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公开(公告)号：CN103155182A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003354.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化镓类半导体发光元件，在进行对具有除c面外的结晶面的氮化物半导体发光元件的光提取面（50）的表面的润湿性进行控制的表面改性之后，在粒子层对表面进行覆盖。其后，通过进行蚀刻，将粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上且800nm以下的凹凸构造（60）形成在光提取面（50）。
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公开(公告)号：CN103081136A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002640.5
申请日：2012-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/16 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氮化物类半导体发光元件包括：半导体层叠结构，包括主面为半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层（306），具有形成有凹部和凸部中至少一个的凹凸面（310）；和双折射性基板（304），其覆盖半导体层叠结构的凹凸面（310）一侧，将从活性层（306）发射的光中的至少一部分反射的电极（308）和半导体层叠结构的凹凸面（310）配置于相反侧，该双折射性基板（304）使从活性层（306）发射的光和被电极（308）反射的光透过。
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公开(公告)号：CN102067348B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201080001925.8
申请日：2010-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。
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公开(公告)号：CN102007610B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102804415A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026102.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的发光二极管元件具有主面(7a)是m面的n型GaN基板(7)和在基板(7)的主面(7a)上设置的层叠结构。该层叠结构具有：n型半导体层(2)；位于n型半导体层(2)的上表面的第一区域(2a)上的活性层(3)、p型半导体层(4)、阳极电极层(5)；以及在n型半导体层(2)的上表面的第二区域(2b)上形成的阴极电极层(6)。n型半导体层(2)、活性层(3)以及p型半导体层(4)都是通过m面生长而形成的外延生长层。基板(7)以及n型半导体层(2)中的n型杂质的浓度设定在1×1018cm-3以下。当从与主面(7a)垂直的方向观察时，阳极电极层(5)与阴极电极层(6)的间隔为4μm以下，在从阴极电极层(6)的边缘中的与阳极电极层(5)相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置有阳极电极层(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102576786A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080036400.8
申请日：2010-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/18
Abstract: 一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在六方晶纤锌矿结构的(10-10)m面生长p-GaN层，将作为p型掺杂物的Mg浓度在1.0×1018cm-3到9.0×1018cm-3的范围内进行调整。
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公开(公告)号：CN102084504A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980100931.6
申请日：2009-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件，其具有氮化物类半导体叠层结构(50)，氮化物类半导体叠层结构(50)包括：含有AlaInbGacN结晶层，其中：a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)，其中：d+e＝1，d＞0，e≥0；以及AlfGagN层(38)其中：f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括层(35)，该层(35)含有浓度为1×1016atms/cm3以上且1×1019atms/cm3以下的In。
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公开(公告)号：CN102067348A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001925.8
申请日：2010-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。
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公开(公告)号：CN100454693C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580011771.X
申请日：2005-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01S5/02
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
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公开(公告)号：CN100454597C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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