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公开(公告)号：CN106997145B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201710052066.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。
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公开(公告)号：CN113568269A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110458020.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明涉及用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料。提供一种用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料，该用于反射型掩模坯料的带膜的基板包括：基板、Mo层和Si层的多层反射膜、以及Ru保护膜。基板和坯料包括在Mo层和Si层之间存在的含有Mo和Si的混合层，和在最上层Si层和Ru保护膜之间生成的含有Ru和Si的另一混合层；该膜和层具有满足限定的表达式的厚度。
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公开(公告)号：CN107868935B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710898801.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。
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公开(公告)号：CN106019808B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201610195474.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 在包括透明基板和其上沉积并且相对于亚200nm光具有150‑200°的相移的相移膜的相移掩模坯中，该相移膜由硅、氮和任选的氧构成的硅基材料组成，具有至多70nm的厚度，并且在该基板上沉积该相移膜的前后在该基板的表面的中央区域中提供至多0.2μm的翘曲变化。
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公开(公告)号：CN106019812B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201610195948.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 在透明基底上通过用含有N和/或O的反应性气体的含Si靶的反应性溅射沉积含有Si以及N和/或O的半色调相移膜。在将所述反应性气体流速设定为等于或低于所述迟滞区中所述反应性气体流速下限时溅射沉积一层，在将所述反应性气体流速设定为所述迟滞区中所述反应性气体流速的下限和上限之内时溅射沉积另一层。该相移膜表现出令人满意的光学性质的面内均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111308851A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911264530.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造光掩模的方法。该光掩模坯料用于在通过具有波长为至多250nm的曝光光的图案转印中使用的光掩模的材料，包括透明衬底、在衬底上直接形成的或者以在透明衬底和含铬膜之间插入光学膜的方式形成的含铬膜。含铬膜包括区域(A)，所述区域(A)由含有铬、氧和碳的铬化合物组成，其中在铬化合物中含有的每种元素的含量在区域(A)的厚度方向上连续变化，并且朝向衬底，铬含量提高并且碳含量降低。
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公开(公告)号：CN108594593A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810596424.7
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
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公开(公告)号：CN108572509A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810188726.0
申请日：2018-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
CPC classification number: G03F1/50 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/58 , G03F1/80 , G03F7/70283
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料，该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时，第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。
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公开(公告)号：CN108415218A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810125208.4
申请日：2018-02-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01B33/06 , C22C27/06 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G03F1/54 , G03F1/84 , G03F1/26 , G03F1/56 , G03F1/68
Abstract: 本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。
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公开(公告)号：CN107868935A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710898801.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , C23C14/0089 , C23C14/0094 , C23C14/34 , C23C14/042 , C23C14/0042 , C23C14/0084 , C23C14/0641 , C23C14/0682 , C23C14/3492 , H01L21/0274
Abstract: 在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。
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