得可以暴露管芯焊盘的与上表面相对的下表面。这里，管芯焊盘的上表面围绕着在其上方安装了半导体芯片的区域布置，并且具有其中形成有沟槽或多个穴的凹部布置区。而且，使上表面的表面粗糙程度比下表面的表面粗糙程度更粗糙。

公开(公告)号：CN107346744A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201610500259.1

申请日：2016-06-29

Applicant: 艾马克科技公司

Inventor： 朴锦阳 ,  朴俊书 ,  颜吉和

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/56 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/488 ,  H01L24/81 ,  H01L24/89

Abstract: 半导体装置及其制造方法。本发明提供一种电子装置及一种制造电子装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种态样提供制造电子装置的各种方法及通过所述方法而制造的电子装置，所述方法包含利用黏接层以将上部电子封装体附接至下部晶粒及/或利用金属柱以用于将所述上部电子封装体电连接至下部基板，其中所述金属柱在所述下部基板上方相较于所述下部晶粒具有较小高度。

公开(公告)号：CN103715105B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201310464823.5

申请日：2013-10-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋叶秀树 ,  塩原利夫 ,  关口晋

IPC: H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/24

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体装置的制造方法，其不需要以往的对由填充材料所导致的翘曲采取应对方法、及根据密封层形成时的不良元件数量来调整树脂填充量，可制造翘曲得以减少、且耐热性和耐湿性优异的半导体装置。为解决该问题，本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：树脂填充步骤，将比形成密封层所需要的量更多的热固化性树脂填充于第1模槽内，充满该第1模槽的内部，并且将剩余的前述热固化性树脂排出至第1模槽的外部；一体化步骤，一边对上模具和下模具进行加压一边将热固化性树脂成型，并将搭载半导体元件的基板、不搭载半导体元件的基板、及密封层一体化；及，单片化步骤，从成型模具中取出一体化后的基板，通过切割进行单片化。

公开(公告)号：CN107293499A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610851698.7

申请日：2016-09-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  B·维塔利 ,  M·德桑塔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/4828 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/10 ,  H01L24/80 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/80207 ,  H01L2224/80439 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80455 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/08 ,  H01L24/83 ,  H01L23/3185 ,  H01L2224/80205

Abstract: 本公开涉及用于倒装芯片封装件的热超声接合的连接，具体公开了制造封装件的方法。该方法可以包括：在衬底的第一表面上形成接合焊盘；通过在衬底的第二表面中蚀刻凹部在衬底中形成引线，第二表面与第一表面相对；以及使引线的顶面的至少一部分镀敷有表面镀敷层。该方法还可以包括：通过将表面镀敷层热超声地接合至裸片来将引线热超声地接合至裸片，以及在密封剂中密封裸片和引线。

公开(公告)号：CN107275295A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710414445.8

申请日：2017-06-05

Applicant: 深圳市力生美半导体股份有限公司

Inventor： 郑凌波 ,  罗小荣 ,  周勇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/3114 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种功率集成器件、封装方法及电源装置，包括引脚及封装体，封装体包括正面、背面、第一、第二、第三及第四侧面，背面用于连接散热装置，一个或多个引脚从第一侧面延伸出，第一侧面靠近背面的部分设置为第一斜面。本发明功率集成器件通过将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，增大了引脚与背面之间沿着封装体表面的距离，从而满足了封装体的爬电距离的要求；将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，在满足爬电距离要求的前提下，可以将封装体的背面与内部封装的芯片之间的厚度控制到更薄，从而可以减小封装体的体积；进一步保证封装体背面具有较大的散热面积，从而改善了功率集成器件的散热效果，增大功率集成器件的功率容量。

公开(公告)号：CN107240554A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710374952.3

申请日：2017-05-24

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明公开了一种集成无源器件及其封装方法，其中所述方法包括：制备晶圆，晶圆内形成若干芯片单元，芯片单元的正面具有信号引脚；在一个或多个芯片单元的正面刻蚀凹槽；在凹槽底部开孔，形成连通凹槽至芯片背面的连接孔；在芯片背面进行注塑，注塑材料通过连接孔注满凹槽，在凹槽内形成第一绝缘层，且注塑材料覆盖芯片背面形成第二绝缘层；在第一绝缘层上进行布线，形成第一线路，将第一线路与芯片单元的信号引脚连接。该集成无源器件及方法使得IPD以绝缘材料为基体材料，器件的电性能远高于硅基材料，满足高Q值的要求，IPD做在芯片衬底刻蚀的凹槽上使封装结构尺寸减小，注塑基于晶圆级工艺采用整体晶圆注塑的方法，加工更加便捷、高效。